半导体封装装置及制造半导体封装装置的方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种电子装置，其包括载体、发射器、检测器、分离壁及遮光层。所述发射器安置于所述载体的所述顶部表面的第一部分上。所述检测器安置于所述载体的所述顶部表面的第二部分上。所述分离壁安置于所述发射器与所述检测器之间所述载体的所述顶部表面上。所述遮光层邻近于所述载体的所述顶部表面安置，且从所述分离壁延伸到所述载体的所述第二部分。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装装置及制造半导体封装装置的方法
本公开涉及一种半导体封装装置，且更具体地，涉及一种包含发光组件的半导体封装装置。
技术介绍
发光二极管(LED)或激光二极管广泛用于多种应用。半导体发光装置可包含具有一或多个半导体层的LED芯片。当给予能量时，所述层可配置成发射相干的光及/或不相干的光。在制造期间，可于半导体晶片上产生大量LED半导体晶粒。可探测及测试晶片以精确地识别每一晶粒的特定颜色特性，诸如色温。随后，晶片可经单体化以将晶片切割成多个芯片。LED芯片通常经封装以提供外部电连接、热沉降、透镜或波导、环境保护及/或其它特征。LED芯片可用于光学模块(例如，接近传感器)中，且可用以感测光学模块附近的物件。光学模块可具有发光源及光学检测器，其中所述光学检测器可接收或感测由发光源发射及由外部或附近物件反射的光(例如，红外光)，以使得可检测到外部接近物件的存在。当光学检测器直接接收从发光源发射的光或接收从不同于目标物件的介质反射的光时，可存在可被视为噪声的“串话”且可使传感器发生故障。期望可减小此串话。
技术实现思路
根据本公开的一些实施例，一种电子装置包含载体、发射器、检测器、分离壁及遮光层。发射器安置于载体的顶部表面的第一部分上。检测器安置于载体的顶部表面的第二部分上。分离壁安置于发射器与检测器之间的载体的顶部表面上。遮光层邻近于载体的顶部表面安置，且从分离壁延伸至载体的第二部分。根据本公开的一些实施例，一种光学结构包含载体、第一芯片、第二芯片、第一包覆层、第二包覆层及分离壁。第一芯片安置于载体的表面的第一区域上。第二芯片安置于载体的表面的第二区域上。杆体安置于第一区域与第二区域之间。第一包覆层邻近于杆体的一侧安置且通过第一开口与杆体分离。第二包覆层邻近于杆体的另一侧安置且通过第二开口与杆体分离。分离壁安置于杆体、第一开口、第二开口及第一及第二包覆层中的每一个的一部分上。根据本公开的一些实施例，一种其上安置有光学装置的载体包含发射器安置区域、检测器安置区域、第一遮光层及第二遮光层。第一遮光层在发射器安置区域下面延伸。第二遮光层在检测器安置区域下面延伸。第一遮光层及第二遮光层配置成防止来自发射器安置区域的光经由载体内的一或多个光路进入检测器安置区域。附图说明图1说明根据本公开的一些实施例的半导体封装装置的横截面视图。图2A及图2B说明根据本公开的一些实施例的半导体封装制造过程。图3A说明根据本公开的一些实施例的载体的透视图。图3B说明根据本公开的一些实施例的半导体封装装置的横截面视图。图4说明根据本公开的一些实施例的半导体封装装置的横截面视图。图5A说明根据本公开的一些实施例的半导体封装装置的横截面视图。图5B说明根据本公开的一些实施例的半导体封装装置的横截面视图。图6说明根据本公开的一些实施例的载体的透视图。图7说明根据本公开的一些实施例的载体的透视图。贯穿图式及实施方式使用共同参考编号以指示相同或相似组件。根据结合附图的以下实施方式可最好地理解本公开。具体实施方式图1说明根据本公开的一些实施例的半导体封装装置1的横截面视图。半导体封装装置1包含载体10，电子组件11、12，封装本体13、14及壁结构15。载体10可包含(例如)印刷电路板，诸如纸基铜箔层合物、复合铜箔层合物或聚合物浸渍的基于玻璃纤维的铜箔层合物。载体10可包含互连结构，诸如导电迹线或重布层(RDL)及介电层，所述介电层诸如预浸体层或聚酰亚胺层。电子组件11安置于载体10的顶部表面101上。在一些实施例中，电子组件11可为发光装置，诸如LED或其它发射晶粒。举例来说，电子组件11可包含发光二极管、激光二极管或可包含一或多个半导体层的另一装置。半导体层可包含硅、碳化硅、氮化镓或任何其它半导体材料。电子组件11可(例如)借助于覆晶或导线接合技术连接至载体。电子组件可发射红外波长的光。电子组件12安置于载体10的顶部表面101上，且与电子组件11实体上分离。在一些实施例中，电子组件12可为光检测器，所述光检测器为PIN二极管或光二极管或光电晶体。电子组件12可(例如)借助于覆晶或导线接合技术连接至载体。封装本体13安置于载体10的顶部表面101上且覆盖电子组件11。在一些实施例中，封装本体13包含具有分散于其中的填充剂的环氧树脂。封装本体13的上部表面可具有安置其上的透镜结构，且从而从电子组件11发射的光可经集中且对应光锥的角度可减小。封装本体14安置于载体10的顶部表面101上且覆盖电子组件12。在一些实施例中，封装本体14包含具有分散于其中的填充剂的环氧树脂。在一些实施例中，封装本体13及14包含相同材料。