The invention discloses a preparation method of Mo doped graphite phase carbon nitride nanoscale powder. Using melamine, sodium molybdate, thiourea and water as raw materials, the modified precursor is prepared by using sodium molybdate and thiourea to assist the hydrothermal treatment of melamine. Then the modified precursor can be calcined at high temperature to obtain the Mo doped G C3N 4 nanoscale powder. The invention also discloses the Mo doped g C3N4 nano powder prepared by the above method. The obtained Mo doped g C3N4 nano powders are nanoscale with high specific surface area, and the metal element Mo can optimize the band structure in the G C3N4 skeleton, which provides more traps for the capture of photoelectrons and holes for G C3N4, which effectively improves the photocatalytic performance of the material. The method has the advantages of simple reaction process, easy control, low cost of raw materials, and no special requirement for equipment, and is suitable for large-scale industrial production.
【技术实现步骤摘要】
一种Mo掺杂石墨相氮化碳纳米片粉末及其制备方法
本专利技术属于光催化材料制备
,具体涉及一种Mo掺杂石墨相氮化碳纳米片粉末的制备方法,还涉及采用上述方法制备得到的Mo掺杂石墨相氮化碳纳米片粉末。
技术介绍
清洁能源和可再生能源是人类社会发展的必然选择,以解决能源短缺和环境恶化问题。氢气已被公认为最理想的清洁燃料,其燃烧产物是水,无二次污染。g-C3N4作为一种太阳光响应的半导体材料在光催化领域已经受到了人们的广泛关注。传统的体相g-C3N4对紫外可见光的吸收截止波长约在460nm,使其在光解水制氢方面有着重要的应用和商业价值。文献报道:g-C3N4的光催化性能与其电子结构,比表面积,微观形貌直接相关。而传统方法所制备的体相g-C3N4比表面积小、对可见光响应范围窄、光生电子和空穴极易快速复合、光量子效率低的缺点严重制约了其光催化性能的提高。因此,通过g-C3N4改性提高其光催化效率的研究受到人们的广泛青睐。常规g-C3N4改性策略主要包括:形貌调控、负载贵金属、构建异质结和金属/非金属掺杂。特别是,掺杂改性主要是针对g-C3N4独特的二维结构骨架间原子替换或者引入,通过改变其电子结构调控价带和导带能级位置来优化光催化性能,是实现能级调控的最为有效的方法之一。近年来,利用金属元素(例如:Fe、Zn、K、Na、Cs、Rb)掺杂g-C3N4提高光催化性能的文献报道受到了人们的重视,然而,目前有关Mo掺杂g-C3N4的研究尚少见文献报道,且光催化性能增强机制尚不明确。因此,本专利技术提供了一种前驱体改性制备Mo掺杂g-C3N4策略,首先选择三聚氰胺、钼酸钠、 ...
【技术保护点】
1.一种Mo掺杂石墨相氮化碳纳米片粉末的制备方法,其特征在于,具体按照以下步骤实施:步骤1,改性前驱体的制备:将三聚氰胺、钼酸钠、硫脲、去离子水加入反应釜中,搅拌均匀,放入烘箱中进行水热反应,得到固液混合物;然后对固液混合物进行洗涤、干燥,得到改性前驱体;步骤2,Mo掺杂g‑C3N4纳米片粉末的制备:对步骤1得到的改性前驱体进行高温煅烧,即得到Mo掺杂g‑C3N4纳米片粉末。
【技术特征摘要】
1.一种Mo掺杂石墨相氮化碳纳米片粉末的制备方法,其特征在于,具体按照以下步骤实施:步骤1,改性前驱体的制备:将三聚氰胺、钼酸钠、硫脲、去离子水加入反应釜中,搅拌均匀,放入烘箱中进行水热反应,得到固液混合物;然后对固液混合物进行洗涤、干燥,得到改性前驱体;步骤2,Mo掺杂g-C3N4纳米片粉末的制备:对步骤1得到的改性前驱体进行高温煅烧,即得到Mo掺杂g-C3N4纳米片粉末。2.根据权利要求1所述的一种Mo掺杂石墨相氮化碳纳米片粉末的制备方法,其特征在于,所述步骤1中三聚氰胺与去离子水的质量比为1:60~1:2,钼酸钠与去离子水的质量比为1:1000~1:100,硫脲与去离子水的质量比为1:20~1:5。3.根据权利要求1所述的一种Mo掺杂石墨相氮化碳纳米片粉末的制备方法,其特征在于,所述步骤1中水热...
【专利技术属性】
技术研发人员:孙少东,梁淑华,李佳,苟旭峰,崔杰,杨卿,
申请(专利权)人:西安理工大学,
类型:发明
国别省市:陕西,61
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