一种有机电致发光器件及其制备方法技术

技术编号:18428545 阅读:59 留言:0更新日期:2018-07-12 02:31
为了解决现有技术中的有机电致发光器件的发光中心猝灭机率较高的问题,本申请实施例提供一种有机电致发光器件及其制备方法。有机电致发光器件包括电子注入层,其中,所述电子注入层包括由至少一种惰性金属单质与至少一种电子传输材料形成的至少一种配位化合物,其中,所述至少一种电子传输材料具有配位能力,且包含N^O和/或N^N杂环。

【技术实现步骤摘要】
一种有机电致发光器件及其制备方法
本申请涉及有机电致发光器件领域,尤其涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。
技术介绍
随着科技的发展,有机电致发光器件的应用范围越来越广。其中,电子、空穴的再结合率(γ)是影响有机电致发光器件发光效率的一个重要因素。因此,使电子和空穴注入的更平衡,让γ值接近于1.0,是提高量子效率的最佳手段。但现在的有机电致发光器件中,空穴在发光层的数量比电子在发光层的数量多两个数量级,这导致了有机电致发光器件发光层具有较低空穴、电子的再结合率,因此降低空穴数量或提高电子注入能力是提高器件发光效率的解决手段。有机电致发光器件一般由基板、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极构成。其中,电子注入层的作用是促进自由电子由阴极向电子传输层的注入,降低驱动电压,节省资源。现有技术中的有机电致发光器件的电子注入层的材质一般为碱金属化合物,如氧化锂、氧化锂硼、碳酸钾、碳酸铯等。由碱金属化合物制成的有机电致发光器件能够有效的降低驱动电压并提高器件电流效率。另一类常使用的电子注入层的材料为碱金属氟化物,如氟化锂LiF等,尤其是LiF/Al结构具有欧姆接触的特性降低了电子的注入势垒,提高了器件的效率和降低了器件的驱动电压。但是碱金属较为活泼,不利于长时间保存,在真空蒸镀过程中容易产生絮状粉尘,这都严重影响了生产效率和产品良率。而且由于上述金属离子容易迁移至发光层,从而容易导致有机电致发光器件的发光中心猝灭。
技术实现思路
本申请实施例提供一种有机电致发光器件及其制备方法与装置,用以解决现有技术中的有机电致发光器件的发光中心猝灭的机率较高的问题。本申请实施例采用下述技术方案:一种有机电致发光器件,包括电子注入层,所述电子注入层包括由至少一种惰性金属单质与至少一种电子传输材料形成的至少一种配位化合物,其中,所述至少一种电子传输材料具有配位能力,且包含N^O和/或N^N杂环。一种有机电致发光器件的制备方法,所述有机电致发光器件包括基板、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极,所述方法包括:在所述基板上依次蒸镀上彼此层叠的所述阳极、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极,其中,在蒸镀所述电子注入层时,采用混和蒸镀的方法蒸镀至少一种惰性金属单质与至少一种电子传输材料,使得所述至少一种惰性金属单质与至少一种电子传输材料在蒸镀过程中,形成至少一种配位化合物,其中,所述至少一种电子传输材料具有配位能力,且包含N^O和/或N^N杂环。本申请实施例采用的上述至少一个技术方案能够达到以下有益效果:本申请实施例提供的有机电致发光器件中的电子注入层包括由至少一种惰性金属单质与至少一种电子传输材料形成的配位化合物。其中,所述至少一种电子传输材料具有配位能力,且包含N^O和/或N^N杂环。上述电子注入层包括的上述配位化合物的功函数较低,与电子传输层的LUMO能级相匹配,可以降低自由电子的注入势垒,减少自由电子由阴极向电子传输层注入的阻碍,因而可以促进自由电子由阴极向电子传输层的注入,降低驱动电压。另外,上述电子注入层包括的上述配位化合物性质较稳定,惰性金属离子与电子传输材料之间的络合作用较大,那么金属离子便不容易迁移至发光层,从而解决了现有技术中的有机电致发光器件的发光中心猝灭的机率较高的问题。附图说明此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解,构成本申请的一部分,本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请,并不构成对本申请的不当限定。在附图中:图1为本申请实施例提供的一种有机电致发光器件的具体结构示意图;图2为本申请实施例提供的电压与电流密度关系图;图3为本申请实施例提供的亮度与电流效率关系图。具体实施方式为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本申请具体实施例及相应的附图对本申请技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。以下结合附图,详细说明本申请各实施例提供的技术方案。为了解决现有技术中的有机电致发光器件的发光中心猝灭的机率较高的问题,本申请实施例提供一种有机电致发光器件。该有机电致发光器件可以为顶发射有机电子发光器件,也可为底发射有机电致发光器件,本申请实施例对此不进行任何限定。本申请实施例提供的一种有机电致发光器件100的具体结构示意图如图1所示。该有机电致发光器件100可以包括基板101、阳极102、空穴注入层103、空穴传输层104、发光层105、电子传输层106、电子注入层107、阴极108、与阳极102相连的导线109以及与阴极108相连的导线110。上述电子注入层107可以包括由至少一种惰性金属单质与至少一种电子传输材料形成的至少一种配位化合物,其中,所述至少一种电子传输材料具有配位能力,且包含N^O和/或N^N杂环。上述至少一种惰性金属单质可以包括但不限于钛Ti、钒V、铬Cr、锰Mn、铁Fe、钴Co、镍Ni、铜Cu、锌Zn、锆Zr、铌Nb、钼Mo、锝Tc、钌Ru、铑Rh、铅Pd、银Ag、镉Cd、钽Ta、钨W、铼Re、锇Os、铱Ir、金Au、铂Pt或汞Hg中的至少一种。其中,上述惰性金属单质在空气中较稳定,且功函数均高于4.0V。需要说明的是,上述至少一种惰性金属单质中的一种可以与阴极108的材质相同,也可以不同,本申请实施例对此不进行任何限定。优选的,至少一种惰性金属单质可以包括但不限于钴Co、镍Ni、铜Cu、钌Ru、银Ag、铱Ir、金Au或铂Pt中的至少一种。其中,该些惰性金属单质的配位能力较强,更容易与电子传输材料形成配位化合物,进而可以使得最终形成的配位化合物更加稳定。上述至少一种电子传输材料对应的至少一种电子传输主体材料可以选自具有如结构式(1)至(12)的材料中的至少一种:其中,R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8选自氢基、烷基(-CnH2n+1)、共轭芳香基团,共轭杂环、甲氧基(-OCH3)、氨基及烷基取代的氨基(-NRxH2-x)、氰基(-CN)及氰基代烷基链(-CnH2n-CN)、卤族基(-X)及卤代烷基链、醛基和酮基(-CHO、-COR2)及甲醛基代烷基链(-CnH2n-CHO)、酯基(-COOR)及酯基代烷基链(-CnH2n-COOR),或乙酰丙酮基(-COCH2COR)及乙酰丙酮基代烷基链(-CnH2n-COCH2COR)中的至少一种,所述共轭芳香基团为苯基(-Ph)、萘基或蒽基,所述共轭杂环为吡啶基(-Py)或喹啉基。上述至少一种电子传输材料可选自具有如(2-1)至(9-1)的结构式的材料中的一种:上述惰性金属单质与电子传输材料的体积比可以为1:99~99:1,或惰性金属单质与电子传输材料的质量比可以为1:99~99:1。优选的,惰性金属单质与电子传输材料的质量比可为5:95~30:70。例如,若惰性金属单质为银,电子传输材料为具备结构式(5-1)的电子传输材料,即4,7-二苯基-1,10-菲啰啉,那么银与4,7-二苯基-1,10-菲啰啉形成的配位化合物的结构式可以为:上述有机电致发光器件100中的基板101、阳极102、本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种有机电致发光器件,包括电子注入层,其特征在于,所述电子注入层包括由至少一种惰性金属单质与至少一种电子传输材料形成的至少一种配位化合物,其中,所述至少一种电子传输材料具有配位能力,且包含N^O和/或N^N杂环。

