一种异质结太阳能电池制造技术

本实用新型专利技术公开了一种异质结太阳能电池，包括n型单晶硅片，设在n型单晶硅片正面的第一本征非晶硅薄膜层，设在第一本征非晶硅薄膜层上的第一掺杂非晶硅薄膜层，设在第一掺杂非晶硅薄膜层上的第一透明导电薄膜层，设在第一透明导电薄膜层上的银浆栅线前电极，设在n型单晶硅片背面的第二本征非晶硅薄膜层，设在第二本征非晶硅薄膜层上的第二掺杂非晶硅薄膜层，设在第二掺杂非晶硅薄膜层上的第二导电薄膜层，设在第二导电薄膜层上的金属焊接盘，设在金属焊盘上的金属箔膜。本实用背面电极通过设置金属焊盘及金属箔膜，大幅降低了电池电极生产成本，减小了电池串联电阻，提升了电池转换效率。

A heterojunction solar cell

The utility model discloses a heterojunction solar cell, including a n type single crystal silicon chip, a first intrinsic amorphous silicon film layer on the front of a n type single crystal silicon sheet, a first doped amorphous silicon film layer on the first intrinsic amorphous silicon film layer, and a first transparent conductive film layer on the first doped amorphous silicon film layer, located in the first doped amorphous silicon film layer, and are located in the first transparent film layer. The silver paste front electrode on the first transparent conductive film layer is based on the second intrinsic amorphous silicon film layer on the back of the N type single crystal silicon film, the second doped amorphous silicon film layer on the second intrinsic amorphous silicon film layer, the second conductive thin film on the second doped amorphous silicon film layer, and the gold on the second conductive film layer. A metal foil film on a metal pad. By setting metal soldering plate and metal foil film, the utility back electrode greatly reduces the production cost of the battery electrode, reduces the battery series resistance, and improves the conversion efficiency of the battery.

