发光二极管封装结构及芯片级发光单元制造技术

技术编号:18428504 阅读:2 留言:0更新日期:2018-07-12 02:30
本发明专利技术公开一种发光二极管封装结构及芯片级发光单元。发光二极管封装结构包含基板、设置于基板且呈共平面的电极层与绝缘层、安装于电极层的发光二极管芯片、完整包覆于发光二极管芯片顶面的荧光粉片、位于荧光粉片的出光面的至少一导光群、及设置于电极层与绝缘层上且包覆发光二极管芯片与荧光粉片侧缘的反射壳体。所述出光面包含有中心区及围绕于中心区的环形区,导光群包含多个导光微结构,其覆盖环形区的至少60%面积,借以减少所述发光二极管芯片的蓝色光线在荧光粉片环形区所易产生的全反射,进而有效地改善发光二极管封装结构的黄晕现象。

【技术实现步骤摘要】
发光二极管封装结构及芯片级发光单元
本专利技术涉及一种封装结构,尤其涉及一种发光二极管封装结构及芯片级发光单元。
技术介绍
现有的发光二极管封装结构包含发光二极管芯片及设置于上述发光二极管芯片上的荧光粉片。其中,所述发光二极管芯片经由荧光粉片中心区域射出的光线颜色会不同,而造成黄晕现象。进一步地说,上述黄晕现象产生的主要原因在于,发光二极管芯片经由荧光粉片外侧区域所射出的蓝色光线,与荧光粉片的出光面形成有角度较大的入射角,并且加上荧光粉片与空气之间的折射率差异较大,所以使得所述蓝色光线易产生全反射。于是,本专利技术人认为上述缺陷可改善,乃特潜心研究并配合科学原理的运用,终于提出一种设计合理且有效改善上述缺陷的本专利技术。
技术实现思路
本专利技术实施例在于提供一种发光二极管封装结构及芯片级发光单元,其能有效地改善现有发光二极管封装结构所可能产生的缺陷。本专利技术实施例公开一种发光二极管封装结构,包括:一基板,具有位于相反侧的一第一板面与一第二板面;一电极层,设置于所述基板的所述第一板面;一绝缘层,设置于所述基板的所述第一板面,所述绝缘层和所述电极层为形状互补,并且所述绝缘层和所述电极层共平面;至少一发光单元,包含有:一发光二极管芯片,安装于所述电极层与所述绝缘层上;一荧光粉片,完整地覆盖于所述发光二极管芯片的一顶面,所述荧光粉片包含远离所述发光二极管芯片的一出光面,并且所述出光面包含有一中心区及围绕于所述中心区的一环形区;及至少一导光群,设置于所述荧光粉片的所述环形区上、并分布于所述环形区的至少60%面积部位上,至少一所述导光群包含多个导光微结构;一反射壳体,设置于所述电极层与所述绝缘层上并且包覆于至少一所述发光单元的所述发光二极管芯片的侧缘及所述荧光粉片的侧缘;以及一焊垫层,设置于所述基板的所述第二板面并且电性连接于所述电极层及至少一所述发光单元的所述发光二极管芯片。优选地,至少一所述发光单元包含多个所述导光群,并且多个所述导光群彼此分离地设置于所述荧光粉片的所述环形区上。优选地,至少一所述导光群呈环形,并且多个所述导光微结构分布于所述荧光粉片的整个所述环形区上。优选地,所述反射壳体的顶面大致切齐于所述荧光粉片的所述出光面。优选地,至少一所述发光单元的数量为多个,并且每个所述发光单元包含多个所述导光群;在每个所述发光单元中,多个所述导光群彼此分离地设置于所述荧光粉片的所述环形区上。优选地,所述发光单元的数量为多个;在每个所述发光单元中,多个所述导光微结构排列成环形并且分布于所述荧光粉片的整个所述环形区上。优选地,所述荧光粉片的宽度与厚度的比值大致介于5至15。优选地,所述荧光粉片的折射率大致介于1.5至1.85。优选地,所述出光面的一宽度定义为WG,所述环形区的一宽度定义为WMS,并且WG=XWMS,1<X≤10。优选地,任两个相邻所述导光微结构的距离定义为PMS,任一个所述导光微结构的高度定义为HMS,并且PMS=YHMS,1.5≤Y≤2.5。优选地,所述出光面的一宽度定义为WG,所述环形区的一宽度定义为WMS,任两个相邻所述导光微结构的距离定义为PMS,WG=XWMS=ZPMS,1<X<≤10,0<Z≤1000。优选地,其特征在于,至少一所述导光群的折射率大致等于所述荧光粉片的折射率,所述导光群的折射率大致介于1.5至1.85。本专利技术实施例也公开一种芯片级发光单元,包括:一发光二极管芯片;一荧光粉片,完整地覆盖于所述发光二极管芯片的一顶面,所述荧光粉片包含远离所述发光二极管芯片的一出光面,并且所述出光面包含有一中心区及围绕于所述中心区的一环形区;以及至少一导光群,设置于所述荧光粉片的所述环形区上、并分布于所述环形区的至少60%面积部位上,至少一所述导光群包含多个导光微结构。优选地,至少一所述导光群的折射率大致等于所述荧光粉片的折射率,所述导光群的折射率大致介于1.5至1.85,多个所述导光微结构为大致相同的构造,并且每个所述导光微结构为半球状或角锥状。综上所述,本专利技术实施例所公开的发光二极管封装结构及芯片级发光单元,其通过将导光群设置在荧光粉片的环形区上,以减少所述发光二极管芯片的蓝色光线在荧光粉片环形区所易产生的全反射,进而有效地改善发光二极管封装结构的黄晕现象。为能更进一步了解本专利技术的特征及