【技术特征摘要】
1.一种有机电致发光器件,包括电子注入层,其特征在于,所述电子注入层包括由至少一种惰性金属单质与至少一种电子传输材料形成的至少一种配位化合物,其中,所述至少一种电子传输材料具有配位能力,且包含N^O和/或N^N杂环。2.如权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述至少一种惰性金属单质包括钛Ti、钒V、铬Cr、锰Mn、铁Fe、钴Co、镍Ni、铜Cu、锌Zn、锆Zr、铌Nb、钼Mo、锝Tc、钌Ru、铑Rh、铅Pd、银Ag、镉Cd、钽Ta、钨W、铼Re、锇Os、铱Ir、金Au、铂Pt或汞Hg中的至少一种。3.如权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述至少一种惰性金属单质包括钴Co、镍Ni、铜Cu、钌Ru、银Ag、铱Ir、金Au或铂Pt中的至少一种。4.如权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述至少一种电子传输材料对应的电子传输主体材料选自具有如结构式式(1)至式(12)的材料中的至少一种:其中,R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8选自氢基、烷基(-CnH2n+1)、共轭芳香基团,共轭杂环、甲氧基(-OCH3)、氨基及烷基取代的氨基(-NRxH2-x)、氰基(-CN)及氰基代烷基链(-CnH2n-CN)、卤族基(-X)及卤代烷基链、醛基和酮基(-CHO、-COR2)及甲醛基代烷基链(-CnH2n-CHO)、酯基(-COOR)及酯基代烷基链(-CnH2n-COOR),或乙酰丙酮基(-COCH2COR)及乙酰丙酮基代烷基链(-CnH2n-COCH2COR)中的至少一种,所述共轭芳香基团为苯基(-Ph)、萘基或蒽基,所述共轭杂环为吡啶基(-Py)或喹啉基。5.如权利要求1所述的有机电致发光器件...

【专利技术属性】
技术研发人员:段炼宾正杨邱勇赵菲刘嵩
申请(专利权)人:昆山国显光电有限公司清华大学
类型:发明
国别省市:江苏,32

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