【技术实现步骤摘要】
晶圆研磨方法
本专利技术涉及半导体制造领域，特别是指一种改善由于晶圆表面台阶导致的减薄厚度不均、裂片的晶圆研磨方法。
技术介绍
硅片制造过程涉及薄膜的淀积和生长工艺，以及之后形成器件和内部互连结构所需的多次图形制作。先进的IC需要多层的金属布线层，每层之间由层间介质ILD隔开。建立器件结构和多层内连线会很自然地在层之间形成台阶，表面起伏(topography)描述了这种生产过程中出现的不平整的硅片表面。层数增加时，硅片表面起伏将更加显著，而一个可接受的台阶覆盖和间隙填充对于芯片的成品率和长期可靠性是至关重要的。更高的芯片封装密度加剧了表面起伏的程度，现在越来越频繁地使用多层金属技术，并要求更小的器件和连线尺寸，先进IC表面出现更高的台阶和深宽比更大的沟槽，使得表面起伏的问题更加突出。在晶圆的正面由于厚铝膜以及一些有机绝缘材料如聚酰亚胺的存在，会导致晶圆正面具有高低落差较大，非常不平整的表面形貌，然后在进行晶圆背面减薄工艺中在晶圆表面覆盖保护蓝膜，蓝膜的贴服性也会顺应将不平整的表面形貌表现出来，如图1所示。对不平整的蓝膜表面在减薄过程中会导致受力不均匀，在一些聚酰亚胺材料覆盖的地方边缘出现微小的裂缝或者裂纹，尤其是当硅片研磨到厚度低于100微米时，如图2所示。这些微小的裂纹在后续工艺中会导致晶圆的破损。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于提供一种晶圆研磨方法，改善减薄后晶圆厚度的均匀性，降低晶圆的破损率。为解决上述问题，本专利技术所述的一种晶圆研磨方法：在具有有机绝缘层以及金属层的晶圆正面覆盖保护蓝膜，然后使用硬质材料将保护蓝膜的表面磨平；再对晶圆进...
【技术保护点】
1.一种晶圆研磨方法，其特征在于：在具有有机绝缘层以及金属层的晶圆正面覆盖保护蓝膜，然后使用硬质材料将保护蓝膜的表面磨平；再对晶圆进行背面减薄后去除正面保护蓝膜。
【技术特征摘要】
1.一种晶圆研磨方法，其特征在于：在具有有机绝缘层以及金属层的晶圆正面覆盖保护蓝膜，然后使用硬质材料将保护蓝膜的表面磨平；再对晶圆进行背面减薄后去除正面保护蓝膜。2.如权利要求1所述的晶圆研磨方法，其特征在于：所述的有机绝缘层为聚酰亚胺。3.如权利要求1所述的晶圆研磨方法，其特征在于：所述的硬质材料的硬度要远大于蓝膜材质，其洛氏硬度大于60。4.如权利要求1所述的晶圆研磨方法，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：郁新举，刘玮荪，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31
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