被动式驱动阵列LED显示面板及其制作方法、显示装置制造方法及图纸

本申请提供一种被动式驱动阵列LED显示面板及其制作方法、显示装置，被动式驱动阵列LED显示面板，包括：阵列基板，阵列基板上包括交叉绝缘设置的第一型传输线和第二型传输线，第一型传输线和第二型传输线限定出多个子像素；每个子像素包括：衬底；位于衬底上的LED外延结构，第一型半导体层与第一型传输线电性连接；第二型半导体层与第二型传输线电性连接。本发明专利技术中将每颗独立的LED子像素通过第一型传输线和第二型传输线集成起来，形成被动驱动显示屏，独立的LED子像素尺寸不限为微米级、亚微米级，从而使得LED屏幕能够应用于高分辨率要求的电子产品中。

【技术实现步骤摘要】
被动式驱动阵列LED显示面板及其制作方法、显示装置
本专利技术涉及半导体器件制作
，尤其涉及一种被动式驱动阵列LED显示面板及其制作方法、显示装置。
技术介绍
近年来，有机发光二极管(OLED)因为相对于相对液晶显示(LCD)器件在自发光、功耗低、亮度、对比度、以及视角有着明显的优势，而被广泛应用作显示器件。虽然有机发光二极管(OLED)也是自发光器件，但OLED相对于GaN基发光二极管(LED)，发光效率、寿命仍然明显较差。随着电子产品的不断发展，电子产品屏幕的像素越来越高，LCD或OLED的显示发光效率较低，电子产品的续航能力迎来挑战，因此，若能够将LED应用在电子产品的屏幕中，将能够大大提高发光效率，从而节省电能。但是目前LED显示应用通常用作室内外的广告显示屏幕上，大屏幕上设置多个阵列排布的多个LED灯珠，将每个LED灯珠作为一个像素点，通过控制每个LED灯珠的点亮状态，控制整个大屏幕显示画面。LED应用于室内外的显示时，像素点都是LED芯片独立进行封装后的LED灯珠，灯珠与灯珠之间的点间距在现行技术中，较为先进水平的是0.8mm(即P0.8)。而毫米级别的像素间距、独立像素的封装，导致现行的LED屏无法应用于轻型化、微小化的高分辨率电子产品(包括穿戴设备)中。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种被动式驱动阵列LED显示面板及其制作方法、显示装置，以解决现有技术中LED屏幕无法应用于高分辨率要求的电子产品中的问题。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种被动式驱动阵列LED显示面板，包括：阵列基板，所述阵列基板上包括交叉绝缘设置的第一型传输线和第二型传输线，所述第一型传输线和第二型传输线限定出多个子像素；每个子像素包括：衬底；位于所述衬底上的LED外延结构，所述外延结构至少包括依次形成在所述衬底上的第一型半导体层、多量子阱层、第二型半导体层；所述第一型半导体层与所述第一型传输线电性连接；所述第二型半导体层与所述第二型传输线电性连接。本专利技术还提供一种被动式驱动阵列LED显示装置，包括：上面所述的被动式驱动阵列LED显示面板。本专利技术还提供一种被动式驱动阵列LED显示面板制作方法，用于制作形成上面所述的被动式驱动阵列LED显示面板，所述被动式驱动阵列LED显示面板制作方法包括：提供阵列基板，所述阵列基板上包括呈阵列排布的衬底；在所述衬底上形成LED外延结构，所述外延结构至少包括依次形成在所述衬底上的第一型半导体层、多量子阱层、第二型半导体层；刻蚀所述LED外延结构的第一区域至所述衬底，使得所述LED外延结构分离形成多个子像素、刻蚀所述LED外延结构的第二区域至所述第一型半导体层，所述LED外延结构的未刻蚀区域形成第二型半导体层平台，其中，在所述衬底上的投影，所述第一区域的投影围绕所述第二区域的投影，所述第二区域的投影围绕所述第二型半导体层平台的投影；形成第一型传输线，所述第一型传输线沿第一方向延伸，且与多个所述子像素的第一型半导体层电性连接；形成第二型传输线，所述第二型传输线沿第二方向延伸，且与多个所述子像素的第二型半导体层电性连接，其中，所述第二方向与所述第一方向垂直，且所述第一型传输线和所述第二型传输线交叉部分通过绝缘层绝缘。经由上述的技术方案可知，本专利技术提供的被动式驱动阵列LED显示面板，包括：阵列基板，阵列基板上包括交叉绝缘设置的第一型传输线和第二型传输线，第一型传输线和第二型传输线限定出多个子像素；每个子像素包括：衬底；位于衬底上的LED外延结构，外延结构至少包括依次形成在衬底上的第一型半导体层、多量子阱层、第二型半导体层；第一型半导体层与第一型传输线电性连接；第二型半导体层与第二型传输线电性连接。本专利技术中将每颗独立的LED子像素通过第一型传输线和第二型传输线集成起来，形成被动驱动显示屏，独立的LED子像素尺寸不限为微米级、亚微米级。其工作原理是：在阵列LED屏的某一第一型传输线上加一信号，选通此第一型传输线相连的整条LED，再加一信号于某一第二型传输线上，选通该第二型传输线相连整条LED上，而被选通的第一型传输线和第二型传输线相交的单颗LED被点亮。本专利技术提供的被动式驱动阵列LED显示面板能够使得LED的控制在子像素级别，也即微米或亚微米级别，从而能够提高LED显示屏的分辨率，使其更好的应用在分辨率要求较高的电子产品上，如穿戴设备等电子产品上。对应地，本专利技术还提供一种被动式驱动阵列LED显示装置，实现了LED的高分辨率应用。本专利技术还对应提供一种被动式驱动阵列LED显示面板的制作方法，用于制作所述被动式驱动阵列LED显示面板。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。图1为本专利技术提供的一种被动式驱动阵列LED显示面板的俯视结构示意图；图2为本专利技术提供的一种被动式驱动阵列LED显示面板的制作方法流程图；图3-图28为本专利技术实施例提供的被动式驱动阵列LED显示面板制作步骤对应的各结构图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。请参见图1，图1为本专利技术提供一种被动式驱动阵列LED显示面板的俯视结构示意图，所述被动式驱动阵列LED显示面板包括：阵列基板1，所述阵列基板上包括交叉绝缘设置的第一型传输线(N1、N2、……Nx)和第二型传输线(P1、P2、……Py)，所述第一型传输线和第二型传输线限定出多个子像素；每个子像素包括：衬底2；位于所述衬底上的LED外延结构，所述外延结构至少包括依次形成在所述衬底上的第一型半导体层31、多量子阱层(图中未示出)、第二型半导体层32；所述第一型半导体层31与所述第一型传输线(N1、N2、……Nx)电性连接；所述第二型半导体层32与所述第二型传输线(P1、P2、……Py)电性连接。需要说明的是，本实施例中不限定所述第一型半导体层和第二型半导体层的具体类型，可选的，第一型半导体层可以为N型半导体层，也可以为P型半导体层，对应的，第二型半导体层可以为P型半导体层，也可以为N型半导体层。本实施例中对此不做限定，为方便说明，本实施例中以所述第一型半导体层为N型GaN层，第二型半导体层为P型GaN层为例进行说明。因此，本实施例中所述第一型传输线为与N型半导体层电性连接的N型传输线，第二型传输线为与P型半导体层电性连接的P型传输线。需要说明的是，本实施例中P型半导体层与P型传输线之间还可以通过增加透明导电层增加电流扩展性。需要说明的是，本专利技术实施例提供的被动式驱动阵列LED显示面板的工作原理为：在阵列LED屏的某一第一型传输线上加一信号，选通此第一型传输线相连的整条LED，再加一信号于某一第二型传输线上，选通该第二型传输线相连整条LED上，而被选通的第一型传输线和第二型传输线相交的单颗LED被点亮。本专利技术提供的被本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种被动式驱动阵列LED显示面板，其特征在于，包括：阵列基板，所述阵列基板上包括交叉绝缘设置的第一型传输线和第二型传输线，所述第一型传输线和第二型传输线限定出多个子像素；每个子像素包括：衬底；位于所述衬底上的LED外延结构，所述外延结构至少包括依次形成在所述衬底上的第一型半导体层、多量子阱层、第二型半导体层；所述第一型半导体层与所述第一型传输线电性连接；所述第二型半导体层与所述第二型传输线电性连接。

【技术特征摘要】
1.一种被动式驱动阵列LED显示面板，其特征在于，包括：阵列基板，所述阵列基板上包括交叉绝缘设置的第一型传输线和第二型传输线，所述第一型传输线和第二型传输线限定出多个子像素；每个子像素包括：衬底；位于所述衬底上的LED外延结构，所述外延结构至少包括依次形成在所述衬底上的第一型半导体层、多量子阱层、第二型半导体层；所述第一型半导体层与所述第一型传输线电性连接；所述第二型半导体层与所述第二型传输线电性连接。2.根据权利要求1所述的被动式驱动阵列LED显示面板，其特征在于，所述第一型传输线和所述第二型传输线均为反射率高于50％的导电材料。3.根据权利要求2所述的被动式驱动阵列LED显示面板，其特征在于，所述第一型传输线和所述第二型传输线为高反射率的金属Ag或金属Al，或具有高反射率的多层金属结构，所述多层金属结构为Cr和Al的叠层结构，或Ti和Al的叠层结构。4.根据权利要求2所述的被动式驱动阵列LED显示面板，其特征在于，所述衬底为非透明衬底。5.根据权利要求4所述的被动式驱动阵列LED显示面板，其特征在于，还包括覆盖所述第二型半导体层、所述第一型传输线和所述第二型传输线并分布在每个子像素区域的钝化层。6.根据权利要求2所述的被动式驱动阵列LED显示面板，其特征在于，所述衬底为透明衬底。7.根据权利要求6所述的被动式驱动阵列LED显示面板，其特征在于，还包括覆盖所述第二型半导体层、所述第一型传输线和所述第二型传输线并分布在每个子像素区域的分布式布拉格反射镜层，所述分布式布拉格反射镜层用于将所述LED发出的背离所述衬底的光反射至衬底。8.根据权利要求7所述的被动式驱动阵列LED显示面板，其特征在于，所述分布式布拉格反射镜层为包括Ti2O5与SiO2交替叠加的多层结构；或为包括TiO2与SiO2交替叠加的多层结构。9.根据权利要求1-8任意一项所述的被动式驱动阵列LED显示面板，其特征在于，所述第一型半导体层为N型半导体层，所述第二型半导体层为P型半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：柯志杰，邓群雄，陈凯轩，林志伟，
申请(专利权)人：厦门乾照光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：福建,35