技术实现思路
,请参阅以下有关本专利技术的详细说明与附图,但是这些说明与附图仅用来说明本专利技术,而非对本专利技术的保护范围作任何的限制。附图说明图1为本专利技术发光二极管封装结构实施例一的立体示意图。图2为图1的分解示意图。图3为图1另一视角的分解示意图。图4为图2中的电极层的俯视示意图。图5为图1沿剖线V-V的剖视示意图。图6A为图5中的VIA部位的放大示意图。图6B为图5中的VIB部位的放大示意图。图6C为图6B的变化类型示意图。图7为本专利技术实施例一电极层的变化类型的俯视示意图。图8为本专利技术发光二极管封装结构实施例二的示意图。图9为图8的分解示意图。图10为图8沿剖线X-X的剖视示意图。图11为本专利技术发光二极管封装结构实施例三的示意图(一)。图12为本专利技术发光二极管封装结构实施例三的示意图(二)。具体实施方式[实施例一]请参阅图1至图7,其为本专利技术的实施例一,需先说明的是,本实施例对应附图所提及的相关数量与外型,仅用来具体地说明本专利技术的实施方式,以便于了解本专利技术的内容,而非用来局限本专利技术的保护范围。如图1至图3所示,本实施例公开一种发光二极管封装结构100,其包含一基板1、设置于上述基板1一侧的一电极层2与一绝缘层8、设置于上述基板1另一侧的一焊垫层3、设置于上述电极层2与绝缘层8的多个发光二极管芯片4与多个齐纳二极管芯片5、分别覆盖上述多个发光二极管芯片4的多个荧光粉片6、分别设置于上述多个荧光粉片6的多个导光群7、及设置于上述电极层2与绝缘层8上并且包覆于发光二极管芯片4侧缘及荧光粉片6侧缘的一反射壳体9。需说明的是,每个发光二极管芯片4及其对应的荧光粉片6与导光群7于本实施例中合并定义为一发光单元U,也就是说,本实施例的发光二极管封装结构100包含有多个所述发光单元U。其中,上述每个发光单元U于本实施例中是以芯片级发光单元U来作说明,但本专利技术不受限于此。如图2和图3,所述基板1具有位于相反侧的一第一板面11与一第二板面12,并且上述基板1内埋设有多个导电柱13,而每个导电柱13的相反两端分别自所述基板1的第一板面11与第二板面12而裸露于外。如图2和图4,所述电极层2设置于基板1的第一板面11,并且所述电极层2包含有一第一金属垫21、一第二金属垫22、及位于上述第一金属垫21与第二金属垫22之间且呈间隔排列的四个第三金属垫23。所述第一金属垫21包含有呈L形的一第一打线部211-1(也可称为打线部211)、长条状的一第一延伸部212、及呈矩形的一第一焊接部213,并且上述第一延伸部212连接第一打线部211-1与第一焊接部213。所述第二金属垫22包含有呈L形的一第五固晶部221-5(也可称为固晶部221)、长条状的一第二延伸部222、及呈矩形的一第二焊接部223,并且上述第二延伸部222连接第五固晶部221-5与第二焊接部223。所述每个第三金属垫23包含有呈L形的一本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种发光二极管封装结构,其特征在于,所述发光二极管封装结构包括:一基板,具有位于相反侧的一第一板面与一第二板面;一电极层,设置于所述基板的所述第一板面;一绝缘层,设置于所述基板的所述第一板面,所述绝缘层和所述电极层为形状互补,并且所述绝缘层和所述电极层共平面;至少一发光单元,包含有:一发光二极管芯片,安装于所述电极层与所述绝缘层上;一荧光粉片,完整地覆盖于所述发光二极管芯片的一顶面,所述荧光粉片包含远离所述发光二极管芯片的一出光面,并且所述出光面包含有一中心区及围绕于所述中心区的一环形区;及至少一导光群,设置于所述荧光粉片的所述环形区上、并分布于所述环形区的至少60%面积部位上,至少一所述导光群包含多个导光微结构;一反射壳体,设置于所述电极层与所述绝缘层上并且包覆于至少一所述发光单元的所述发光二极管芯片的侧缘及所述荧光粉片的侧缘;以及一焊垫层,设置于所述基板的所述第二板面并且电性连接于所述电极层及至少一所述发光单元的所述发光二极管芯片。