在一些实施例中，封装本体13及14由不同材料形成。壁结构15安置于载体10的顶部表面101上且安置于电子组件11与电子组件12之间。壁结构15是大体上不透明的，以防止由电子组件11发射的非所要光直接透射至电子组件12。图2A及2B说明说明根据本公开的一些实施例的半导体封装制造过程。如图2A中所展示，在电子组件11、12上方形成封装本体13、14的过程期间，模制件26安置于载体10的顶部表面101上，且随后模制化合物注入至由模制件26及载体10界定的空间中且覆盖电子组件11、12。在一些实施例中，经沉积模制化合物的一部分可冲洗或径流至由点线圈标记的载体10的顶部表面101的位置(例如，由于模制件26不与在由点线圈标记的位置处的载体的顶部表面101齐平)。在形成封装本体13、14之后，模制件26经移除，且壁结构15随后置放于由点线圈标记、在模制化合物的径流部分上方的位置上。壁结构15下的模制化合物的径流部分可使得来自电子组件11的非所要光直接地透射至电子组件12，其可产生串话且可使得电子组件12发生故障。为解决此问题，如图2B中所展示，杆体27可置放于壁结构15将置放于其上的位置处。在一些实施例中，杆体27可为金属杆体。为了防止遮光盖(所述遮光盖包含壁结构15及杆体27)的向下力损坏安置于载体的表面上的导线(例如，电线或迹线)，可使所述导线绕过遮光盖。举例来说，导线可内埋于载体内，且可连接至穿过遮光盖或在遮光盖下方的通孔。当模制件26置放于载体10上时，向下力F会施加在载体10上。根据等式P＝F/A(其中P为压力，F为法向力，且A为接触表面的面积)，杆体27上的压力在杆体27与模制件26之间存在较小接触面积的情况下会较大。在此情况下，由于压力增加，杆体27与模制件26之间的接合将为紧密的，且模制件26可大体上与杆体27齐平，以防止模制化合物移动至杆体27上。因此，杆体27可有助于防止透明模制化合物移动至壁结构15将形成于其上的位置，以便提高壁结构15的阻光能力。在一些实施例中，可形成阻焊剂以使得其覆盖导线及/或杆体27及/或曝露半导体封装装置的焊接垫。阻焊剂可包含诸如碳黑或颜料的光吸收材料或光衰减材料以减少非所要光的透射。图3A为根据本公开的一些实施例的由图2B中所展示的过程制造的载体10的透视图。载体10具有发光装置安置于其上的第一区域10A及光检测器安置于其上的第二区域10B。第一区域10A及第二区域10B由壁结构安置于其上的金属杆体27分离。图3B说明根据本公开的一些实施例的具有图3A中所展示的载体10的半导体封装装置3本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电子装置，其包括：载体，其具有顶部表面；发射器，其安置于所述载体的所述顶部表面的第一部分上；检测器，其安置于所述载体的所述顶部表面的第二部分上；分离壁，其安置于所述发射器与所述检测器之间的所述载体的所述顶部表面上；及第一遮光层，其邻近于所述载体的所述顶部表面安置，且从所述分离壁延伸到所述载体的所述第二部分。

【技术特征摘要】
2016.12.30 US 15/396,0791.一种电子装置，其包括：载体，其具有顶部表面；发射器，其安置于所述载体的所述顶部表面的第一部分上；检测器，其安置于所述载体的所述顶部表面的第二部分上；分离壁，其安置于所述发射器与所述检测器之间的所述载体的所述顶部表面上；及第一遮光层，其邻近于所述载体的所述顶部表面安置，且从所述分离壁延伸到所述载体的所述第二部分。2.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述第一遮光层在所述检测器下面延伸。3.根据权利要求1所述的电子装置，其进一步包括邻近于所述载体的所述顶部表面安置且从所述分离壁延伸到所述载体的所述第一部分的第二遮光层，其中所述分离壁为不透明的。4.根据权利要求3所述的电子装置，其中所述第二遮光层在所述发射器下面延伸。5.根据权利要求3所述的电子装置，其中所述第一遮光层及所述第二遮光层配置成防止自所述发射器发射的光经由所述载体内的一或多个光路进入所述检测器。6.根据权利要求3所述的电子装置，其中所述第一遮光层及所述第二遮光层由金属层分离。7.根据权利要求6所述的电子装置，其中：所述金属层在所述分离壁下方，所述金属层及所述第一遮光层由第一间隙分离，且所述金属层及所述第二遮光层由第二间隙分离。8.根据权利要求7所述的电子装置，其中所述第一间隙及所述第二间隙在所述分离壁下方。9.根据权利要求7所述的电子装置，其中所述第一间隙与所述第二间隙之间的距离小于所述分离壁的宽度。10.根据权利要求1所述的电子装置，其进一步包括：第一封装本体，其覆盖所述发射器；及第二封装本体，其覆盖所述检测器，其中所述第一封装本体及所述第二封装本体由所述分离壁分离。11.一种光学结构，其包括：载体；第一芯片，其安置于所述载体的表面的第一区域上；第二芯片，其安置于所述载体的所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：许峻玮，何信颖，詹勋伟，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71