存储装置及其操作方法制造方法及图纸

本文中提供了存储装置和操作该存储装置的方法。该存储装置可以包括：存储块，该存储块包括多个页；以及外围电路，该外围电路被配置成依次对所述页进行编程。该存储装置可以包括控制逻辑，该控制逻辑被配置成控制所述外围电路，使得编程电压被施加至与从所述页当中选择的页联接的字线，使得不同的通过电压被施加至与除了被选页之外的未选页当中的已经执行编程操作的页联接的全部或一些字线以及与所述未选页当中的尚未执行所述编程操作的页联接的字线。

【技术实现步骤摘要】
存储装置及其操作方法
本公开的各种实施方式总体上涉及存储装置和操作该存储装置的方法，并且更具体地，涉及一种存储装置的编程操作。
技术介绍
存储装置被分类成易失性存储装置和非易失性存储装置。非易失性存储装置即使在电源中断时也能够保留其内容。虽然非易失性存储装置的读写速度与易失性存储装置的读写速度相比相对低，但是非易失性存储装置广泛用于便携式电子装置，这是因为它无论是否与电源连接都保留其内容。非易失性存储装置的示例可以根据数据存储方案包括只读存储器(ROM)、掩模ROM(MROM)、可编程ROM(PROM)、可擦除可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、闪速存储器、相变随机存取存储器(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)和铁电式RAM(FRAM)。闪速存储器可具有串水平地布置在半导体基板上的二维(2D)结构。另选地，闪速存储器可以具有串垂直地层叠在半导体基板上的三维(3D)结构。随着二维(2D)结构到达其物理比例极限，半导体制造商正在制造包括垂直地层堆在半导体基板上的存储单元的存储装置。
技术实现思路
本公开的各种实施方式针对一种存储装置和操作该存储装置的方法，其能够提高存储装置的编程操作的可靠性。本公开的实施方式可以提供一种存储装置。该存储装置可以包括：存储块，该存储块包括多个页；外围电路，该外围电路被配置成依次对所述页进行编程；以及控制逻辑，该控制逻辑被配置成控制所述外围电路，使得编程电压被施加至与从所述页当中选择的页联接的字线，使得不同的通过电压被施加至与除了被选页之外的未选页当中的已经执行编程操作的页联接的全部或一些字线以及与所述未选页当中的尚未执行所述编程操作的页联接的字线。本公开的实施方式可以提供一种操作存储装置的方法。该方法可以包括以下步骤：向与被选页联接的字线施加编程电压；向除了所述被选页之外的未选页当中的已经执行编程操作的全部或一些页施加第一通过电压；以及向所述未选页当中的尚未执行所述编程操作的页施加比所述第一通过电压低的第二通过电压。该方法可以包括以下步骤：设置参考页；确定被选页是否已经到达所述参考页；在所述被选页到达所述参考页之前，向与尚未执行编程操作的未选页联接的字线施加第三通过电压，向与已经执行所述编程操作的未选页联接的字线施加所述第三通过电压或者比所述第三通过电压低的第四通过电压，并且向与所述被选页联接的字线施加编程电压；以及在所述被选页到达所述参考页之后，向与尚未执行编程操作的未选页联接的字线施加所述第三通过电压并且向与已经执行所述编程操作的未选页联接的字线施加比所述第三通过电压高的第五通过电压，并且向与所述被选页联接的所述字线施加所述编程电压。附图说明图1是用于说明根据本公开的实施方式的存储系统的示图。图2是用于说明图1的存储装置的示图。图3是用于说明图2的存储块的示图。图4是用于说明根据本公开的实施方式的编程操作的流程图。图5是用于详细说明图4的编程操作的流程图。图6、图7、图8和图9是用于说明图5的编程操作的示例的示图。图10是用于说明根据本公开的实施方式的编程操作的流程图。图11和图12是用于说明图10的编程操作的示例的示图。图13是用于说明3D存储块的实施方式的示图。图14是用于说明图13的编程操作的示例的示图。图15和图16是用于说明图13的编程操作的示例的示图。图17是用于说明3D存储块的实施方式的示图。图18是用于说明图17的编程操作的示例的示图。图19和图20是用于说明图17的编程操作的示例的示图。图21是用于说明包括图2的存储装置的存储系统的实施方式的示图。图22是用于说明包括图2的存储装置的存储系统的实施方式的示图。图23是用于说明包括图2的存储装置的存储系统的实施方式的示图。图24是用于说明包括图2的存储装置的存储系统的实施方式的示图。具体实施方式现在将参照附图在下文中更充分地描述示例实施方式；然而，这些实施方式可按不同的形式来实施，而不应该被理解为限于本文中阐述的实施方式。相反，提供这些实施方式使得本公开将是彻底的和完整的，并将示例实施方式的范围充分地传达给本领域技术人员。在附图中，为了图示清晰起见，可以夸大尺寸。将理解的是，当元件被称为“在”两个元件“之间”时，该元件可以是这两个元件之间的唯一元件，或者还可以存在一个或更多个居间元件。在下文中，将参照附图来描述实施方式。在本文中参照作为实施方式的示意性例示(和中间结构)的截面图来描述实施方式。如此，将预料到由于例如制造技术和/或容差而导致的例示形状的变化。因此，实施方式不应该被解释为限于本文中例示的特定形状，而是可以包括由例如制造而导致的形状偏差。在附图中，为了清晰起见，可以夸大层和区域的长度和大小。附图中的相同的附图标记指示相同的元件。可以使用诸如“第一”和“第二”这样的术语来描述各种组件，但这些术语不应该限制各种组件。使用这些术语仅出于将一个组件与其它组件区分开的目的。例如，在不脱离本公开的精神和范围的情况下，第一组件可以被称为第二组件，并且第二组件可以被称为第一组件，依次类推。此外，“和/或”可以包括所提到组件中的任何一个或组合。此外，单数形式可以包括复数形式，只要它在句子中没有具体提到。此外，说明书中使用的“包括”或“包含”或其变型表示存在或添加一个或更多个组件、步骤、操作和元件。此外，除非另外定义，否则在本说明书中使用的包括技术术语和科学术语的全部术语具有与相关领域的技术人员通常理解的含义相同的含义。通用字典中定义的术语应该被解释为具有与相关领域的背景下将解释的含义相同的含义，并且除非在本说明书中另外清楚定义，否则不应该被解释为具有理想或过于正式的含义。还要注意，在本说明书中，“连接/联接”是指一个组件不仅直接联接另一个组件，而且还通过中间组件来间接联接另一个组件。另一方面，“直接连接/直接联接”是指一个组件直接联接另一个组件而没有中间组件。图1是用于说明根据本公开的实施方式的存储系统的示图。参照图1，存储系统1000可以包括用于存储数据的存储装置1100和用于在主机2000的控制下控制存储装置1100的存储控制器1200。主机2000可以使用诸如外围组件快速互连(PCI-E)、高级技术附件(ATA)、串行ATA(SATA)、并行ATA(PATA)或串行附接SCSI(SAS)这样的接口协议来与存储系统1000通信。另外，出于主机2000和存储系统1000之间的数据通信目的而提供的接口协议不限于以上示例，并且可以是诸如通用串行总线(USB)、多媒体卡(MMC)、增强型小型磁盘接口(ESDI)或集成型驱动电子器件(IDE)这样的接口协议。存储控制器1200可以控制存储系统1000的整体操作并且可以控制主机2000和存储装置1100之间的数据交换。例如，存储控制器1200可以响应于来自主机2000的请求，通过控制存储装置1100来对数据进行编程或读取。另外，存储控制器1200可以存储关于存储装置1100中包括的主存储块和辅存储块的信息，并且可以选择存储装置1100，使得根据针对编程操作加载的数据量对主存储块或辅存储块执行编程操作。在实施方式中，存储装置1100可以包括双倍数据速率同步动态随机存取存储器(DDRSDRAM)、低功率DDRS本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储装置，该存储装置包括：存储块，该存储块包括多个页；外围电路，该外围电路被配置成依次对所述页进行编程；以及控制逻辑，该控制逻辑被配置成控制所述外围电路，使得编程电压被施加至与从所述页当中选择的页联接的字线，使得不同的通过电压被施加至与除了被选页之外的未选页当中的已经执行编程操作的页联接的全部或一些字线以及与所述未选页当中的尚未执行所述编程操作的页联接的字线。

