能够测量温度的存储器模块及使用其的系统技术方案

本发明专利技术公开了一种存储器模块。存储器模块可以包括热电偶和温度传感器。热电偶可以联接到形成在区域上的多个接触点中的至少一个接触点，存储器装置被配置成安装在该区域上。温度传感器可以联接到热电偶，并且可以被配置成产生温度信息。

【技术实现步骤摘要】
能够测量温度的存储器模块及使用其的系统相关申请的交叉引用本申请要求于2017年1月5日向韩国知识产权局提交的韩国申请号为10-2017-0001726的优先权，其全部内容通过引用并入本文。
各个实施例通常可以涉及一种半导体技术，更具体地，涉及一种存储器模块及使用其的系统。
技术介绍
电子装置包括许多电子元件，并且计算机系统包括含有半导体设备的电子元件。作为代表性的电子装置的计算机系统包括用作主机的处理器和用作数据存储装置的存储器。特别地，多个存储器可以形成在模块中，可以安装在存储器系统中，并且可以用作临时存储装置。代表性的模块是双列直插式存储器模块(DIMM)。通常，DIMM包括多个DRAM，并且通过多个DRAM与处理器进行数据通信。由于DRAM包括含有电容器的存储器单元，所以DRAM具有与温度敏感性相关的特性。因此，必须测量存储器模块中的DRAM的温度，以提供系统的可靠性。
技术实现思路
在实施例中，可以提供一种存储器模块。存储器模块可以包括含有区域的模块衬底，存储器装置可以被配置成安装在该区域上，其中多个接触点可以形成在该区域上。存储器模块可以包括联接到多个接触点中的至少一个接触点的热电偶。存储器模块可以包括联接到热电偶并且被配置成产生温度信息的温度传感器。在实施例中，可以提供一种存储器模块。存储器模块可以包括含有多个区域的模块衬底，多个存储器装置可以被配置成安装在该区域上，其中多个接触点可以形成在多个区域中的每一个上。存储器模块可以包括联接到各个区域的多个接触点中的至少一个接触点的多个热电偶。存储器模块可以包括联接到多个热电偶并且被配置成产生多个温度信息的温度传感器。附图说明图1是说明表示根据实施例的存储器模块的示例的简图。图2是说明表示根据实施例的存储器模块的示例的简图。图3是说明表示图2的温度传感器的示例的简图。图4是说明表示根据实施例的系统的示例的简图。图5是说明表示根据实施例的系统的示例的简图。具体实施方式在下文中，将通过各个实施例并参照附图来描述根据实施例的半导体设备。图1是说明表示根据实施例的存储器模块1的示例的简图。存储器模块1可以包括模块衬底110和多个存储器装置121、123和124。多个存储器装置121、123和124可以安装在模块衬底110上。多个存储器装置121、123和124可以包括一个或多个易失性存储器和非易失性存储器。易失性存储器可以包括例如但不限于静态RAM(SRAM)、动态RAM(DRAM)和同步DRAM(SDRAM)。非易失性存储器可以包括例如但不限于只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电擦除和可编程ROM(EEPROM)、电可编程ROM(EPROM)、闪速存储器、相变RAM(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻RAM(RRAM)，铁电RAM(FRAM)等。模块衬底110可以包括多个存储器装置121、123和124安装在其上的多个区域111、112、113和114。参照图1，为了描述根据实施例的存储器模块1，示例性地示出了多个存储器装置121、123和124安装在多个区域111、112、113和114的一些区域111、113和114上，而存储器装置未安装在区域112上。存储器装置可以安装在区域112上。多个区域111、112、113和114中的每一个可以包括如图1的区域112中所示的多个接触点131和132。多个接触点131和132中的每个可以是焊料接触点。当多个存储器装置121、123和124安装在模块衬底110上时，接触点131可联接到多个存储器装置121、123和124。导线可以形成在模块衬底110上，并且可以联接到模块引脚140。模块引脚140可以是存储器模块1通过其联接到外部装置的通道或链路(link)。模块引脚140可以插入设置在主板(未示出)上的插槽中。因此，多个存储器装置121、123和124可以通过多个接触点131和132以及模块衬底110的电线和模块引脚140联接到外部装置并且可以与外部装置进行通信。存储器模块1可以包括热电偶150和温度传感器160。热电偶150可以包括比热彼此不同的两种金属。在实施例中，例如，热电偶150可以包括两种金属，每种金属具有不同于另一种金属的热导率。热电偶150可以形成在模块衬底110上。热电偶150可以包括第一金属线A和第二金属线B。第一金属线A和第二金属线B可以具有彼此不同的比热。在实施例中，例如，第一金属线A和第二金属线B可以具有彼此不同的热导率。例如，第一金属线A可以由例如但不限于铜(Cu)形成，并且第二金属线B可以由例如但不限于铝(Al)形成，这将不会限制实施例。具有彼此不同比热的任何金属可作为第一金属线A和第二金属线B。在实施例中，例如，具有彼此不同比热导率的任何金属可作为第一金属线A和第二金属线B。热电偶150可以联接到形成在安装存储器装置121、123和124的多个区域111、112、113和114上的多个接触点131和132中的至少一个。例如，热电偶150可以联接到接触点132。联接到热电偶150的接触点132可以不联接到安装在区域112上的存储器装置。温度传感器160可以联接到热电偶150。温度传感器160可以根据与热电偶150的连接来产生温度信息。例如，温度传感器160可以包括冷接点或参考接点，并且可以感测热电偶150的热导率中的差异。温度传感器160可以通过感测由热电偶150的热导率的差异引起的电流或电压来产生温度信息。如稍后将描述的，温度传感器160可以包括模拟数字转换器，从感测的电流或感测的电压产生数码信号，并且可以提供数码信号作为温度信息。温度传感器160可以通过温度总线161联接到模块引脚140。温度总线161可以是形成在模块衬底110上的导线之一。温度传感器160可以通过温度总线161联接到外部装置(未示出)。外部装置可以是与存储器模块1通信的存储器控制器或主机。温度传感器160可以根据与外部装置的连接来测量存储器模块1和多个存储器装置121、123和124的温度。例如，温度传感器160可以产生温度信息，并且可以响应于从外部装置提供的命令将温度信息提供给外部装置。如上所述，多个存储器装置121、123和124可以分别安装在多个区域111、112、113和114上。因此，尽管接触点没有联接到多个存储器装置121、123和124，但是形成在多个存储器装置121、123和124下面的接触点的温度可以根据多个存储器装置121、123和124的温度而变化。因此，可以通过联接到接触点的热电偶150和联接到热电偶150的温度传感器160来测量多个存储器装置121、123和124的温度。存储器模块1可以以包括例如但不限于以下模块中的一个实施：无缓冲双列直插式存储器模块(UDIMM)、双列直插式存储器模块(DIMM)、寄存型双列直插式存储器模块(RDIMM)、负载减少双列直插式内存模块(LRDIMM)、小型双列直插式内存模块(SODIMM)和非易失性双列直插式内存模块(NVDIMM)。存储器模块110可以是包括能够对存储器控制器或主机执行基本类似的操作的高级存储器缓冲器的一个。图2是说明表示根据实施例的存储器模块2的示例的简图。参照图2，存储器模块2可以包括模块衬底21本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器模块，其包括：模块衬底，其包括存储器装置被配置成安装在其上的区域，其中，在所述区域上形成多个接触点；热电偶，其联接到所述多个接触点中的至少一个接触点；和温度传感器，其联接到所述热电偶，并且被配置成产生温度信息。

【技术特征摘要】
2017.01.05 KR 10-2017-00017261.一种存储器模块，其包括：模块衬底，其包括存储器装置被配置成安装在其上的区域，其中，在所述区域上形成多个接触点；热电偶，其联接到所述多个接触点中的至少一个接触点；和温度传感器，其联接到所述热电偶，并且被配置成产生温度信息。2.根据权利要求1所述的存储器模块，其中，所述存储器装置通过所述多个接触点中的至少一个接触点安装到所述区域。3.根据权利要求2所述的存储器模块，其中，联接到所述热电偶的所述至少一个接触点不联接到所述存储器装置。4.根据权利要求1所述的存储器模块，其中，所述热电偶由比热彼此不同的两种不同的金属形成。5.根据权利要求1所述的存储器模块，其中，所述热电偶由热导率彼此不同的两种不同的金属形成。6.根据权利要求4所述的存储器模块，其中，所述温度传感器通过感测所述两种金属的热导率之间的差异来产生温度信息。7.一种存储器模块，其包括：模块衬底，其包括多个存储器装置被配置成安装在其上的多个区域，其中，在所述多个区域中的每一个上形成多个接触点；多个热电偶，其联接到各个区域的所述多个接触点中的至少一个接触点；和温度传感器，其联接到所述多个热电偶并且被配置成产生多个温度信息。8.根据权利要求7所述的存储器模块，其中，所述多个存储器装置通过所述多个区域中的每一个区域中形成的所述多个接触点中的...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹铉柱，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR