耗材芯片存储器电压反馈方法及耗材芯片技术

本发明专利技术涉及打印机耗材技术领域，尤其涉及耗材芯片存储器电压反馈方法及耗材芯片。根据存储器输出数据的高M位数据电平切换反馈类型并且根据所述输出数据的低N‑M位数据电平，调整反馈电压；其中：所述N位数据为可改写数据时，所述高M位数据电平对应的反馈类型为第一反馈类型；所述N位数据为不可改写数据时，所述高M位数据电平对应的反馈类型为第二反馈类型；所述N为数据为被改写后的不可改写数据时，所述高M位数据对应的反馈类型为第三类型；所述第二反馈类型和所述第三反馈类型的反馈电压的区间不同。

【技术实现步骤摘要】
耗材芯片存储器电压反馈方法及耗材芯片
本专利技术涉及打印机耗材
，尤其涉及耗材芯片存储器电压反馈方法及耗材芯片。
技术介绍
如图1所示为现有技术中耗材芯片与成像设备的系统示意图。成像设备包括读写控制电路和ADC电压检测电路；耗材芯片包括译码电路和存储电路。耗材芯片存储电路通过成像系统的ID线分别与成像设备的读写控制电路和ADC电压检测电路电连接。耗材芯片存储电路包括多个存储模块，每个存储模块用于存储耗材芯片的一个N位数据。每个存储模块包括N个位数据存储单元分别对应存储N位数据中的每一位数据。各位数据存储单元又包括四种不同类型的反馈电路，数据存储单元根据译码电路输出信号选择对应的反馈电路来存储位数据并输出反馈电压至成像设备。成像设备会检测耗材芯片的反馈电压是否满足打印成像设备的要求，并且记录多个耗材芯片所有数据的反馈电压，当耗材芯片的反馈电压与记录的其中一颗耗材芯片所有数据的反馈电压一致时，打印成像设备会报错。这要求每一个耗材芯片中每个数据对应的反馈电压值不一致。打印成像设备会对存储单元发生写入动作后检测相应的反馈电压，当存储可改写数据的耗材芯片对应的存储单元的反馈电压区间发生变化后，打印成像模块会报错。
技术实现思路
本专利技术为解决上述技术问题，本专利技术提供一种耗材芯片存储器电压反馈方法，其特征在于，包括：根据存储器输出数据的高M位数据电平切换反馈类型并且根据所述输出数据的低N-M位数据电平，调整反馈电压；其中：所述N位数据为可改写数据时，所述高M位数据电平对应的反馈类型为第一反馈类型；所述N位数据为不可改写数据时，所述高M位数据电平对应的反馈类型为第二反馈类型；所述N为数据为被改写后的不可改写数据时，所述高M位数据对应的反馈类型为第三类型；所述第二反馈类型和所述第三反馈类型的反馈电压的区间不同。上述技术方案中，所述存储器的反馈电压根据其输出数据的低N-M位数据值（即电平）的不同而不同，可以实现每个耗材芯片中每个数据对应的反馈电压均不一致。根据所述存储器输出数据的高M数据值（即电平）控制该反馈电路的反馈电压是否能因为成像设备的写入动作而发生改变：当成像设备对可改写的数据进行改写时，该数据对应的反馈电压并不会因为成像设备的写入动作而导致读取时反馈电压区间变化；当成像设备对不可改写的数据进行改写时，该数据对应的反馈电压区间会因为成像设备的写入动作而导致读取时反馈电压变化。作为优选，M大于等于2；不可改写数据的最高位数据电平与被改写后的不可改写数据的最高位数据电平不同。在成像设备对耗材芯片进行写入操作时，只允许对数据的最高几位进行写入动作，根据最高位数据电平可以反映数据是否被改写。作为优选，所述第二反馈类型和所述第一反馈类型的反馈电压的区间相同。作为优选，当所述输出数据的低N-M位数据电平均相同时，反馈电压等于电源电压。作为优选，存储电路，包括用于存储不可改写数据的第一存储单元、用于存储可写数据的第二存储单元、用于输出某一存储单元的数据的位数据输出端；反馈电路，与各所述位数据输端电连接以接收所述存储电路输出的数据；所述反馈电路，对于存储在不同的存储单元中的数据，输出不同的反馈电压；所述反馈电路，对于存储在同一个第一存储单元中的不可改写数据，在所述不可该写数据被改写前和被改写后输出的反馈电压区间不同；所述反馈电路，对于存储在同一个第二存储单元中的可改写数据，在所述可改写数据被改写前和被改写后输出的反馈电压区间相同。