蚀刻液组合物、配线、显示装置用阵列基板及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供蚀刻液组合物、配线、显示装置用阵列基板及其制造方法，该蚀刻液组合物包含硝酸、磷酸、乙酸、氯系化合物、磺酸系化合物、硫酸盐系化合物和水。相对于蚀刻液组合物总重量，磷酸为40～60重量％，硝酸为5～9重量％，乙酸为15～25重量％，氯系化合物为0.1～2重量％，磺酸系化合物为0.5～3重量％，硫酸盐系化合物为0.5～3重量％，水为使蚀刻液组合物总重量成为100重量％的余量。本发明专利技术的蚀刻液组合物具有蚀刻直进性和蚀刻均匀性优异的效果。此外，本发明专利技术的蚀刻液组合物具有在蚀刻透明导电膜时不产生尖端的效果。

Etching liquid composition, wiring, array substrate for display device and manufacturing method thereof

The invention provides an etching solution composition, a wiring, an array substrate used for a display device and a manufacturing method, comprising nitric acid, phosphoric acid, acetic acid, chlorinated compounds, sulfonic compounds, sulphate system compounds and water. Compared with the total weight of the etchant composition, phosphoric acid is 40~60 weight%, nitric acid is 5~9 weight%, acetic acid is 15~25 weight%, chloric compounds are 0.1 to 2 weight%, sulfonic compounds are 0.5 to 3 weight%, sulfate series compounds are 0.5 to 3 weight%, and the total weight of etchant assemblage is 100 weight%. Remainder. The etching liquid composition of the invention has the advantages of straight etching and excellent etching uniformity. In addition, the etching liquid composition of the invention has no effect of producing a tip when etching transparent conductive film.