【技术特征摘要】
2017.01.05 KR 10-2017-00018751.一种存储装置，该存储装置包括：存储块，该存储块包括多个页；外围电路，该外围电路被配置成依次对所述页进行编程；以及控制逻辑，该控制逻辑被配置成控制所述外围电路，使得编程电压被施加至与从所述页当中选择的页联接的字线，使得不同的通过电压被施加至与除了被选页之外的未选页当中的已经执行编程操作的页联接的全部或一些字线以及与所述未选页当中的尚未执行所述编程操作的页联接的字线。2.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述存储块被形成为所述页在水平方向布置在基板上的二维2D结构或者所述页在垂直方向布置在所述基板上的三维3D结构。3.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述外围电路包括电压发生电路，所述电压发生电路被配置成产生：被施加至与所述被选页联接的字线的所述编程电压，以及被施加至与所述未选页联接的字线的所述通过电压。4.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述控制逻辑被配置成控制所述外围电路，使得当所述存储块的所述编程操作开始时，确定在要执行所述编程操作的页中是否包括已经执行所述编程操作的页，从而基于所确定的结果来产生所述通过电压。5.根据权利要求4所述的存储装置，其中，所述控制逻辑被配置成：控制所述外围电路，使得当所述存储块中包括已经执行所述编程操作的页时，向与已经执行所述编程操作的未选页联接的字线的全部或一些施加第一通过电压，并且使得向与尚未执行所述编程操作的未选页联接的字线施加比所述第一通过电压低的第二通过电压，并且控制所述外围电路，使得当所述存储块中不包括已经执行所述编程操作的页时，向与所述未选页联接的字线施加所述第二通过电压。6.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述控制逻辑被配置成控制所述外围电路，使得当向与已经执行所述编程操作的所述未选页联接的字线中的一些施加第一通过电压时，向与已经执行所述编程操作的所述未选页当中的剩余页联接的字线施加第二通过电压。7.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述控制逻辑被配置成控制所述外围电路，使得：将在所述页当中设置的参考页与所述被选页进行比较，并且在所述被选页到达所述参考页之前和在所述被选页到达所述参考页之后，所述通过电压被产生为不同的电压。8.根据权利要求7所述的存储装置，其中，关于所述参考页的信息被存储在所述控制逻辑中或者所述存储块的标志区域中。9.根据权利要求7所述的存储装置，其中，所述控制逻辑被配置成控制所述外围电路，使得在所述被选页到达所述参考页之前，向与所述未选页当中的尚未执行所述编程操作的页联接的字线施加第三通过电压，并且使得向与已经执行所述编程操作的页联接的字线施加所述第三通过电压或者比所述第三通过电压...

【专利技术属性】
技术研发人员：李熙烈，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR