基于离子风的平面膜式芯片散热装置制造方法及图纸

技术编号:18404072 阅读:6 留言:0更新日期:2018-07-08 22:17
本实用新型专利技术公开了一种基于离子风的平面膜式芯片散热装置,包括:高压发生器,高压发生器用于将输入的第一交流电转换为第一直流电,其中,第一直流电的电压大于第一交流电的电压;离子风发生组件,离子风发生组件包括在同一平面上分离设置的板电极和线电极,线电极与板电极的一侧边相距预设距离,线电极和板电极中的一个连接到第一直流电的正极端、另一个连接到第一直流电的负极端,其中,离子风发生组件用以贴设在芯片表面,离子风发生组件在第一直流电的作用下产生离子风以对芯片进行散热。根据本实用新型专利技术的装置,不仅能够提高散热效果,降低能耗,而且体积和质量均较小,适于应用于高精密电子器件。

Radiating device of planar film chip based on ion wind

The utility model discloses a plane film type chip cooling device based on the ion wind, which comprises a high voltage generator and a high pressure generator to convert the first alternating current into the first direct current, in which the voltage of the first direct current is larger than the voltage of the first alternating current; the ion wind generator, the ion wind generator package, is used. The plate electrode and wire electrode are separated from the same plane. The line electrode is separated from the side of the plate electrode, one of the line electrodes and the plate electrodes is connected to the positive extremes of the first direct current, and the other is connected to the first direct current. The sub wind generating component generates the ion wind to dissipate heat on the chip under the action of the constant current. According to the device of the utility model, it can not only improve the effect of heat dissipation, reduce energy consumption, but also have small volume and quality, and is suitable for high precision electronic devices.

