【技术实现步骤摘要】
图像传感器相关申请的交叉引用本申请要求于2017年1月3日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2017-0000838的优先权,该申请的公开以引用方式全文并入本文中。
本专利技术构思涉及图像传感器,并且具体地说,涉及包括具有多层结构的光电转换部件的图像传感器。
技术介绍
图像传感器是一种将光学图像转换为电信号的半导体装置。换句话说,图像传感器检测并传递构成图像的信息。图像传感器可分为两种类型:电荷耦合器件(CCD)类型和互补金属氧化物半导体(CMOS)类型。CMOS类型的图像传感器可被称作“CIS”。CIS可包括以二维方式排列的多个像素,并且像素中的每一个包括将入射光转换为电信号的光电二极管(PD)。
技术实现思路
根据本专利技术构思的示例性实施例,一种图像传感器可包括:包括多个单元像素区的衬底,所述衬底具有彼此面对的第一表面和第二表面,其中单元像素区中的每一个包括:在衬底中彼此间隔开的多个浮置扩散部件;多个存储节点,其设置在衬底中并且与浮置扩散部件间隔开,其中存储节点中的每一个面对对应的一个浮置扩散部件;转移栅极,其邻近于浮置扩散部件与存储节点之间的区;以及多个光电转换部件,它们按次序堆叠在所述第一表面和所述第二表面之一上,其中光电转换部件中的每一个包括公共电极和像素电极,公共电极设置在对应的光电转换部件的顶表面,像素电极设置在对应的光电转换部件的底表面并且电连接至对应的一个存储节点。根据本专利技术构思的示例性实施例,一种图像传感器可包括:包括多个单元像素区的衬底,其中单元像素区中的每一个包括:多个浮置扩散部件,它们在衬底中排列成一条线并且彼此间隔 ...
【技术保护点】
1.一种图像传感器,包括:包括多个单元像素区的衬底,所述衬底具有彼此面对的第一表面和第二表面,其中,所述多个单元像素区中的每一个包括:在所述衬底中彼此间隔开的多个浮置扩散部件;多个存储节点,所述多个存储节点设置在所述衬底中并且与所述浮置扩散部件间隔开,其中,所述多个存储节点中的每一个面对对应的一个浮置扩散部件;转移栅极,其邻近于所述浮置扩散部件与所述存储节点之间的区;以及多个光电转换部件,所述多个光电转换部件按次序堆叠在所述第一表面和所述第二表面之一上,其中,所述多个光电转换部件中的每一个包括公共电极和像素电极,所述公共电极设置在对应的光电转换部件的顶表面,所述像素电极设置在对应的光电转换部件的底表面,并且电连接至对应的一个存储节点。
【技术特征摘要】
2017.01.03 KR 10-2017-00008381.一种图像传感器,包括:包括多个单元像素区的衬底,所述衬底具有彼此面对的第一表面和第二表面,其中,所述多个单元像素区中的每一个包括:在所述衬底中彼此间隔开的多个浮置扩散部件;多个存储节点,所述多个存储节点设置在所述衬底中并且与所述浮置扩散部件间隔开,其中,所述多个存储节点中的每一个面对对应的一个浮置扩散部件;转移栅极,其邻近于所述浮置扩散部件与所述存储节点之间的区;以及多个光电转换部件,所述多个光电转换部件按次序堆叠在所述第一表面和所述第二表面之一上,其中,所述多个光电转换部件中的每一个包括公共电极和像素电极,所述公共电极设置在对应的光电转换部件的顶表面,所述像素电极设置在对应的光电转换部件的底表面,并且电连接至对应的一个存储节点。2.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,所述多个光电转换部件中的每一个还包括介于所述公共电极和所述像素电极之间的第一光电转换层,并且所述第一光电转换层包括量子点或者光活性有机材料。3.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,所述多个光电转换部件中的每一个还包括光电转换层,所述光电转换层吸收不同波长的光并且从吸收的光中产生电荷。4.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,所述浮置扩散部件和所述存储节点中的每一个是形成在所述衬底中的杂质区或者掺杂的半导体图案。5.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,所述多个单元像素区中的每一个还包括:多个沟道区,所述多个沟道区分别设置在所述浮置扩散部件与所述存储节点之间;以及介于所述多个沟道区之间的至少一个分离部件。6.根据权利要求5所述的图像传感器,其中,所述至少一个分离部件是绝缘层、杂质区或者被掺杂以具有与所述浮置扩散部件的导电类型不同的导电类型的半导体图案。7.根据权利要求5所述的图像传感器,其中,所述至少一个分离部件延伸至邻近的浮置扩散部件之间的间隙和邻近的存储节点之间的间隙中的至少一个间隙中。8.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,所述公共电极在所述多个单元像素区中的每一个中位于相同水平,并且实质上覆盖全部的所述第一表面或所述第二表面,并且所述像素电极在所述多个单元像素区中的每一个中位于相同水平并且彼此分离。9.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,所述浮置扩散部件邻近于所述第一表面,所述存储节点邻近于所述第二表面,并且所述光电转换部件堆叠在所述第二表面上。10.根据权利要求9所述的图像传感器,其中,所述转移栅极具有面对所述多个浮置扩散部件中的每一个的相对侧部的‘C’形结构。11.根据权利要求9所述的图像传感器,其中,所述转移栅极具有面对所述多个浮置扩散部件中的每一个的三个侧表面的梳形结构。12.根据权利要求9所述的图像传感器,其中,所述转移栅极具有包围所述多个浮置扩散部件中的每一个的四个侧部的梯子形结构。13.根据权利要求9所述的图像传感器,还包括:第一层间绝缘层,其覆盖所述多个单元像素区中的第一单元像素区中的所述第一表面;第二层间绝缘层,其布置在所述第一单元像素区中的最下面的一个光电转换部件与所述第二表面之间;第三层间绝缘层,其布置在所述第一单元像素区中的邻近的光电转换部件之间;以及绝缘图案,其布置于在所述第一单元像素区中位于相同水平的像素电极与所述多个单元像素区中的第二单元像素区之间。14.根据权利要求13所述的图像传感器,还包括:多个第一接触插塞,所述多个第一接触插塞设置在所述第一单元像素区中的所述第一层间绝缘层中,并且分别与所述多个浮置扩散部件接触;第二接触插塞,其穿过所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:李贵德,李泰渊,
申请(专利权)人:三星电子株式会社,
类型:发明
国别省市:韩国,KR
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