信息存储介质、装置和存储方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种信息存储介质、装置和存储方法。其中信息存储装置，包括：信息存储部件，其包括：基底和至少一个导电图案，分布于所述基底上；第一电极，各所述导电图案电性连接至所述第一电极；第二电极，具有一底端，该底端包覆第一起电性膜；所述第二电极，配置为经驱动使第二电极的底端在所述基底上方移动，移动时当第二电极经过所述导电图案上方，所述第一电极和第二电极间形成电势差。本发明专利技术的存储装置在存储信息读取时，不需要对存储装置中的信息存储部件供电，存储极限更优于现有的光存储和磁存储方式。

【技术实现步骤摘要】
信息存储介质、装置和存储方法
本专利技术涉及一种信息存储技术，进一步涉及一种信息存储介质，还涉及一种信息存储装置，以及信息存储方法。
技术介绍
目前传统的信息存储技术主要包括：光存储技术和磁存储技术。传统存储技术的主要缺点在：写信息过程和读信息过程比较繁琐；结构复杂，所用材料成本比较高；读取信息的读取探头需要供电；存在存储密度极限，单个比特尺寸下降到一定值以后读取信息失真，存储密度不能再提高。
技术实现思路
(一)要解决的技术问题有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种信息存储介质，信息存储装置和存储方法，以解决以上所述的至少一项技术问题。(二)技术方案根据本专利技术的一方面，提供一种信息存储装置，包括信息存储部件，包括：基底；至少一个导电图案，分布于所述基底上；第一电极，各所述导电图案电性连接至所述第一电极；第二电极，具有一底端，该底端包覆有第一起电性膜；所述第二电极配置为经驱动使所述第二电极的底端在所述基底上方移动，移动时当第二电极经过所述导电图案上方，所述第一电极和第二电极间形成电势差；或者是所述基底配置为经驱动在第二电极的底端下方移动，移动时当导电图案经过所述第二电极下方，所述第一电极和第二电极间形成电势差。根据本专利技术的另一方面，提供一种信息存储装置，包括：信息存储部件，包括：基底；至少一个导电图案，分布于所述基底上；第二起电性膜，覆盖在所述导电图案上；第一电极，各所述导电图案电性连接至所述第一电极；第二电极，具有一底端；所述第二电极配置为经驱动使所述第二电极的底端在所述基底上方移动，移动时当第二电极经过所述导电图案上方，所述第一电极和第二电极间形成电势差；或者是所述基底配置为经驱动在第二电极的底端下方移动，移动时当导电图案经过所述第二电极下方，所述第一电极和第二电极间形成电势差。根据本专利技术的再一方面，提供一种信息存储介质，包括：基底；至少一个导电图案，分布于所述基底上，所述导电图案的排布方式与待存储信息所编译形成的二进制码相对应；第二起电性膜，覆盖于所述导电图案上。根据本专利技术的又一方面，提供一种信息读取装置，包括：第二电极，具有一底端，该底端包覆第一起电性膜；驱动装置，连接所述第二电极，配置为驱动所述第二电极的底端在上述所述信息存储介质上方移动，移动时当第二电极经过所述导电图案上方，所述第一电极和第二电极间形成电势差；或者是驱动装置，用于连接至所述信息存储介质，配置为驱动所述信息存储介质在所述底端的下方移动，移动时当导电图案经过所述第二电极下方，所述第一电极和第二电极间形成电势差。根据本专利技术的其它一方面，提供一种信息存储方法，包括：将待存储信息编译为二进制码；在一基底上覆盖至少一个导电图案，所述导电图案在基底上的排布方式与所述二进制码相对应，导电图案所在位置对应所述二进制码的“1”，导电图案之间的未被导电图案覆盖的位置对应所述二进制码的“0”信息存储部件；提供一第一电极，使各所述导电图案电性连接至该第一电极。(三)有益效果通过上述技术方案，可知本专利技术的信息存储介质、装置和存储方法的有益效果在于：(1)本专利技术的信息存储方法简单，采用简单的沉积方式制备与待存储信息对应的金属图案；(2)本专利技术存储介质和存储装置的材料来源简单，成本较低，结构简单，生产工艺简单；(3)存储信息读取时，不需要对存储介质或者存储装置中的信息存储部件供电，存储极限更优于现有的光存储和磁存储方式。附图说明图1是本专利技术一实施例的信息存储装置示意图。图2是本专利技术一实施例的导电图案在基底上的分布方式。图3是本专利技术另一实施例的导电图案在基底上的分布方式。图4是本专利技术一实施例的第二电极与基底移动方式。图5是本专利技术另一实施例的第二电极与基底移动方式。图6是本专利技术一实施例的连接信号处理和显示电路的示意图。图7是图6中显示电路显示的一信号图。图8是本专利技术另一实施例的信息存储装置示意图。图9是本专利技术一实施例的信息存储介质的示意图。图10是本专利技术一实施例的信息存储方法示意流程图。图11是采用COMSO1理论模拟结果示意图。图12A和图12B分别是示例性存储介质和读取结果示意图。附图标记说明：100，200信息存储装置101，201信息存储部件1011，2011，3011基底1012，2012，3012导电图案1013，2013，3013导线2014，3014第二起电性膜102，202第一电极103，203第二电极1031第一起电性膜301信息存储介质具体实施方式根据本专利技术的基本构思，本专利技术提供在一基底材料上制作导电图案而写信息，通过读取探头在导电图案上移动(滑动摩擦或者在导电图案近邻的上方移动)而读取信息，提出了一种创新的存储和读取信息的方式。为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本专利技术作进一步的详细说明。在此说明所附的附图简化过且做为例示用。附图中所示的组件数量、形状及尺寸可依据实际情况而进行修改，且组件的配置可能更为复杂。本专利技术中也可进行其他方面的实践或应用，且不偏离本专利技术所定义的精神及范畴的条件下，可进行各种变化以及调整。本专利技术中所述的上方为相对概念，为一物体部分或全部位于另一物体相对的垂直方向上。例如，第二电极经过所述导电图案上方是指第二电极部分或者全部位于导电图案上方，经过过程中，第二电极与所述导电图案接触或者不接触。图1是本专利技术一实施例的信息存储装置示意图。信息存储装置100包括信息存储部件101。信息存储部件101是用于写入信息的部件，其所写入的信息可以是永久的不会丢失的，具体的可以是一硬盘或者存储服务器，本专利技术并不以此为限。此处的信息可以是信息所对应预先编译的ASCII码，并且是ASCII码对应的二进制码。图1所示，信息存储部件101包括有一基底1011。此处存储部件101也可以包括多个基底1011，例如硬盘上包括多个作为基底的盘片，所述基底呈阵列式排列在信息存储部件101中。基底1011优选选择采用非导电材料，举例来说可以为塑料或者玻璃，后期在其上可以制作导电图案和起电性膜。其中，基底1011上覆盖有至少一个导电图案1012，该导电图案1012分布在所述基底1011上。导电图案可以为金属图案，图案可以为任意形状的二维图案，例如矩形、方形、圆形、梯形、多边形、扇环形或者不规则图形，优选的导电图案为方形。导电图案1012可通过气相沉积的方式一次性沉积在所述基底1011上，之后将对导电图案1012的制备工艺进行介绍。当然，导电图案1012也可以位于基底1011的两侧，即基底1011的正反两侧都存储有信息。图2是本专利技术一实施例的导电图案在基底上的分布方式。导电图案1012在基底1011上的排布方式体现了所存储的信息，例如存储信息被编译为对应的ASCII码，ASCII码对应有相应的二进制码，基底1011上导电图案1012的排布方式反应相应的二进制码，导电图案1012所在位置对应所述二进制码的“1”，导电图案1012之间的未被导电图案覆盖的位置对应所述二进制码的“0”信息存储部件该信息存储装置100为用于存储信息的装置。例如图2所示，在每行中，导电图案自身的宽度，以及各导电图案之间的距离均为一设定长度的整数倍，该设定长度对应信息读取的一个位，根据存储密度的不同，相应的设定长度也存在差别。例如，第一行中本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种信息存储装置，包括：信息存储部件，包括：基底；至少一个导电图案，分布于所述基底上；第一电极，各所述导电图案电性连接至所述第一电极；第二电极，具有一底端，该底端包覆有第一起电性膜；所述第二电极配置为经驱动使所述第二电极的底端在所述基底上方移动，移动时当第二电极经过所述导电图案上方，所述第一电极和第二电极间形成电势差；或者是所述基底配置为经驱动在第二电极的底端下方移动，移动时当导电图案经过所述第二电极下方，所述第一电极和第二电极间形成电势差。

