The invention discloses a three component PSN PZT piezoelectric ceramic chip and a preparation method thereof. The formula for the formula of the three element PSN PZT piezoelectric ceramic is: Pb1 x yMxZy (Sb1/3Nb2/3) 0.02 (Zr1/2Ti1/2) 0.98+zwt%Bi2O3, x=0 to 0.17, y=0 to 0.1, z=0 to 0.4, and at least two of M. The preparation method is: drying, crushing and sieving each material after ball milling, then drying, grinding and sieving, then mixing, granulation and pressing the billet with polyvinyl alcohol, 1200~1280 C after 350~630 DEG C and then fired into ceramic slices, and the surface of the ceramic sheet is treated with silver, silver and polarization. The three element PSN PZT piezoelectric ceramic plate prepared by the method and the raw material provided by the formula of the formula of the invention has the advantages of high dielectric constant, high piezoelectric constant, large electromechanical coupling coefficient and suitable Curie temperature, and is suitable for the preparation of a piezoelectric pump drive chip and a piezoelectric actuator chip. A piezoelectric ceramic sheet and a preparation method thereof.
【技术实现步骤摘要】
三元系PSN-PZT压电陶瓷片及其制备方法
本专利技术涉及一种压电陶瓷片、以及制备该压电陶瓷片的方法,尤其涉及一种三元系PSN-PZT压电陶瓷片及其制备方法。
技术介绍
自从居里兄弟首次发现压电效应,经过一百多年的不断革新与发展,压电陶瓷材料已被广泛应用于航空航天、车用电子、无线通信、传感技术和宽带互联网等领域,并在军事装备中占据着重要的地位。PZT压电陶瓷材料与BaTiO3压电陶瓷相比,由于具有较高的介电常数、压电常数与机电耦合系数,因而得到了广泛的应用。随着电子工业的不断发展,对压电陶瓷材料的介电性能、压电性能等参数提出了越来越高的要求,传统的二元系PZT陶瓷已不能满足更高的市场需要。因此,学者们对三元系与四元系的压电陶瓷进行了广泛的研究与探索,以满足市场对高介电、高压电材料性能的需求。目前,国内学者对三元系压电材料等进行了研究,如:Pb1-y-zSryBaz(Mg1/3Nb2/3)xTimZrnO3+pwt.%La2O3Pb1-mSrm(Mg1/3Nb2/3)xTiyZrzO3+awt.%NiO+bwt.%SiO2+cwt.%La2O3+dwt.%Sm2O30.41[xPb(Mg1/2W1/2)O3+yPb(Sb1/2Nb1/2)O3+(1-x-y)Pb(Ni1/3Nb2/3)O3]+0.59Pb(ZrzTi1-z)O3但其压电应变常数d33最高也只达到了850pC/N。而压电器件向小型化、轻量化、高保真、大功率、智能化和多功能方向发展,对压电陶瓷介电常数和压电常数提出了越来越高的要求,因此开发具有更高压电常数的材料迫在眉睫。
技术实现思路
针对现有技术 ...
【技术保护点】
1.一种三元系PSN‑PZT压电陶瓷片,其特征在于配方化学计量通式为:Pb1‑x‑yMxZy(Sb1/3Nb2/3)0.02(Zr1/2Ti1/2)0.98+zwt%Bi2O3,其中,x=0~0.17、y=0~0.1、z=0~0.4,M、Z为SrCO3、BaCO3或CaCO3中的至少两种。
【技术特征摘要】
1.一种三元系PSN-PZT压电陶瓷片,其特征在于配方化学计量通式为:Pb1-x-yMxZy(Sb1/3Nb2/3)0.02(Zr1/2Ti1/2)0.98+zwt%Bi2O3,其中,x=0~0.17、y=0~0.1、z=0~0.4,M、Z为SrCO3、BaCO3或CaCO3中的至少两种。2.根据权利要求1所述的三元系PSN-PZT压电陶瓷片,其特征在于:所述配方化学计量通式中的0<x≤0.15、0<y≤0.1、0<z≤0.4。3.根据权利要求1所述的三元系PSN-PZT压电陶瓷片,其特征在于:所述配方化学计量通式中的0.07<x<0.14,0<y<0.08,0<z≤0.35。4.一种制备权利要求1~3中任意一项所述的三元系PSN-PZT压电陶瓷片的方法,其特征在于其制备方法如下:1)将所述配方化学计量通式中的原料与去离子水混合、球磨4h,得到第一浆料;球磨机转速为480r/min;2)将所述第一浆料于110~130℃下烘干,粉碎、过40~60目筛,得第一筛下物;3)将所述第一筛下物置于炉内,按2.5℃/min的速率升温至950~1150℃、保温2~4h,冷却,得预烧物料;4)将所述预烧物料与去离子水混合、再次球磨4h,得到第二浆料;球磨机转速为480r/min;5)将所述第二浆料于110~130℃下烘干,粉碎、过4...
【专利技术属性】
技术研发人员:戴昭波,刘长流,张珍宣,张玉芬,陈键,高智红,
申请(专利权)人:贵州振华红云电子有限公司,贵州振华电子信息产业技术研究有限公司,
类型:发明
国别省市:贵州,52
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