【技术实现步骤摘要】
蚀刻液组合物、配线、显示装置用阵列基板及其制造方法
本专利技术涉及蚀刻液组合物、由该蚀刻液组合物制造的配线、利用该蚀刻液组合物的显示装置用阵列基板的制造方法及显示装置用阵列基板。
技术介绍
一般而言，平板显示装置根据驱动方法分为无源驱动(passivematrix)方式和有源驱动(activematrix)方式，有源驱动方式具有使用薄膜晶体管(ThinFilmTransistor；TFT)的电路。这样的电路主要用于液晶显示装置(LiquidCrystalDisplay；LCD)和有机电致发光显示装置(OrganicElectroluminescencedisplay；OELD)等平板显示装置中。上述有源驱动方式的平板显示装置不仅分辨率及视频呈现能力优异，而且对于显示装置的大面积化更加有利。这样的有源驱动方式的平板显示装置需要通过将由相互不同的导电物质形成的各个导电膜图案化来形成包含栅电极、源电极/漏电极的薄膜晶体管、众多的配线及像素电极。例如，上述栅电极由作为低电阻的导电物质的Al、Mo、Cu及它们的合金形成。此外，上述源电极/漏电极由Mo、Cr、Al及它们的合金形成，作为上述像素电极，由ITO或IZO的透明电极形成。此外，上述导电膜可以由单层膜形成，但为了获得更佳的特性，也可以由利用相互不同的物质形成的多层膜形成。此时，由相互不同的物质形成的导电膜由于蚀刻速度差异之类的特性相互不同，因此利用具有相同的组成的蚀刻液进行蚀刻工序时存在困难。此外，由于需要利用具有相互不同的组成的蚀刻液，因此也不得不使用不同的设备来进行蚀刻工序。因而，用于形成上述薄膜晶体管及众多的配线的蚀刻工序会变得复杂，制造费用和时间增多而制品的生产率可能降低。为了解决上述问题，正活跃地进行着针对能够同时蚀刻由相互不同的物质形成的导电膜的蚀刻液的开发。例如，公开了能够同时蚀刻铝和ITO的蚀刻液组合物。因而，通过利用相同的蚀刻液对栅电极和像素电极进行蚀刻工序，能够实现生产率的提高。但是，以往的蚀刻液组合物仍然带有蚀刻直进性及均匀性不佳的问题。
技术实现思路
所要解决的课题本专利技术的目的在于，提供蚀刻直进性和均匀性优异的蚀刻液组合物。此外，本专利技术的目的在于，提供在蚀刻透明导电膜时能够抑制尖端(Tip)产生的蚀刻液组合物。此外，本专利技术的目的在于，提供由上述蚀刻液组合物蚀刻而成的配线。此外，本专利技术的目的在于，提供使用上述蚀刻液组合物的显示装置用阵列基板的制造方法。解决课题的方法为了实现上述目的，本专利技术提供一种蚀刻液组合物，相对于蚀刻液组合物总重量，包含：磷酸40～60重量％；硝酸5～9重量％；乙酸15～25重量％；氯系化合物0.1～2重量％；磺酸系化合物0.5～3重量％；硫酸盐系化合物0.5～3重量％；和使蚀刻液组合物总重量成为100重量％的余量的水。此外，本专利技术提供由上述本专利技术的蚀刻液组合物蚀刻而成的配线。此外，本专利技术提供显示装置用阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：(a)在基板上形成栅极配线的步骤；(b)在包含上述栅极配线的基板上形成栅极绝缘层的步骤；(c)在上述栅极绝缘层上形成半导体层的步骤；(d)在上述半导体层上形成源电极和漏电极的步骤；及(e)形成与上述漏电极连接的像素电极或反射膜的步骤，上述(a)步骤、(d)步骤和(e)步骤中的任一步骤以上包括利用上述本专利技术的蚀刻液组合物进行蚀刻而形成各栅极配线、源电极和漏电极、像素电极或反射膜的工序。此外，本专利技术提供通过上述本专利技术的制造方法制造的显示装置用阵列基板。专利技术效果本专利技术的蚀刻液组合物具有蚀刻直进性和蚀刻均匀性优异的效果。此外，本专利技术的蚀刻液组合物具有在蚀刻透明导电膜时不产生尖端的效果。附图说明图1是表示侧蚀(sideetch)优秀的结果的SEM照片。图2是表示侧蚀不良的结果的SEM照片。图3是表示锥角(taperangle)优秀的结果的SEM照片。图4是表示锥角不良的结果的SEM照片。图5是表示未产生ITO尖端的结果的SEM照片。图6是表示产生ITO尖端的结果的SEM照片。图7是表示未产生下部膜损伤的结果的SEM照片。图8是表示产生下部膜损伤的结果的SEM照片。具体实施方式以下，更详细地说明本专利技术。本专利技术涉及一种蚀刻液组合物，相对于蚀刻液组合物总重量，包含：磷酸40～60重量％；硝酸5～9重量％；乙酸15～25重量％；氯系化合物0.1～2重量％；磺酸系化合物0.5～3重量％；硫酸盐系化合物0.5～3重量％；和使蚀刻液组合物总重量成为100重量％的余量的水。本专利技术的蚀刻液组合物具有斜面的蚀刻直进性和蚀刻均匀性优异的优点。此外，在蚀刻包含透明导电膜的多层膜时，具有抑制透明导电膜的尖端(tip)产生的效果。本专利技术的蚀刻液组合物能够蚀刻由铝或铝合金形成的单层膜、或由上述单层膜和透明导电膜构成的多层膜，但不限定于此。上述的铝合金没有特别限定，作为具体例，可以为以铝为主成分且包含选自镍(Ni)、铜(Cu)、锌(Zn)、锰(Mn)、铬(Cr)、锡(Sn)、钯(Pd)、钕(Nd)、铌(Nb)、钼(Mo)、镁(Mg)、钨(W)、镤(Pa)、镧(La)和钛(Ti)等中的一种以上的金属的铝合金膜，更优选可以为包含镍(Ni)或镧(La)的铝合金膜。作为上述透明导电膜的具体例，可以举出氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡锌(ITZO)或氧化铟镓锌(IGZO)等，但不限定于此。作为上述多层膜的更具体的例子，可以举出透明导电膜/铝(Al)或透明导电膜/铝合金等双层膜、透明导电膜/铝(Al)/透明导电膜或透明导电膜/铝合金/透明导电膜等三层膜等，但不限定于此。以下，对构成本专利技术的蚀刻液组合物的成分进行说明。(A)磷酸(H3PO4)本专利技术的蚀刻液组合物中所包含的磷酸是主氧化剂，优选发挥在蚀刻铝/透明导电膜的多层膜时使铝和透明导电膜氧化而进行湿式蚀刻的作用。相对于本专利技术的蚀刻液组合物总重量，上述磷酸的含量为40～60重量％，优选为45～55重量％。如果上述磷酸的含量低于40重量％，则铝膜的蚀刻速度降低，使铝膜产生残渣而可能导致不良。此外，如果含量超过60重量％，则在蚀刻铝/透明导电膜的多层膜时，透明导电膜的蚀刻速度降低，铝膜的蚀刻速度变得过快，上部和下部的透明导电膜产生尖端，因过蚀刻而可能使后续工序出现问题。(B)硝酸(HNO3)本专利技术的蚀刻液组合物中所包含的硝酸是助氧化剂，优选发挥在蚀刻铝/透明导电膜的多层膜时使铝和透明导电膜氧化而进行湿式蚀刻的作用。相对于本专利技术的蚀刻液组合物总重量，上述硝酸的含量为5～9重量％，优选为6～8重量％。如果上述硝酸的含量低于5重量％，则在蚀刻铝/透明导电膜时，发生铝膜和透明导电膜的蚀刻速度降低，因此蚀刻均匀性(uniformity)变差而产生斑纹。此外，如果超过9重量％，则上部和下部的透明导电膜的蚀刻速度变快，发生过蚀刻而使后续工序出现问题。(C)乙酸(CH3COOH)本专利技术的蚀刻液组合物中所包含的乙酸是助氧化剂，发挥使铝氧化而进行湿式蚀刻的作用。相对于本专利技术的蚀刻液组合物总重量，上述乙酸的含量为15～25重量％，优选为18～23重量％。如果上述乙酸的含量低于15重量％，则蚀刻速度变得不均匀，使基板产生斑纹，如果含量超过25重量％，则蚀刻液组合物可能产生泡沫，当泡沫存在于本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种蚀刻液组合物，相对于蚀刻液组合物总重量，包含：磷酸40～60重量％；硝酸5～9重量％；乙酸15～25重量％；氯系化合物0.1～2重量％；磺酸系化合物0.5～3重量％；硫酸盐系化合物0.5～3重量％；和使蚀刻液组合物总重量成为100重量％的余量的水。