【技术实现步骤摘要】
一种异质结太阳能电池
本技术涉及太阳能电池
，尤其涉及一种异质结太阳能电池。
技术介绍
太阳能电池是一种能将太阳能转换成电能的半导体器件，在光照条件下太阳能电池内部会产生光生电流，通过电极将电能输出。近年来，太阳能电池生产技术不断进步，生产成本不断降低，转换效率不断提高，太阳能电池发电的应用日益广泛并成为电力供应的重要能源。异质结太阳能电池是其中一种新型的电池技术，其综合了单晶硅太阳能电池和非晶硅太阳能电池的优势，有制备工艺温度低、转换效率更高、高温特性好等特点，因此具有很大的市场潜力。现有的异质结太阳能电池基本结构如下：在n型单晶硅片正、背面沉积一层本征非晶硅层；在正背面的本征非晶硅层表面分别沉积p型非晶硅层和n型非晶硅层；在电池的正背面沉积透明导电膜；在电池正背两面制作银栅电极，整个制备过程都是在低于220℃下进行的。从现有的异质结太阳能电池基本结构可以看出，异质结太阳能电池制备过程都在220度下进行，目前市场上一般采用低温银浆作为栅线电极，低温银浆与目前晶硅电池使用的高温银浆对比，印刷宽度更宽，耗用量更大，市场价格非常昂贵，另外电池背面采用的银浆用量通常是正面的2～3倍，因此背面银浆栅线大幅增加了电池的生产成本。
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有技术中的缺陷，提供一种异质结太阳能电池，使其具有成本低、转换效率高的特点。为解决上述技术问题，本技术所采用的技术方案是：一种异质结太阳能电池，包括n型单晶硅片，设在n型单晶硅片正面的第一本征非晶硅薄膜层，设在第一本征非晶硅薄膜层上的第一掺杂非晶硅薄膜层，设在第一掺杂非晶硅薄膜层上的第一透明导电薄膜层，设在第一透明导电薄膜层上的银浆栅线前电极，设在n型单晶硅片背面的第二本征非晶硅薄膜层，设在第二本征非晶硅薄膜层上的第二掺杂非晶硅薄膜层，设在第二掺杂非晶硅薄膜层上的第二导电薄膜层，设在第二导电薄膜层上的金属焊接盘，设在金属焊盘上的金属箔膜。优选的，所述第一掺杂非晶硅薄膜层为n型非晶硅薄膜层时，所述第二掺杂非晶硅薄膜层则为p型非晶硅薄膜层；所述第一掺杂非晶硅薄膜层为p型非晶硅薄膜层时，所述第二掺杂非晶硅薄膜层则为n型非晶硅薄膜层。优选的，所述第一透明导电薄膜层的厚度为10～150nm、第二导电薄膜层的厚度为10～150nm，所述第一本征非晶硅薄膜层厚度为4～10nm，第一掺杂非晶硅薄膜层厚度为4～10nm、第二本征非晶硅薄膜层厚度为4～10nm，第二掺杂非晶硅薄膜层厚度为5～15nm。优选的，所诉第一透明导电薄膜层及第二透明导电薄膜层为氧化铟锡薄膜、掺铝氧化锌薄膜、掺钨氧化铟中的至少一种。优选的，所述金属焊盘中的金属为银浆、银铜浆、锡膏中的至少一种，厚度为1～30um。优选的，所述金属箔膜为铜箔、镀锡铜箔中的一种，厚度为10～500um，方阻小于0.05Ω/□。由上述对本技术结构的描述可知，和现有技术相比，本技术具有如下优点：本技术采用以上设计方案，背面电极通过印刷金属焊盘，然后将高电导的金属箔膜压焊在金属焊盘上，大幅降低了电池电极生产成本，减小了电池串联电阻，提升了电池转换效率，同时本技术生产工艺流程简单，操作便捷，非常适合大批量自动化生产。附图说明构成本申请的一部分的附图用来提供对本技术的进一步理解，本技术的示意性实施例及其说明用于解释本技术，并不构成对本技术的不当限定。在附图中：图1为本技术一种异质结太阳能电池的结构示意图；图2为本技术金属焊盘点状图案示意图；图3为本技术金属焊线条状图案示意图；图4为本技术金属箔膜整块图案示意图；图5为本技术金属箔膜异性图案示意图；图6为本技术多主栅图案金属栅线前电极示意图。具体实施方式为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。实施例如图1所示，本技术提供了一种异质结太阳能电池，其包括n型单晶硅片1，设在n型单晶硅片1正面的第一本征非晶硅薄膜层2，设在第一本征非晶硅薄膜层2上的第一掺杂非晶硅薄膜层4，设在第一掺杂非晶硅薄膜层4上的第一透明导电薄膜层6，设在第一透明导电薄膜层6上的银浆栅线前电极8。设在n型单晶硅片1背面的第二本征非晶硅薄膜层3，设在第二本征非晶硅薄膜,3上的第二掺杂非晶硅薄膜层5，设在第二掺杂非晶硅薄膜5上的第二导电薄膜层7，设在第二导电薄膜7上的金属焊接盘9，设在金属焊9上的金属箔膜10。其中，所述第一掺杂非晶硅薄膜层4为n型非晶硅薄膜层时，所述第二掺杂非晶硅薄膜层5则为p型非晶硅薄膜层；所述第一掺杂非晶硅薄膜层4为p型非晶硅薄膜层时，所述第二掺杂非晶硅薄膜层5则为n型非晶硅薄膜层。所述第一透明导电薄膜层6的厚度为10～150nm，第二导电薄膜层7的厚度为10～150nm，所述第一本征非晶硅薄膜2厚度为4～10nm，第一掺杂非晶硅薄膜层厚度为4～10nm、第二本征非晶硅薄膜层3厚度为4～10nm，第二掺杂非晶硅薄膜层厚度为5～15nm。所诉第一透明导电薄膜层6及第二透明导电薄膜层7为氧化铟锡薄膜、掺铝氧化锌薄膜、掺钨氧化铟中的至少一种。所述金属焊盘9中的金属为银浆、银铜浆、锡膏中的至少一种，厚度为1～30um。如图2、图3所示，所述金属焊盘9图案可以为点状图案或线条状图案。所述金属箔膜10为铜箔、镀锡铜箔中的一种。所述金属箔膜10的厚度为10～500um，所述金属箔膜10的方阻小于0.05Ω/□。如图4、图5所示，所述金属箔膜10图案为整块图案或异性图案。如图6所示，所述金属栅线前电极8的图案为多主栅图案栅线电极。在本技术中，电池背面采用印刷金属焊盘，然后将高电导的金属箔膜压焊在金属焊盘上，大幅降低了电池电极生产成本，减小了电池串联电阻，提升了电池转换效率。同时本技术生产工艺流程简单，操作便捷，非常适合大批量自动化生产。以上所述仅为本技术的较佳实施例而已，并不用以限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种异质结太阳能电池，其特征在于：包括n型单晶硅片，设在n型单晶硅片正面的第一本征非晶硅薄膜层，设在第一本征非晶硅薄膜层上的第一掺杂非晶硅薄膜层，设在第一掺杂非晶硅薄膜层上的第一透明导电薄膜层，设在第一透明导电薄膜层上的银浆栅线前电极，设在n型单晶硅片背面的第二本征非晶硅薄膜层，设在第二本征非晶硅薄膜层上的第二掺杂非晶硅薄膜层，设在第二掺杂非晶硅薄膜层上的第二导电薄膜层，设在第二导电薄膜层上的金属焊接盘，设在金属焊盘上的金属箔膜。

【技术特征摘要】
1.一种异质结太阳能电池，其特征在于：包括n型单晶硅片，设在n型单晶硅片正面的第一本征非晶硅薄膜层，设在第一本征非晶硅薄膜层上的第一掺杂非晶硅薄膜层，设在第一掺杂非晶硅薄膜层上的第一透明导电薄膜层，设在第一透明导电薄膜层上的银浆栅线前电极，设在n型单晶硅片背面的第二本征非晶硅薄膜层，设在第二本征非晶硅薄膜层上的第二掺杂非晶硅薄膜层，设在第二掺杂非晶硅薄膜层上的第二导电薄膜层，设在第二导电薄膜层上的金属焊接盘，设在金属焊盘上的金属箔膜。2.根据权利要求1所述一种异质结太阳能电池，其特征在于：所述第一掺杂非晶硅薄膜层为n型非晶硅薄膜层时，所述第二掺杂非晶硅薄膜层则为p型非晶硅薄膜层；所述第一掺杂非晶硅薄膜层为p型非晶硅薄膜层时，所述第二掺杂非晶硅薄膜层则为n型非晶硅薄膜层。3.根据权利要求1所述一种异...

【专利技术属性】
技术研发人员：张超华，王树林，杨与胜，
申请(专利权)人：福建金石能源有限公司，
类型：新型
国别省市：福建,35