【技术特征摘要】
1.一种信息存储装置，包括：信息存储部件，包括：基底；至少一个导电图案，分布于所述基底上；第一电极，各所述导电图案电性连接至所述第一电极；第二电极，具有一底端，该底端包覆有第一起电性膜；所述第二电极配置为经驱动使所述第二电极的底端在所述基底上方移动，移动时当第二电极经过所述导电图案上方，所述第一电极和第二电极间形成电势差；或者是所述基底配置为经驱动在第二电极的底端下方移动，移动时当导电图案经过所述第二电极下方，所述第一电极和第二电极间形成电势差。2.根据权利要求1所述的信息存储装置，其特征在于，还包括第二起电性膜，所述第二起电性膜覆盖在所述导电图案上。3.根据权利要求1或2所述的信息存储装置，其特征在于，所述基底为矩形片，其上被划分成行列式排布的多个方格，所述移动方式为逐行移动，每一所述导电图案在行向上覆盖整数个方格。4.根据权利要求3所述的信息存储装置，其特征在于，所述导电图案的排布方式与待存储信息所编译形成的二进制码中的相对应，导电图案所在位置对应所述二进制码的“1”，导电图案之间的未被导电图案覆盖的方格对应所述二进制码的“0”。5.根据权利要求1或2所述的信息存储装置，其特征在于，所述基底为圆形片，其上在径向上被划分为多个圆环，每个圆环划分为多个扇环形格，所述移动方式为圆周运动，同一圆环的移动完成后递进至邻近圆环；每一所述导电图案在同一圆环上覆盖整数个扇环形格。6.根据权利要求5所述的信息存储装置，其特征在于，所述导电图案的排布方式与待存储信息所编译形成的二进制码相对应，导电图案所在位置对应所述二进制码的“1”，导电图案之间的未被导电图案覆盖的扇环形格对应所述二进制码的“0”。7.根据权利要求1-6任一项所述的信息存储装置，其特征在于，每一所述导电图案的面积大于其对应的第二电极底端的面积。8.根据权利要求1-7任一项所述的信息存储装置，其特征在于，所述第一起电性膜为负起电性膜。9.根据权利要求8所述的信息存储装置，其特征在于，所述负起电性膜材料为PTFE，FEP或者KAPTON。10.根据权利要求1-8任一项所述的信息存储装置，其特征在于，所述移动时，所述第二电极与所述信...

【专利技术属性】
技术研发人员：匡双阳，朱光，王中林，
申请(专利权)人：北京纳米能源与系统研究所，
类型：发明
国别省市：北京,11