The invention discloses a starting circuit for bandgap reference circuit, which includes the first effect tube, the second field effect tube, the third field effect tube and the four effect tube, the gate of the first effect tube and the source are connected with the external power, the leakage pole of the first effect tube and the leakage of the second field effect tube and the third field effect The gate of the tube and the gate of the fourth field effect tube are connected together, the gate of the second field effect tube is connected with the bandgap reference circuit, the drain pole of the third field effect tube is connected with the bandgap reference circuit, the source pole of the third field effect tube, the drain pole of the fourth field effect tube, the source and the source of the two field effect tube are all grounded. The starting circuit of the invention has simple structure. After the bandgap reference circuit is completed, the static power consumption is no longer produced, and the loss of energy consumption is reduced, and the resistance is not used in the start-up circuit of the invention, and the area of the chip is reduced.
【技术实现步骤摘要】
用于带隙基准电路的启动电路
本专利技术涉及集成电路领域,更具体地涉及一种用于带隙基准电路的启动电路。
技术介绍
带隙基准电路(如图1所示)被广泛用于各类CMOS集成电路中,其作用是产生一个不随环境温度、电源电压变化的恒定基准电压。带隙基准电路的原理简述如下:具有相同尺寸的P型MOS管M1、M2、M3构成电流镜结构,使得流经它们漏极的电流大小均为I1。由于运算放大器OP1具有较高的直流开环增益,其正负输入端节点Vx1、Vx2的电压相同。由于MOS管M2的漏极电流同样经过电阻R1,因此电流I1满足:Vx1为双极结型晶体管Q1的发射极节点电压,Vx3为双极结型晶体管Q2的发射极节点电压,其中,双极结型晶体管Q2的尺寸大小相当于n个双极结型晶体管Q1的并联。因此Vx1-Vx3满足上式中K表示玻尔兹曼常量,T表示环境绝对温度(单位为开尔文),q为单电子所带电荷量。可以看出上式与环境温度T正相关。此电路的输出基准电压Vref满足上式中Vbeq3表示双极结型晶体管Q3的集电极到基极的电压,其大小与环境温度负相关。调节电阻R2、R1的大小可以使得上式中Vbeq3和R2*K*T*ln(n)/(R1*q)两项与温度的变化关系正负抵消,从而使得基准电压Vref与环境温度无关。另外上式中基准电压Vref也与供电电压VDD无关,因此可以通过图1所示的带隙基准电路得到一与环境温度和供电电压无关的电压基准Vref(大小通常为1.2V)。众所周知地,带隙基准电路存在一个非理想稳定态,即当节点Vbp的电压值等于供电电压VDD时,MOS管M1、M2、M3全部截止,电流I1大小等于零,基准电压 ...
【技术保护点】
1.一种用于带隙基准电路的启动电路,其特征在于,包括第一场效应管、第二场效应管、第三场效应管及第四场效应管,所述第一场效应管的栅极、源极均与外部电源连接,所述第一场效应管的漏极与第二场效应管的漏极、第三场效应管的栅极、第四场效应管的栅极共同连接,所述第二场效应管的栅极与所述带隙基准电路连接,所述第三场效应管的漏极与所述带隙基准电路连接,所述第三场效应管的源极、第四场效应管的漏极、源极及第二场效应管的源极均接地。
【技术特征摘要】
1.一种用于带隙基准电路的启动电路,其特征在于,包括第一场效应管、第二场效应管、第三场效应管及第四场效应管,所述第一场效应管的栅极、源极均与外部电源连接,所述第一场效应管的漏极与第二场效应管的漏极、第三场效应管的栅极、第四场效应管的栅极共同连接,所述第二场效应管的栅极与所述带隙基准电路连接,所述第三场效应管的漏极与所述带隙基准电路连接,所述第三场效应管的源极、第四场效应管的漏极、源极及第二场效应管的源极均接地。2.如权利要求1所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员:何力,
申请(专利权)人:四川和芯微电子股份有限公司,
类型:发明
国别省市:四川,51
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