The utility model discloses a radio frequency switch, which comprises a substrate, a resistor, a substrate contact area formed in the substrate, connected to the ground end through the resistance, and a plurality of radio frequency switching units formed in the substrate; each of the RF switching units comprises a deep N well formed in the substrate, formed at the bottom of the substrate. The P well area in the deep N well region, the deep N well contact area formed in the deep N well area, the N+ source region, the N+ leakage region and the P well contact area formed in the P well area, the gate oxidation layer between the N+ source and the N+ leaky zone, and the polysilicon grid above the gate oxide layer. The substrate in the utility model is connected by a large resistor to the grounding end, thus preventing the AC signal from discharging and placing the ground, suspending the AC potential of the substrate, improving the voltage resistance of the forward and reverse paths of the RF switch, and improving the maximum tolerance of the RF switch.
【技术实现步骤摘要】
CMOS工艺的悬浮衬底的射频开关
本技术涉及半导体领域,特别涉及一种CMOS工艺的悬浮衬底的射频开关。
技术介绍
现有的CMOS(ComplementaryMetalOxideSemiconductor)工艺的射频开关的设计:通常采用三阱工艺:p-well,Deep-nwell和p-sub三层阱来隔离射频信号,以达到提高射频耐压的目的。其中p-well的直流偏置电压由控制信号控制,Deep-nwell的直流偏置电压一般控制在﹢3V左右,而p-sub电压一般是接到0V(GND);这样,就可以通过p-well到Deep-nwell(P到N)和Deep-nwell到p-sub(N到P)的PN结来隔离射频电压。限于标准CMOS工艺中PN结的耐压限制(一般PN结的反向击穿电压在7V~8V左右),上述典型设计的三阱CMOS射频开关一般只能耐受10V左右的电压,超过10V的电压会将PN结反向击穿,导致射频功率泄露,从而开关的隔离度和插损等参数会急剧变差。实测的数据,一般CMOS工艺做的三阱射频开关,最大耐受功率大约是30dBm左右,这在现代的发送模式下,是不够的。因此有必要提供一种新的解决方案来解决上述问题。
技术实现思路
本技术的目的之一在于提供一种CMOS工艺的射频开关,其衬底悬浮设置,可以提高最大耐受功率。为了实现本技术的目的,本技术提供一种射频开关,其包括:衬底;电阻;形成于所述衬底内的衬底接触区,其通过所述电阻连接至接地端;和形成于衬底内的多个射频开关单元;其中每个射频开关单元包括形成于所述衬底内的深N阱区、形成于深N阱区内的P阱区、形成于深N阱区内的深N ...
【技术保护点】
1.一种射频开关,其特征在于,其包括:衬底;电阻;形成于所述衬底内的衬底接触区,其通过所述电阻连接至接地端;和形成于衬底内的多个射频开关单元;其中每个射频开关单元包括形成于所述衬底内的深N阱区、形成于深N阱区内的P阱区、形成于深N阱区内的深N阱接触区、形成于P阱区内的间隔的N+源极区、N+漏极区和P阱接触区、位于P阱区的上方且位于N+源极区和N+漏极区之间的栅极氧化层、位于栅极氧化层上方的多晶硅栅极。
【技术特征摘要】
1.一种射频开关,其特征在于,其包括:衬底;电阻;形成于所述衬底内的衬底接触区,其通过所述电阻连接至接地端;和形成于衬底内的多个射频开关单元;其中每个射频开关单元包括形成于所述衬底内的深N阱区、形成于深N阱区内的P阱区、形成于深N阱区内的深N阱接触区、形成于P阱区内的间隔的N+源极区、N+漏极区和P阱接触区、位于P阱区的上方且位于N+源极区和N+漏极区之间的栅极氧化层、位于栅极氧化层上方的多晶...
【专利技术属性】
技术研发人员:承继,
申请(专利权)人:无锡中普微电子有限公司,
类型:新型
国别省市:江苏,32
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