光电阴极及X射线诊断系统技术方案

技术编号:18447251 阅读:75 留言:0更新日期:2018-07-14 11:19
本发明专利技术实施例提供一种光电阴极及X射线诊断系统。光电阴极包括X射线多层反射膜及设置在X射线多层反射膜表面上的金。X射线多层反射膜作为光电阴极的基底,金为纳米结构。X射线多层反射膜用于将入射至X射线多层反射膜表面上的X射线进行反射。金用于在X射线入射至金的表面后产生光电子,以进行X射线的诊断。其中,入射至金的表面的X射线包括光源直接射出的X射线及X射线多层反射膜反射的X射线。所述光电阴极的光电子产额高,稳定性好且环境适应性强。

【技术实现步骤摘要】
光电阴极及X射线诊断系统
本专利技术涉及光电探测
,具体而言,涉及一种光电阴极及X射线诊断系统。
技术介绍
目前,X射线条纹相机中使用的光电阴极主要是采用碳氢(CH)膜或微通道板(MicrochannelPlate,MCP)作为基底,基底上设置有金属薄膜。利用上述设置的光电阴极进行X射线的探测。但是,金属薄膜材料厚度通常小于1μm,量子产额低,不利于X射线的高精度、高分辨率(时间、空间)诊断。
技术实现思路
为了克服现有技术中的上述不足,本专利技术实施例的目的在于提供一种光电阴极及X射线诊断系统,该光电阴极包括X射线多层反射膜及设置在所述X射线多层反射膜表面上的纳米结构的金,具有光电子产额高、稳定性好及环境适应性强等特点。第一方面,本专利技术实施例提供一种光电阴极,所述光电阴极包括X射线多层反射膜及设置在所述X射线多层反射膜表面上的金,所述X射线多层反射膜作为所述光电阴极的基底,所述金为纳米结构;所述X射线多层反射膜用于将入射至所述X射线多层反射膜表面上的X射线进行反射;所述金用于在X射线入射至所述金的表面后产生光电子,以进行X射线的诊断,其中,入射至所述金的表面的X射线包括光源直接射出的X射线及所述X射线多层反射膜反射的X射线。进一步地,结合上述第一方面提供的实施例,所述纳米结构包括纳米颗粒、纳米球壳中任一种及其组合。进一步地,结合上述第一方面提供的实施例,所述金均匀设置在所述X射线多层反射膜表面。进一步地,结合上述第一方面提供的实施例,所述金通过涂覆、沉积或化学方法中任一种方式设置在所述X射线多层反射膜表面。进一步地,结合上述第一方面提供的实施例,所述X射线多层反射膜用于反射预设波长范围内的X射线。第二方面,本专利技术实施例还提供一种X射线诊断系统,所述系统包括光源及条纹相机,所述条纹相机包括光电阴极,所述光源用于发射X射线;所述光电阴极包括X射线多层反射膜及设置在所述X射线多层反射膜表面上的金,所述X射线多层反射膜作为所述光电阴极的基底,所述金为纳米结构;所述X射线多层反射膜用于将入射至所述X射线多层反射膜表面上的X射线进行反射;所述金用于在X射线入射至所述金的表面后产生光电子,以进行X射线的诊断,其中,入射至所述金的表面的X射线包括光源直接射出的X射线及所述X射线多层反射膜反射的X射线;所述条纹相机用于对所述光电阴极在被X射线穿透后产生的光电子进行分析,实现对X射线的诊断。进一步地,结合上述第二方面提供的实施例,所述纳米结构包括纳米颗粒、纳米球壳中任一种及其组合。进一步地,结合上述第二方面提供的实施例,所述金均匀设置在所述X射线多层反射膜表面。进一步地,结合上述第二方面提供的实施例,所述金通过涂覆、沉积或化学方法中任一种方式设置在所述X射线多层反射膜表面。进一步地,结合上述第二方面提供的实施例,所述X射线多层反射膜用于反射预设波长范围内的X射线。相对于现有技术而言,本专利技术具有以下有益效果:本专利技术实施例提供一种光电阴极及X射线诊断系统。该光电阴极包括X射线多层反射膜及设置在所述X摄像多层反射膜表面上的金。其中,设置在所述X摄像多层反射膜表面上的金为纳米结构。所述X射线多层反射膜作为所述光电阴极的基底。所述X射线多层反射膜用于将入射至所述X射线多层反射膜表面上的X射线进行反射。所述金用于在X射线入射至所述金的表面后产生光电子,以进行X射线的诊断。其中,入射至所述金的表面的X射线包括光源直接射出的X射线及所述X射线多层反射膜反射的X射线。所述光电阴极的光电子产额高,稳定性好且环境适应性强。将金设置为纳米结构,可避免在将金设置为薄膜结构时,由于薄膜厚度小导致的光电子产额的问题,并且可以使得所述光电阴极类似场发射阴极,从而提高光电阴极的光电子产额。所述X射线多层反射膜具有光洁的表面及耐温特性,适于在X射线多层反射膜表面上制备纳米结构的金。为使专利技术的上述目的、特征和优点能更明显易懂,下文特举本专利技术较佳实施例,并配合所附附图,作详细说明如下。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,应当理解,以下附图仅示出了本专利技术的某些实施例,因此不应被看作是对范围的限定,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他相关的附图。图1是本专利技术第一实施例提供的光电阴极的结构示意图之一。图2是本专利技术第一实施例提供的光电阴极的应用示意图。图3是本专利技术第一实施例提供的光电阴极的结构示意图之二。图4是本专利技术第二实施例提供的X射线诊断系统的方框示意图。图标:10-X射线诊断系统;11-光源;12-条纹相机;100-光电阴极;110-X射线多层反射膜;120-金。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中附图,对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例,而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本专利技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此,以下对在附图中提供的本专利技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本专利技术的范围,而是仅仅表示本专利技术的选定实施例。基于本专利技术的实施例,本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本专利技术保护的范围。应注意到:相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项,因此,一旦某一项在一个附图中被定义,则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。在本专利技术的描述中,需要说明的是,术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,或者是该专利技术产品使用时惯常摆放的方位或位置关系,仅是为了便于描述本专利技术和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本专利技术的限制。此外,术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述,而不能理解为指示或暗示相对重要性。此外,术语“水平”、“竖直”、“悬垂”等术语并不表示要求部件绝对水平或悬垂,而是可以稍微倾斜。如“水平”仅仅是指其方向相对“竖直”而言更加水平,并不是表示该结构一定要完全水平,而是可以稍微倾斜。在本专利技术的描述中,还需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“设置”、“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。下面结合附图,对本专利技术的一些实施方式作详细说明。在不冲突的情况下,下述的实施例及实施例中的特征可以相互组合。第一实施例请参照图1,图1是本专利技术实施例提供的光电阴极100的结构示意图之一。所述光电阴极100包括X射线多层反射膜110及设置在所述X射线多层反射膜110上的金120。其中,所述金120为微结构,在本实施例中,所述微结构包括纳米结构。所述光电阴极100具有光电子产额高、稳定性好及环境适应性强等特点。其中,光电子产额,也称为量子产额,指的光电器件中每吸收一个光子所具有的发射电子的能力。所述光电阴极100是X射线诊断中广泛使用的重本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光电阴极,其特征在于,所述光电阴极包括X射线多层反射膜及设置在所述X射线多层反射膜表面上的金,所述X射线多层反射膜作为所述光电阴极的基底,所述金为纳米结构;所述X射线多层反射膜用于将入射至所述X射线多层反射膜表面上的X射线进行反射;所述金用于在X射线入射至所述金的表面后产生光电子,以进行X射线的诊断,其中,入射至所述金的表面的X射线包括光源直接射出的X射线及所述X射线多层反射膜反射的X射线。