上述技术方案中，所述的反馈电路对于存储在不同的存储单元中的数据输出不同的反馈电压，可以实现每个耗材芯片中每个数据对应的反馈电压均不一致。所述反馈电路当成像设备对可改写的数据进行改写时，该数据对应的反馈电压区间并不会因为成像设备的写入动作而导致读取时反馈电压变化；当成像设备对不可改写的数据进行改写时，该数据对应的反馈电压区间会因为打印成像设备的写入动作而导致读取时反馈电压变化。作为优选，所述反馈电路，包括反馈模块；所述反馈模块根据所述存储电路输出的数据切换反馈类型；所述反馈类型包括第一反馈类型、第二反馈类型和第三反馈类型，所述第一反馈类型和所述第二反馈类型的反馈电压区间相同，所述第二反馈类型和所述第三反馈类型的所述反馈模块的反馈电压区间不同；所述反馈电路，对于存储在同一第一存储单元中的不可改写数据，在所述不可改写数据被改写前为第二反馈类型，在所述不可改写数据被改写后为第三反馈类型。所述反馈电路通过在不同反馈类型之间的切换来实现反馈电压区间的改变。作为优选，所述反馈电路，对于存储在同一第二存储单元中的可改写数据，在所述可改写数据被改写前和所述可改写数据被改写后均为第一反馈类型。使得可改写数据被改写前后的反馈电压区间不变。作为优选，所述第一反馈类型和所述第二反馈类型的所述反馈模块的反馈电压区间相同。作为优选，N个所述位数据输出端中，包括M个高位数据输出端；所述反馈模块与各所述高位数据输出端电连接，根据所述高位数据输出端的电信号切换反馈类型；所述第一反馈类型，对应高位数据输出端的第一电平组合状态；所述第二反馈类型，对应高位数据输出端的第二电平组合状态；所述第三反馈类型，对应高位数据输出端的第三电平组合状态；其中，所述第一电平组合状态是指当所述存储电路输出的数据为所述可改写数据时，所述高位数据输出端的电平组合状态；所述第二电平组合状态是指当所述存储电路输出的数据为所述不可改写数据时，所述高位数据输出端的电平组合状态；所述第三电平组合状态是指当所述存储电路输出的数据为被改写后的所述不可改写数据时，所述高位数据输出端的电平组合状态。作为优选，M大于等于2；所述第二电平组合状态的最高位电平与对应的第三电平组合状态的最高位电平相反。在成像设备对耗材芯片进行写入操作时，只允许对数据的最高几位进行写入动作，根据最高位数据电平可以反映数据是否被改写。作为优选，当N-M个所述低位数据数据端的电平均相同时，所述反馈输出端的电压等于电源电压。作为优选，所述反馈模块包括选通单元、反馈电压调整单元、反馈类型切换单元，所述反馈类型切换单元电连接所述反馈电压调整单元和所述选通单元；所述选通单元和所述反馈电压调整单元串联在所述反馈模块的输出端和地之间；所述类型切换单元与所述高位数据输出端电连接，根据所述高位数据输出端的电平组合状态，切换反馈类型；所述反馈电压调整单元与低位数据输出端电连接，根据所述低位数据输出端的电平组合状态，调整所述反馈输出端的电压。作为优选，所述反馈电压调整单元包括多个相互并联的电压调整组件；所述电压调整组件包括调压晶体管和第一调压控制元件，所述第一调压控制元件电连接所述调压晶体管，以将所述调压晶体管接入所述反馈电压调整单元或者将所述调压晶体管从所述反馈电压调整单元移除；所述电压调整组件与所述低位数据输出端一一对应，所述电压调整组件的第一调压控制元件与对应的低位数据输出端电连接。作为优选，所述调压晶体管为NMOS管，所述第一调压控制元件电连接所述调压晶体管的漏极和栅极；所述第一调压控制元件能够将所述调压晶体管的漏极和栅极短接；所述第一调压控制元件能够将所述调压晶体管的栅极拉到地电位。作为优选，所述反馈类型切换单元包括运放元件、切换晶体管、反馈电阻、第一切换控制元件、第二切换控制元件和第三切换控制元件；所述切换晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种耗材芯片存储器电压反馈方法，其特征在于，包括：根据存储器输出数据的高M位数据电平切换反馈类型并且根据所述输出数据的低N‑M位数据电平，调整反馈电压；其中：所述N位数据为可改写数据时，所述高M位数据电平对应的反馈类型为第一反馈类型；所述N位数据为不可改写数据时，所述高M位数据电平对应的反馈类型为第二反馈类型；所述N位数据为被改写后的不可改写数据时，所述高M位数据对应的反馈类型为第三类型；所述第二反馈类型和所述第三反馈类型的反馈电压的区间不同。

