The present invention relates to a driver for driving an audio converter, such as an integrated circuit output driver operating D, a control method and a hearing device. The integrated circuit output driver includes a first half bridge driver, which includes a first PMOS transistor and a first NMOS transistor connected in series between a positive power supply voltage rail and a negative power supply voltage rail. The first substrate terminal is connected to the substrate of the first PMOS transistor for receiving the first reverse bias voltage, and the second substrate terminal is connected to the substrate of the first NMOS transistor for receiving the second reverse bias voltage. The integrated circuit output driver includes a bias voltage generator, which is configured to adjust the first reverse bias voltage and at least one of the second reverse bias voltages to control at least one of the first PMOS transistor and the first NMOS transistor. Integrated circuit output drivers are suitable for use in hearing aids, headphones and similar small portable audio devices.
【技术实现步骤摘要】
包括具有可调反向偏压的MOS开关的输出驱动器
本专利技术涉及一种用于驱动音频变换器的例如操作为D类的集成电路输出驱动器。该集成电路输出驱动器包括具有第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管的第一半桥驱动器,第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管串联连接在正电源电压轨和负电源电压轨之间。第一衬底(body)端子连接至第一PMOS晶体管的衬底,用于接收第一反向偏置电压,并且第二衬底端子连接至第一NMOS晶体管的衬底,用于接收第二反向偏置电压。该集成电路输出驱动器包括偏置电压发生器,该偏置电压发生器配置为调整第一反向偏置电压和第二反向偏置电压中的至少一个,以控制第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管中的至少一个的导通电阻。该集成电路输出驱动器适合于在助听器、耳机和类似的小型便携式音频装置中使用。
技术介绍
用于驱动音频变换器的集成电路输出驱动器(例如单端输出驱动器或差分/H桥输出驱动器)在本领域中是已知的。此类集成电路输出驱动器的设计要求仔细地考虑若干折中考虑。这些折中考虑是半导体面积消耗、功率消耗和输出阻抗。该集成电路输出驱动器也可能需要支持音频变换器的若干阻抗水平,以提供对各种应用中的特定应用的灵活性和适应性。在听力设备应用中,如果输出驱动器能够驱动具有不同电阻抗的不同类型的接收器或微型扬声器,则可能是有利的。能够在使用者的耳朵中产生高声压水平的高功率接收器通常具有相对低的阻抗,而通常产生相对较小的声压水平的低功率接收器通常具有相对高的电阻抗。当加载高功率接收器时,难以实现集成电路输出驱动器的令人满意的功率转换效率,除非如在下面另外详细地解释的,输出驱动器的输 ...
【技术保护点】
1.一种用于驱动音频变换器的集成电路输出驱动器,包括:正电源电压轨和负电源电压轨;第一半桥驱动器,包括第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管,所述第一PMOS晶体管和所述第一NMOS晶体管串联连接在所述正电源电压轨和所述负电源电压轨之间,以在所述第一PMOS晶体管和所述第一NMOS晶体管的互连漏极端子处形成第一驱动器输出端;第一衬底端子,连接至所述第一PMOS晶体管的衬底,用于接收第一反向偏置电压;第二衬底端子,连接至所述第一NMOS晶体管的衬底,用于接收第二反向偏置电压;偏置电压发生器,配置为调整所述第一反向偏置电压和所述第二反向偏置电压中的至少一个,以控制所述第一PMOS晶体管和所述第一NMOS晶体管中的至少一个的导通电阻。
【技术特征摘要】
2016.12.29 EP 16207327.41.一种用于驱动音频变换器的集成电路输出驱动器,包括:正电源电压轨和负电源电压轨;第一半桥驱动器,包括第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管,所述第一PMOS晶体管和所述第一NMOS晶体管串联连接在所述正电源电压轨和所述负电源电压轨之间,以在所述第一PMOS晶体管和所述第一NMOS晶体管的互连漏极端子处形成第一驱动器输出端;第一衬底端子,连接至所述第一PMOS晶体管的衬底,用于接收第一反向偏置电压;第二衬底端子,连接至所述第一NMOS晶体管的衬底,用于接收第二反向偏置电压;偏置电压发生器,配置为调整所述第一反向偏置电压和所述第二反向偏置电压中的至少一个,以控制所述第一PMOS晶体管和所述第一NMOS晶体管中的至少一个的导通电阻。2.根据权利要求1所述的集成电路输出驱动器,其中,所述偏置电压发生器配置为在多个固定偏置电压电平之间调整所述第一反向偏置电压和所述第二反向偏置电压中的至少一个。3.根据权利要求1所述的集成电路输出驱动器,其中,所述多个固定偏置电压电平至少包括:第一电压电平,等于所述正电源电压轨的DC电压,和第二电压电平,小于所述正电源电压轨的DC电压;或第一电压电平,等于所述负电源电压轨的DC电压,和第二电压电平,处于超过所述负电源电压轨的DC电压的固定电压。4.根据权利要求2所述的集成电路输出驱动器,其中,所述多个固定偏置电压电平至少包括:第一电压电平,等于所述正电源电压轨的DC电压,和第二电压电平,小于所述正电源电压轨的DC电压;或第一电压电平,等于所述负电源电压轨的DC电压,和第二电压电平,处于超过所述负电源电压轨的DC电压的固定电压。5.根据权利要求3所述的集成半导体电路,其中,所述多个固定偏置电压电平中的最大电平和最小电平之间的电压差大于100mV,更优选地大于200mV。6.根据权利要求4所述的集成半导体电路,其中,所述多个固定偏置电压电平中的最大电平和最小电平之间的电压差大于100mV,更优选地大于200mV。7.根据权利要求1所述的集成电路输出驱动器,其中,所述偏置电压发生器配置为在偏置电压上限和偏置电压下限之间连续地调整所述第一反向偏置电压和所述第二反向偏置电压中的至少一个。8.根据权利要求7所述的集成电路输出驱动器,包括控制器,所述控制器配置为:确定或测量传输至负载的电流或功率;并且控制所述偏置电压发生器,以基于所确定的或测量的负载电流或负载功率来适应性地调整所述第一反向偏置电压和所述第二反向偏置电压中的至少一个。9.根据权利要求8所述的集成电路输出驱动器,其中,所述偏置电压发生器配置为:减小所述第一PMOS晶体管的第一反向偏置电压,以用于增大负载电流或负载功率;和/或增大所述第一NMOS晶体管的第二反向偏置电压,以用于增大负载电流或负载功率。10.根据前述权利要求中任一项所述的集成电路输出驱动器,包括第二半桥驱动器;所述第二半桥驱动器包括PMOS晶体管和NMOS晶体管,所述PMOS晶体管和所述NMOS晶体管串联连接在所述正电源电压轨和所述负电源电压轨之间,以在所述PMOS晶体管和所述NMOS晶体管的互连漏极端子处形成第二驱动器输出端;第一衬底端子,连接至所述PMOS晶体管的衬底,用于接收由所述偏置电压发生器供应的第一反向偏置电压;第二衬底端子,连接至所述NMOS晶体管的衬底,用于接收由所述偏置电压发生器供应的第二反向偏置电压。11.根据权利要求1至9中任一项所述的集成电路输出驱动器,其中,所述第一半桥驱动器包括第一可切换驱动器部分,所述第一可切换驱动...
【专利技术属性】
技术研发人员:D·R·延森,P·阿斯贝克,
申请(专利权)人:大北欧听力公司,
类型:发明
国别省市:丹麦,DK
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