【技术特征摘要】
1.一种光电阴极,其特征在于,所述光电阴极包括X射线多层反射膜及设置在所述X射线多层反射膜表面上的金,所述X射线多层反射膜作为所述光电阴极的基底,所述金为纳米结构;所述X射线多层反射膜用于将入射至所述X射线多层反射膜表面上的X射线进行反射;所述金用于在X射线入射至所述金的表面后产生光电子,以进行X射线的诊断,其中,入射至所述金的表面的X射线包括光源直接射出的X射线及所述X射线多层反射膜反射的X射线。2.根据权利要求1所述的光电阴极,其特征在于,所述纳米结构包括纳米颗粒、纳米球壳中任一种及其组合。3.根据权利要求1所述的光电阴极,其特征在于,所述金均匀设置在所述X射线多层反射膜表面。4.根据权利要求1所述的光电阴极,其特征在于,所述金通过涂覆、沉积或化学方法中任一种方式设置在所述X射线多层反射膜表面。5.根据权利要求1所述的光电阴极,其特征在于,所述X射线多层反射膜用于反射预设波长范围内的X射线。6.一种X射线诊断系统,其特征在于,所述系统包括光源及条纹相机,所述条纹相机包括光电阴极,所述光源...

【专利技术属性】
技术研发人员:王瑜英曹柱荣高聪徐习斌高扬王雪敏王建军景峰
申请(专利权)人:中国工程物理研究院激光聚变研究中心
类型:发明
国别省市:四川,51

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