In computer memory, a method of executing memory duplication of data deleting and single error correction double error detection (SEC DED) is performed, the method includes: reading data from an array of memory chips; calculating at least one hash based on the data; checking one or less in a physical row of ID hash and checking one or for two hash. A plurality of hash; determines whether a error is detected; when a error is detected, the data is corrected by changing each bit in the array of memory chips one time and one time, until the error is not detected; among them, at least one hash is calculated based on the changed data between each of the changed bits, and new data is used. One or more hash is compared with one or more of the physical row ID hashes and is compared with the two hash, and again determines whether the error is detected; and the corrected data is output when no error is detected.
【技术实现步骤摘要】
校正存储器中的错误的方法
根据本专利技术的实施例中的一个或多个方面总体涉及存储器中的错误校正。
技术介绍
双数据速率同步动态随机存取存储器(DDRSDRAM)是计算机中使用的一种类型的存储器集成电路(IC)。DDRSDRAM能够通过使用电气数据和时钟信号的时序控制来实现更快的传送速率,并且能够在时钟信号的上升沿和下降沿上传送数据,由此与使用相同时钟频率的单数据速率SDRAM接口相比有效地使数据总线带宽加倍,从而实现几乎双倍的带宽。不同代的DRAM能够在数据存储期间使用错误校正码(ECC)来检测及有时校正常见类型的数据损坏。通过使用奇偶校验,ECC存储器不受单比特错误的影响。在DRAM系统中,通过将表示存储在存储器中(例如,存储在DRAM模块的奇偶校验装置或ECC芯片中)的数据(例如,一个字节的数据)的奇偶校验(奇数或偶数)的冗余奇偶校验位、通过独立地计算奇偶校验,以及通过将存储的奇偶校验与计算的奇偶校验比较,以检测是否已经发生数据错误/存储器错误。因此,为确保从DRAM模块(例如,双列直插存储器模块(DIMM))取回的数据(其可对应于数据字或数据符号)与写入到DRAM模块的数据相同,ECC能够校正当数据的一个或多个位翻转到错误状态时出现的错误。也就是说,通过使用ECC冗余,ECC芯片能够进行单错校正双错检测(SEC-DED),这意味着ECC芯片能够检测在单个突发中发生的两个错误的存在,并且也能够在隔离中出现时校正单个错误位。也就是说,如果一个数据芯片损坏或丢失,则通过使用其余数据芯片的数据和ECC芯片的ECC数据,能够重建损坏的或缺失的数据芯片中的数据。因 ...
【技术保护点】
1.一种在计算机存储器中执行存储器重复数据删除和单错校正双错检测(SEC‑DED)的方法,所述方法包括:从存储器芯片的阵列中读取数据;基于所述数据计算至少一个散列;针对物理行ID散列中的至少一个并针对二次散列来检查一个或多个散列;确定是否检测到错误;当检测到错误时,通过一次一个地改变所述存储器芯片的阵列中的每一位来校正所述数据以产生新数据,直到没有检测到错误;其中在改变所述每一位之间,基于所改变的数据计算至少一个散列,并且将所述新数据的一个或多个散列与物理行ID散列中的一个或多个进行比较且与二次散列进行比较,并再次确定是否检测到错误;以及在没有检测到错误时,输出经校正的数据。
【技术特征摘要】
2017.01.04 US 62/442,319;2017.03.27 US 15/470,6571.一种在计算机存储器中执行存储器重复数据删除和单错校正双错检测(SEC-DED)的方法,所述方法包括:从存储器芯片的阵列中读取数据;基于所述数据计算至少一个散列;针对物理行ID散列中的至少一个并针对二次散列来检查一个或多个散列;确定是否检测到错误;当检测到错误时,通过一次一个地改变所述存储器芯片的阵列中的每一位来校正所述数据以产生新数据,直到没有检测到错误;其中在改变所述每一位之间,基于所改变的数据计算至少一个散列,并且将所述新数据的一个或多个散列与物理行ID散列中的一个或多个进行比较且与二次散列进行比较,并再次确定是否检测到错误;以及在没有检测到错误时,输出经校正的数据。2.根据权利要求1所述的方法,其中所述数据包括八个字节。3.根据权利要求1所述的方法,其中所述存储器芯片的阵列包括4位存储器芯片。4.根据权利要求1所述的方法,其中所述存储器芯片的阵列包括十六个存储器芯片。5.根据权利要求1所述的方法,其中所述阵列中的总位数是64。6.根据权利要求1所述的方法,其中所述物理行ID散列和所述二次散列包括16位散列。7.一种在计算机存储器中执行存储器重复数据删除和单芯片删除机制的方法,所述方法包括:从存储器芯片的阵列中读取数据;基于所述数据计算至少一个散列;针对物理行ID散列...
【专利技术属性】
技术研发人员:KT马拉迪,郑宏忠,
申请(专利权)人:三星电子株式会社,
类型:发明
国别省市:韩国,KR
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