【技术实现步骤摘要】
基于离子风的平面膜式芯片散热装置
本技术涉及电子设备
,特别涉及一种基于离子风的平面膜式芯片散热装置。
技术介绍
电子器件中芯片的发热会对电子器件的性能产生较大影响。为加快芯片的散热,电子器件中大多设置有风扇。而风扇占用体积较大,且运行时会产生噪声。目前,相关技术开始对离子风进行深入研究,即通过对两个电极进行通电,以在两个电极之间形成离子风。然而目前产生离子风的装置大多是针-针电极、针-网电极等立体结构,若通过该装置对芯片进行散热,仍然存在占用空间较大的问题。
技术实现思路
本技术旨在至少在一定程度上解决上述技术中的技术问题之一。为此,本技术的目的在于提出一种基于离子风的平面膜式芯片散热装置,不仅能够提高散热效果,降低能耗,而且体积和质量均较小。为达到上述目的,本技术提出的基于离子风的平面膜式芯片散热装置,包括:高压发生器,所述高压发生器用于将输入的第一交流电转换为第一直流电,其中,所述第一直流电的电压大于所述第一交流电的电压;离子风发生组件,所述离子风发生组件包括在同一平面上分离设置的板电极和线电极,所述线电极与所述板电极的一侧边相距预设距离,所述线电极和所述板电极中的一个连接到所述第一直流电的正极端、另一个连接到所述第一直流电的负极端,其中,所述离子风发生组件用以贴设在芯片表面,所述离子风发生组件在所述第一直流电的作用下产生离子风以对所述芯片进行散热。根据本技术的基于离子风的平面膜式芯片散热装置,离子风发生组件包括在同一平面上分离设置的板电极和线电极,且线电极与板电极的一侧边相距预设距离,离子风发生组件可贴设在芯片表面,当板电极和线电极分别连接到直流高压两端时,可产生离子风以对芯片进行散热,由此,不仅能够提高散热效果,降低能耗,而且体积和质量均较小,适于应用于高精密电子器件。另外,根据本技术提出的基于离子风的平面膜式芯片散热装置还可以具有如下附加的技术特征:根据本技术的一个实施例,所述板电极为矩形金属板,所述线电极为金属丝。进一步地,所述矩形金属板的厚度为0.1mm~0.2mm,所述金属丝的直径为0.05mm。根据本技术的一个实施例,所述线电极和所述板电极集成设置为膜式结构以构成所述离子风发生组件。根据本技术的一个实施例,所述板电极的一侧边开设锯齿。其中,所述预设距离与阈值电压呈正相关关系,其中,当所述第一直流电的电压大于阈值电压时,所述离子风发生组件不产生离子风。根据本技术的一个实施例,所述第一交流电的电压为220V,所述第一直流电的电压为3kV~40kV。附图说明图1为根据本技术实施例的基于离子风的平面膜式芯片散热装置的方框示意图;图2为根据本技术一个实施例的高压发生器的电路图;图3为根据本技术一个实施例的离子风发生组件的结构示意图;图4为根据本技术一个实施例的离子风发生组件在芯片上产生气流的示意图;图5为根据本技术另一个实施例的离子风发生组件的结构示意图。具体实施方式下面详细描述本技术的实施例,所述实施例的示例在附图中示出,其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的,旨在用于解释本技术,而不能理解为对本技术的限制。下面结合附图来描述本技术实施例的基于离子风的平面膜式芯片散热装置。图1为根据本技术实施例的基于离子风的平面膜式芯片散热装置的方框示意图。如图1所示,本技术实施例的基于离子风的平面膜式芯片散热装置,包括高压发生器10和离子风发生组件20。其中,高压发生器10用于将输入的第一交流电转换为第一直流电,其中,第一直流电的电压大于第一交流电的电压。如图2所示,高压发生器10可包括变压器11和整流器12。在本技术的一个实施例中,第一交流电的电压为220V,第一直流电的电压为3kV~40kV。也就是说,对于高压发生器10输入的220V的第一交流电,在通过变压器11对进行升压后,再通过整流器12进行整流,然后通过极性电容C进行滤波,可输出3kV~40kV的第一直流电。如图1和图3所示,离子风发生组件20包括在同一平面上分离设置的板电极21和线电极22,线电极22与板电极21的一侧边相距预设距离d。其中,线电极21和板电极22中的一个连接到第一直流电的正极端、另一个连接到第一直流电的负极端。例如,可将板电极22连接到第一直流电的正极端,并将线电极21连接到第一直流电的负极端。如图4所示,离子风发生组件20可贴设在芯片表面,离子风发生组件20可在第一直流电的作用下产生离子风以对芯片进行散热。在实际工艺中,可将板电极21和线电极22分别贴设在芯片表面,满足板电极21和线电极22处于同一平面,且线电极22与板电极21靠近线电极22的一侧边相距预设距离即可。或者,可先通过相关加工工艺将线电极22和所述板电极21集成设置为膜式结构以构成离子风发生组件20,在后续工艺中可直接将膜式结构的离子风发生组件20整体贴设在芯片表面。当高压发生器10接入第一交流电时,可将第一交流电转换为电压较高的第一直流电,离子风发生组件20中的板电极21和线电极22由于分别连接到第一直流电的两端,因而在板电极21和线电极22之间可在低电流高电压的作用下形成稳定的高压电场,并将周围空气电离形成离子体,离子体在电场的作用下由板电极21处定向移动到线电极22处,或者由线电极22处定向移动到板电极21处,从而形成离子风即图4所示的气流,达到对芯片进行散热的目的。在一个具体实施例中,板电极为矩形金属板,矩形金属板的厚度为0.1mm~0.2mm,线电极为金属丝,金属丝的直径为0.05mm。通过将厚度较小的矩形金属板和直径较小的金属丝设置在同一平面上,使得本技术实施例的离子风发生组件形成片状结构,体积和质量均较小,因而本技术实施例的装置尤其适用于精密器件和对小型化要求较为苛刻的电子设备,例如电脑的处理器等。在本技术的其他实施例中,还可将芯片与离子风发生组件20设置在一个腔体,如散热盒之内,从而能够使散热盒内的空气流动,实现对芯片的散热。由于片状结构的离子风发生组件20体积和质量均较小,散热盒的体积和质量也对应较小。在本技术的一个实施例中,如图5所示,板电极22的一侧边可开设锯齿,能够增大离子风的风量和提高离子风的均匀性。需要说明的是,当第一直流电的电压大于阈值电压时,离子风发生组件不产生离子风。而上述的预设距离与该阈值电压呈正相关关系。因此,为确定预设距离和第一直流电的电压的大小,可预先测定预设距离与阈值电压之间的关系。在本技术的一个具体实施例中,当板电极22为铜板,且板电极22连接到第一直流电的正极端、线电极21连接到第一直流电的负极端时,预设距离d和阈值电压U0的关系可如表1所示。表1d(mm)51015202530354045U0(kv)6.249.0012.7614.9615.0316.0017.3517.4818.60当板电极22为铜板,且板电极22连接到第一直流电的负极端、线电极21连接到第一直流电的正极端时,预设距离d和阈值电压U0的关系可如表2所示。表2d(mm)51015202530354045U0(kv)6.949.2013.301本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于离子风的平面膜式芯片散热装置,其特征在于,包括:高压发生器,所述高压发生器用于将输入的第一交流电转换为第一直流电,其中,所述第一直流电的电压大于所述第一交流电的电压;离子风发生组件,所述离子风发生组件包括在同一平面上分离设置的板电极和线电极,所述线电极与所述板电极的一侧边相距预设距离,所述线电极和所述板电极中的一个连接到所述第一直流电的正极端、另一个连接到所述第一直流电的负极端,其中,所述离子风发生组件用以贴设在芯片表面,所述离子风发生组件在所述第一直流电的作用下产生离子风以对所述芯片进行散热。

【技术特征摘要】
1.一种基于离子风的平面膜式芯片散热装置,其特征在于,包括:高压发生器,所述高压发生器用于将输入的第一交流电转换为第一直流电,其中,所述第一直流电的电压大于所述第一交流电的电压;离子风发生组件,所述离子风发生组件包括在同一平面上分离设置的板电极和线电极,所述线电极与所述板电极的一侧边相距预设距离,所述线电极和所述板电极中的一个连接到所述第一直流电的正极端、另一个连接到所述第一直流电的负极端,其中,所述离子风发生组件用以贴设在芯片表面,所述离子风发生组件在所述第一直流电的作用下产生离子风以对所述芯片进行散热。2.根据权利要求1所述的基于离子风的平面膜式芯片散热装置,其特征在于,所述板电极为矩形金属板,所述线电极为金属丝。3.根据权利要求2所述的基于离子风的平面膜式芯...

【专利技术属性】
技术研发人员:胡金顶刘志文冯聪曹志欣豆业辉
申请(专利权)人:中国矿业大学
类型:新型
国别省市:江苏,32

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