【技术特征摘要】
1.一种耗材芯片存储器电压反馈方法，其特征在于，包括：根据存储器输出数据的高M位数据电平切换反馈类型并且根据所述输出数据的低N-M位数据电平，调整反馈电压；其中：所述N位数据为可改写数据时，所述高M位数据电平对应的反馈类型为第一反馈类型；所述N位数据为不可改写数据时，所述高M位数据电平对应的反馈类型为第二反馈类型；所述N位数据为被改写后的不可改写数据时，所述高M位数据对应的反馈类型为第三类型；所述第二反馈类型和所述第三反馈类型的反馈电压的区间不同。2.根据权利要求1所述的一种耗材芯片存储器电压反馈方法，其特征在于：M大于等于2；不可改写数据的最高位数据电平与被改写后的不可改写数据的最高位数据电平不同。3.根据权利要求1所述的一种耗材芯片存储器电压反馈方法，其特征在于：所述第二反馈类型和所述第一反馈类型的反馈电压的区间相同。4.根据权利要求3所述的一种耗材芯片存储器电压反馈方法，其特征在于：当所述输出数据的低N-M位数据电平均相同时，反馈电压等于电源电压。5.一种耗材芯片，其特征在于，包括：存储电路，包括用于存储不可改写数据的第一存储单元、用于存储可写数据的第二存储单元、用于输出某一存储单元的数据的位数据输出端；反馈电路，与各所述位数据输端电连接以接收所述存储电路输出的数据；所述反馈电路，对于存储在不同的存储单元中的数据，输出不同的反馈电压；所述反馈电路，对于存储在同一个第一存储单元中的不可改写数据，在所述不可该写数据被改写前和被改写后输出的反馈电压区间不同；所述反馈电路，对于存储在同一个第二存储单元中的可改写数据，在所述可改写数据被改写前和被改写后输出的反馈电压区间相同。6.根据权利要求5所述的一种耗材芯片，其特征在于，包括：所述反馈电路，包括反馈模块；所述反馈模块根据所述存储电路输出的数据切换反馈类型；所述反馈类型包括第一反馈类型、第二反馈类型和第三反馈类型，所述第一反馈类型和所述第二反馈类型的反馈电压区间相同，所述第二反馈类型和所述第三反馈类型的所述反馈模块的反馈电压区间不同；所述反馈电路，对于存储在同一第一存储单元中的不可改写数据，在所述不可改写数据被改写前为第二反馈类型，在所述不可改写数据被改写后为第三反馈类型。7.根据权利要求6所述的一种耗材芯片，其特征在于：所述反馈电路，对于存储在同一第二存储单元中的可改写数据，在所述可改写数据被改写前和所述可改写数据被改写后均为第一反馈类型。8.根据权利要求7所述的一种耗材芯片，其特征在于：所述第一反馈类型和所述第二反馈类型的所述反馈模块的反馈电压区间相同。9.根据权利要求7所述的一种耗材芯片，其特征在于：N个所述位数据输出端中，包括M个高位数据输出端；所述反馈模块与各所述高位数据输出端电连接，根据所述高位数据输出端的电信号切换反馈类型；所述第一反馈类型，对应高位数据输出端的第一电平组合状态；所述第二反馈类型，对应高位数据输出端的第二电平组合状态；所述第三反馈类型，对应高位数据输出端的第三电平组合状态；其中，所述第一电平组合状态是指当所述存储电路输出的数据为所述可改写数据时，所述高...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡容铭，
申请(专利权)人：杭州旗捷科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33