【技术特征摘要】
2016.12.30 TW 1051442041.一种发光二极管封装结构,其特征在于,所述发光二极管封装结构包括:一基板,具有位于相反侧的一第一板面与一第二板面;一电极层,设置于所述基板的所述第一板面;一绝缘层,设置于所述基板的所述第一板面,所述绝缘层和所述电极层为形状互补,并且所述绝缘层和所述电极层共平面;至少一发光单元,包含有:一发光二极管芯片,安装于所述电极层与所述绝缘层上;一荧光粉片,完整地覆盖于所述发光二极管芯片的一顶面,所述荧光粉片包含远离所述发光二极管芯片的一出光面,并且所述出光面包含有一中心区及围绕于所述中心区的一环形区;及至少一导光群,设置于所述荧光粉片的所述环形区上、并分布于所述环形区的至少60%面积部位上,至少一所述导光群包含多个导光微结构;一反射壳体,设置于所述电极层与所述绝缘层上并且包覆于至少一所述发光单元的所述发光二极管芯片的侧缘及所述荧光粉片的侧缘;以及一焊垫层,设置于所述基板的所述第二板面并且电性连接于所述电极层及至少一所述发光单元的所述发光二极管芯片。2.依据权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于,至少一所述发光单元包含多个所述导光群,并且多个所述导光群彼此分离地设置于所述荧光粉片的所述环形区上。3.依据权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于,至少一所述导光群呈环形,并且多个所述导光微结构分布于所述荧光粉片的整个所述环形区上。4.依据权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于,所述反射壳体的顶面大致切齐于所述荧光粉片的所述出光面。5.依据权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于,至少一所述发光单元的数量为多个,并且每个所述发光单元包含多个所述导光群;在每个所述发光单元中,多个所述导光群彼此分离地设置于所述荧光粉片的所述环形区上。6.依据权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于,所述发光单元的数量为多个;在每个所述发光单元中...

【专利技术属性】
技术研发人员:张育誉鲁裕康任永昌
申请(专利权)人:光宝科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:中国台湾,71

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