通过光阻剥离实现电极层图案化的方法技术

本发明专利技术提供一种通过光阻剥离实现电极层图案化的方法，先在基板上连续涂布交联性能不同的下层光阻与上层光阻形成光阻层，然后使用半色调光罩对所述光阻层进行曝光、显影，再去除第二光阻区域内的光阻层而保留第一光阻区域内的光阻层，接着沉积电极层，最后剥离第一光阻区域内的上层光阻与下层光阻，同时去除沉积在第一光阻区域内的上层光阻上的部分电极层，得到图案化的电极层，相比现有的利用单层光阻剥离来实现电极层图案化的方法，能够提高光阻剥离速率，加快实现电极层图案化的效率。

【技术实现步骤摘要】
通过光阻剥离实现电极层图案化的方法
本专利技术涉及显示面板制程领域，尤其涉及一种通过光阻剥离实现电极层图案化的方法。
技术介绍
随着显示技术的发展，液晶显示面板(LiquidCrystalDisplay，LCD)与有机发光二极管显示面板(OrganicLightEmittingDiode，OLED)等平板显示装置已经成为了市场上的主流产品。LCD显示面板具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛地应用，如：液晶电视、智能手机、数字相机、平板电脑、计算机屏幕、或笔记本电脑屏幕等。OLED显示面板与LCD显示面板相比，具有更轻薄、宽视角、主动发光、发光颜色连续可调、响应速度更快、发光效率高及可柔性显示等优点。薄膜晶体管阵列基板(ThinFilmTransistorArraySubstrate，TFTArraySubstrate)是OLED显示面板及LCD显示面板的重要组成部分，在TFT阵列基板的制作过程中，需要多次采用光刻工艺来制作栅电极、源/漏电极及像素电极等结构层。完整的光刻工艺包括光阻(PR)涂布、曝光、显影、蚀刻、光阻剥离等工序。为了节省光罩，减少工序，出现了利用光阻剥离来同步消除位于待剥离光阻上的部分电极层以实现电极层图案化的方法，本领域技术人员常称之为PRLift-off方法。就现有的PRLift-off方法来说，不管是对正性光阻(受到光照射的部分被显影液去除)还是负性光阻(未受到光照射的部分被显影液去除)，光阻剥离的速度较慢，光阻剥离的难度较大，从而实现电极层图案化的效率较低。如图1所述，针对负性光阻，待剥离的光阻块100呈倒梯形(该待剥离的光阻块100位于基板300与待去除的电极块500之间)，倒梯形的腰相对竖直方向的夹角，又称为底切角(Undercut)较小，剥离液向光阻块100的渗入速度较慢，从而剥离光阻的速率较慢；如图2所示，针对正性光阻，待剥离的光阻块100’(该待剥离的光阻块100’位于缓冲层200与待去除的电极块500’之间，缓冲层200位于基板300’上)呈梯形，梯形的腰相对竖直方向的夹角也较小，剥离液向光阻块100’的渗入速度较慢，从而剥离光阻的速率较慢；如图3所示，目前还有一种PR纳米绒化技术(正性光阻与负性光阻均可采用))来剥离光阻块100”(光阻块100”位于基板300”上)，但PR纳米绒化技术实施难度大，不仅剥离速率慢，还会对相关制程所在的腔室造成污染。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种通过光阻剥离实现电极层图案化的方法，能够提高光阻剥离速率，加快实现电极层图案化的效率。为实现上述目的，本专利技术提供一种通过光阻剥离实现电极层图案化的方法，包括如下步骤：步骤S1、在基板上至少连续涂布一层下层光阻与一层上层光阻，形成光阻层；所述下层光阻与上层光阻的交联性能不同；步骤S2、使用半色调光罩对所述光阻层进行曝光、显影，形成第一光阻区域、第二光阻区域及无光阻区域；步骤S3、去除所述第二光阻区域内的光阻层，而保留所述第一光阻区域内的光阻层；步骤S4、在所述基板与第一光阻区域内的上层光阻上沉积电极层；步骤S5、利用剥离液剥离所述第一光阻区域内的上层光阻与下层光阻，同时去除沉积在所述第一光阻区域内的上层光阻上的部分电极层，得到图案化的电极层。在所述步骤S2与步骤S3之间还包括：步骤S23、透过所述无光阻区域对所述基板进行蚀刻，形成过孔。所述步骤S4所述沉积的电极层还填充所述过孔。所述基板包括衬底基板及设于所述衬底基板上的缓冲层，所述过孔贯穿所述缓冲层。可选的，所述下层光阻与上层光阻均为负性光阻，经所述步骤S2曝光、显影后，所述第一光阻区域内下层光阻与上层光阻均呈倒梯形。所述上层光阻的感光能力高于下层光阻的感光能力，从而经曝光后所述上层光阻的交联性能高于下层光阻的交联性能。或者所述上层光阻的感光能力低于下层光阻的感光能力，从而经曝光后所述上层光阻的交联性能低于下层光阻的交联性能。所述上层光阻与所述下层光阻的组分均含有感光剂，且所述上层光阻中感光剂的含量与所述下层光阻中感光剂的含量不同或者所述上层光阻中感光剂的种类与所述下层光阻中感光剂的种类不同。所述上层光阻与所述下层光阻的组分还含有溶剂与酚醛树脂。可选的，所述下层光阻与上层光阻均为正性光阻，经所述步骤S2曝光、显影后，所述第一光阻区域内下层光阻与上层光阻均呈梯形。本专利技术的有益效果：本专利技术提供的一种通过光阻剥离实现电极层图案化的方法，先在基板上连续涂布交联性能不同的下层光阻与上层光阻形成光阻层，然后使用半色调光罩对所述光阻层进行曝光、显影，再去除第二光阻区域内的光阻层而保留第一光阻区域内的光阻层，接着沉积电极层，最后利用剥离液剥离所述第一光阻区域内的上层光阻与下层光阻，同时去除沉积在所述第一光阻区域内的上层光阻上的部分电极层，得到图案化的电极层。相比现有的PRLift-off方法，即利用单层光阻剥离来实现电极层图案化的方法，本专利技术设置交联性能不同的下层光阻与上层光阻能够形成更大的底切角，即能够提供更大的缝隙供剥离液渗入，从而加快光阻剥离速率，而且若上层光阻的交联性能高于下层光阻的交联性能，则下层光阻的交联度较低，更容易剥离，在剥离下层光阻的同时顺带剥离了上层光阻，进一步加快了光阻剥离速率，加快实现电极层图案化的效率；若上层光阻的交联性能低于下层光阻的交联性能，则上层光阻的交联度较低，更容易剥离，上层光阻剥离后，下层光阻完全暴露出来，有更大的面积供剥离液渗入，同样可以加快光阻剥离速率，加快实现电极层图案化的效率。附图说明为了能更进一步了解本专利技术的特征以及
技术实现思路
，请参阅以下有关本专利技术的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本专利技术加以限制。附图中，图1为第一种现有的PRLift-off方法的示意图；图2为第二种现有的PRLift-off方法的示意图；图3为第三种现有的PRLift-off方法的示意图；图4为本专利技术的通过光阻剥离实现电极层图案化的方法的流程图；图5为本专利技术的通过光阻剥离实现电极层图案化的方法的第一实施例的步骤S1的示意图；图6为本专利技术的通过光阻剥离实现电极层图案化的方法的第一实施例的步骤S2的示意图；图7为本专利技术的通过光阻剥离实现电极层图案化的方法的第一实施例的步骤S23及步骤S3的示意图；图8为本专利技术的通过光阻剥离实现电极层图案化的方法的第一实施例的步骤S34的示意图；图9为本专利技术的通过光阻剥离实现电极层图案化的方法的第一实施例的步骤S4的示意图；图10为本专利技术的通过光阻剥离实现电极层图案化的方法的第二实施例的步骤S1的示意图；图11为本专利技术的通过光阻剥离实现电极层图案化的方法的第二实施例的步骤S2的示意图；图12为本专利技术的通过光阻剥离实现电极层图案化的方法的第二实施例的步骤S23及步骤S3的示意图；图13为本专利技术的通过光阻剥离实现电极层图案化的方法的第二实施例的步骤S34的示意图；图14为本专利技术的通过光阻剥离实现电极层图案化的方法的第二实施例的步骤S4的示意图。具体实施方式为更进一步阐述本专利技术所采取的技术手段及其效果，以下结合本专利技术的优选实施例及其附图进行详细描述。本专利技术提供一种通过光阻剥离实现电极层图案化的方法。请同时参阅图4以及图5至图9，本专利技术的通过光阻剥离实现电极层图案化的方法的第一实本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种通过光阻剥离实现电极层图案化的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1、在基板(1)上至少连续涂布一层下层光阻(21)与一层上层光阻(22)，形成光阻层(2)；所述下层光阻(21)与上层光阻(22)的交联性能不同；步骤S2、使用半色调光罩对所述光阻层(2)进行曝光、显影，形成第一光阻区域(A)、第二光阻区域(B)及无光阻区域(D)；步骤S3、去除所述第二光阻区域(B)内的光阻层(2)，而保留所述第一光阻区域(A)内的光阻层(2)；步骤S4、在所述基板(1)与第一光阻区域(A)内的上层光阻(22)上沉积电极层(3)；步骤S5、利用剥离液剥离所述第一光阻区域(A)内的上层光阻(22)与下层光阻(21)，同时去除沉积在所述第一光阻区域(A)内的上层光阻(22)上的部分电极层(3)，得到图案化的电极层(3)。

【技术特征摘要】
1.一种通过光阻剥离实现电极层图案化的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1、在基板(1)上至少连续涂布一层下层光阻(21)与一层上层光阻(22)，形成光阻层(2)；所述下层光阻(21)与上层光阻(22)的交联性能不同；步骤S2、使用半色调光罩对所述光阻层(2)进行曝光、显影，形成第一光阻区域(A)、第二光阻区域(B)及无光阻区域(D)；步骤S3、去除所述第二光阻区域(B)内的光阻层(2)，而保留所述第一光阻区域(A)内的光阻层(2)；步骤S4、在所述基板(1)与第一光阻区域(A)内的上层光阻(22)上沉积电极层(3)；步骤S5、利用剥离液剥离所述第一光阻区域(A)内的上层光阻(22)与下层光阻(21)，同时去除沉积在所述第一光阻区域(A)内的上层光阻(22)上的部分电极层(3)，得到图案化的电极层(3)。2.如权利要求1所述的通过光阻剥离实现电极层图案化的方法，其特征在于，在所述步骤S2与步骤S3之间还包括：步骤S23、透过所述无光阻区域(D)对所述基板(1)进行蚀刻，形成过孔(V)；所述步骤S4所述沉积的电极层(3)还填充所述过孔(V)。3.如权利要求2所述的通过光阻剥离实现电极层图案化的方法，其特征在于，所述基板(1)包括衬底基板(11)及设于所述衬底基板(11)上的缓冲层(12)，所述过孔(V)贯穿所述缓冲层(12)。4.如权利要求1所述的通过光阻剥离实现电极层图案化的方法，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹易彪，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44