【技术特征摘要】
2017.01.03 KR 10-2017-00006761.一种蚀刻液组合物，相对于蚀刻液组合物总重量，包含：磷酸40～60重量％；硝酸5～9重量％；乙酸15～25重量％；氯系化合物0.1～2重量％；磺酸系化合物0.5～3重量％；硫酸盐系化合物0.5～3重量％；和使蚀刻液组合物总重量成为100重量％的余量的水。2.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其特征在于，所述氯系化合物包含选自由氯化钠、氯化钾和氯化铵组成的组中的一种以上。3.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其特征在于，所述磺酸系化合物包含选自由甲烷磺酸、苯磺酸和氨基磺酸组成的组中的一种以上。4.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其特征在于，所述硫酸盐系化合物包含选自由硫酸镁、硫酸铵、硫酸钠和硫酸钾组成的组中的一种以上。5.根据权利要求4所述的蚀刻液组合物，其特征在于，所述硫酸盐系化合物包含硫酸镁。6.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其特征在于，所述蚀刻液组合物蚀刻由铝或铝合金形成的单层膜、或由上述单层膜和透明导电膜构成的多层膜。7.根据权利要求6所述的蚀刻液组合物，其特征在于，所述透明导电膜包含选...

【专利技术属性】
技术研发人员：李承洙，权玟廷，沈庆辅，
申请(专利权)人：东友精细化工有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR