The utility model discloses a silicon heating diffusion furnace, which comprises a furnace body and a plurality of furnace tubes arranged in the furnace body, a control cabinet is provided on the furnace body, and the transverse section of the furnace pipe is arranged in the furnace body, and the two ends of the furnace pipe are set to the furnace mouth and the tail, and the furnace mouth and the tail are provided with a furnace door on the furnace body. The central part of the furnace tube, the tail of the furnace and the middle of the furnace tube is respectively provided with a heating element, and a quartz layer is set in the furnace tube, and the outer surface of the furnace tube and the outer surface of the furnace are set up with asbestos pads and asbestos rings respectively. The control cabinet monitors and controls the temperature of the furnace in real time. The outer surface of the furnace mouth and the tail of the utility model is separately set up with asbestos pads and asbestos rings, which can achieve the heat preservation of the furnace mouth and the tail of the furnace, so as to prevent the heat dissipation of the furnace mouth, the tail of the furnace and the three points in the middle of the furnace tube to affect the quality of the product. Therefore, the utility model adopts the above structure to ensure not only the product, but also the product. The quality of the furnace can also prevent the deformation of the furnace mouth and furnace due to the high temperature of the furnace door due to heat dissipation.
【技术实现步骤摘要】
一种硅片加热扩散炉
本技术涉及半导体
,具体涉及一种硅片加热扩散炉。
技术介绍
扩散炉是集成电路生产线前工序的中药工艺设备之一,它的主要用途是对硅片的正极涂有硼,在高温条件下渗透,从而改变和控制半导体内杂质空隙掺杂的类型、浓度和分布,已建立不同的电性区域。对于用在1000℃~2000℃的加热扩散工艺中,其中1263℃作为产品的最佳扩散温度,当加热炉内温度升高到1263℃时,炉管的炉口和炉尾两端的温度散热快,进而导致炉口、炉尾和炉管的中部三点的温差较大,进而影响产品的质量,同时,由于炉口和炉尾的散热,热传递导致炉门上的金属部件因热胀冷缩产生变形,且炉门温度较高不便于打开。
技术实现思路
针对上述不足,本技术的目的在于,提供一种硅片加热扩散炉,其具通过设置于所述炉管的炉口和炉尾的外表面石棉垫和石棉圈,进而可达到对炉口和炉尾的保温作用,防止其散热,使炉口、炉尾和炉管的中部三点温度的一致性,保证了产品质量。为实现上述目的,本技术所提供的技术方案是:一种硅片加热扩散炉,包括炉体和设置于炉体内的多根炉管,所述炉体上设有控制柜,所述炉管相互间隔的横向装设于所述炉体内,且炉管的两端设为炉口和炉尾,且所述炉口和炉尾于所述炉体上设有炉门,所述炉管的炉口、炉尾和炉管的中部分别设有加热元件,所述炉管内设有石英层,且炉管的炉口和炉尾的外表面分别套设有石棉垫和石棉圈,所述控制柜实时监控和控制炉体内的温度。优选的,所述炉管连接有氮气管,用于向炉管内注入氮气防止硅片出现氧化的情况。优选的,所述控制柜通过控制系统控制,且所述控制系统连接有电源模块、加热模块、温控模块、温度补偿模块和气流控制模 ...
【技术保护点】
1.一种硅片加热扩散炉,其特征在于:包括炉体(1)和设置于炉体(1)内的多根炉管(2),所述炉体(1)上设有控制柜(3),所述炉管(2)相互间隔的横向装设于所述炉体(1)内,且炉管(2)的两端设为炉口(2a)和炉尾(2b),且所述炉口(2a)和炉尾(2b)于所述炉体(1)上设有炉门(4),所述炉管(2)的炉口(2a)、炉尾(2b)和炉管(2)的中部分别设有加热元件(5),所述炉管(2)内设有石英层(6),且炉管(2)的炉口(2a)和炉尾(2b)的外表面分别套设有石棉垫(7)和石棉圈(8),所述控制柜(3)实时监控和控制炉体(1)内的温度。
【技术特征摘要】
1.一种硅片加热扩散炉,其特征在于:包括炉体(1)和设置于炉体(1)内的多根炉管(2),所述炉体(1)上设有控制柜(3),所述炉管(2)相互间隔的横向装设于所述炉体(1)内,且炉管(2)的两端设为炉口(2a)和炉尾(2b),且所述炉口(2a)和炉尾(2b)于所述炉体(1)上设有炉门(4),所述炉管(2)的炉口(2a)、炉尾(2b)和炉管(2)的中部分别设有加热元件(5),所述炉管(2)内设有石英层(6),且炉管(2)的炉口(2a)和炉尾(2b)的外表面分别套设有石棉垫(7)和石棉圈(8),所述控制柜(3)实时监控和控制炉体(1)内的温度。2.如权利要求1所述的一种硅片加热扩散炉,其特征在于:所述炉管(2)连接有氮气管(9),用于向炉管(2)内注入氮气防止硅片出现氧...
【专利技术属性】
技术研发人员:赵阿强,
申请(专利权)人:重庆长捷电子有限公司,
类型:新型
国别省市:重庆,50
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