TFT基板及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种TFT基板及其制作方法。该TFT基板包括：衬底基板、设于所述衬底基板的金属层、设于所述衬底基板和金属层上的绝缘层、设于所述绝缘层上的底公共电极以及设于所述绝缘层和底公共电极上的保护层；所述绝缘层具有暴露出金属层的第一过孔；所述底公共电极对应第一过孔的区域形成有第二过孔；所述底公共电极靠近第二过孔的边缘的厚度沿靠近第二过孔的方向逐渐减小，从而减小底公共电极靠近第二过孔的边缘的翘起角度，降低底切现象的发生几率，进而降低形成于底公共电极上的膜层出现剥离的风险，提高TFT基板的良率，使得液晶面板显示效果良好。

TFT substrate and its fabrication methods

The invention provides a TFT substrate and a manufacturing method thereof. The TFT substrate consists of a substrate substrate, a metal layer on the substrate, an insulating layer on the substrate and a metal layer, a bottom common electrode on the insulating layer, and a protective layer on the insulating layer and the bottom common electrode; the insulating layer has a first over hole exposed to the metal layer; The bottom common electrode corresponds to the area of the first over hole forming second over holes; the thickness of the bottom common electrode near the second hole is gradually reduced along the direction near the second over hole, thus reducing the rise angle of the bottom common electrode near the edge of the second hole, reducing the probability of the occurrence of the bottom tangent image and then reducing the formation. The film on the bottom common electrode has the risk of peeling and improves the yield of the TFT substrate, so that the LCD panel displays well.

【技术实现步骤摘要】
TFT基板及其制作方法
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种TFT基板及其制作方法。
技术介绍
随着显示技术的发展，液晶显示器(LiquidCrystalDisplay，LCD)等平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点，而被广泛地应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品，成为显示装置中的主流。现有市场上的液晶显示器大部分为背光型液晶显示器，其包括液晶显示面板及背光模组(backlightmodule)。液晶显示面板的工作原理是在薄膜晶体管阵列基板(ThinFilmTransistorArraySubstrate，TFTArraySubstrate)与彩色滤光片基板(ColorFilterSubstrate，CFSubstrate)之间灌入液晶分子，并在两片基板上施加驱动电压来控制液晶分子的旋转方向，以将背光模组的光线折射出来产生画面。如图1所示，为现有的一种TFT基板，包括：衬底基板1、设于所述衬底基板1的金属层2、设于所述衬底基板1和金属层2上的绝缘层3、设于所述绝缘层3上的底公共电极4、设于所述绝缘层3和底公共电极4上的保护层5，以及设于保护层5上的顶公共电极6；所述绝缘层3具有一暴露出金属层2的第一过孔31’，所述底公共电极4对应第一过孔31’的区域形成有第二过孔41’，保护层5在第一过孔31’处具有暴露出金属层2的第三过孔51’，所述顶公共电极6通过第三过孔51’与金属层2相接触。由于TFT基板在制作过程中制程的参数不易控制，因此底公共电极4在第二过孔41’处经常出现底切(undercut)现象，导致底公共电极4靠近第二过孔41’处的边缘翘起，进而导致设于底公共电极4上的保护层5出现剥离(peeling)现象，使得液晶面板显示不良。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种TFT基板，底公共电极靠近第二过孔的边缘的翘起角度小，降低底切现象的发生几率，从而降低形成于底公共电极上的膜层出现剥离的风险，提高TFT基板的良率，使得液晶面板显示效果良好。本专利技术的目的还在于提供一种TFT基板的制作方法，能够减小底公共电极靠近第二过孔的边缘的翘起角度，降低底切现象的发生几率，从而降低形成于底公共电极上的膜层出现剥离的风险，提高TFT基板的良率，使得液晶面板显示效果良好。为实现上述目的，本专利技术提供了一种TFT基板，包括：衬底基板、设于所述衬底基板的金属层、设于所述衬底基板和金属层上的绝缘层、设于所述绝缘层上的底公共电极以及设于所述底公共电极上的保护层；所述绝缘层具有暴露出金属层的第一过孔；所述底公共电极对应第一过孔的区域形成有第二过孔；所述底公共电极靠近第二过孔的边缘的厚度沿靠近第二过孔的方向逐渐减小。所述底公共电极靠近第二过孔具有阶梯状边缘。所述阶梯状边缘沿水平方向的长度不小于0.5μm。所述底公共电极上除所述阶梯状边缘之外的厚度为所述阶梯状边缘的厚度大于0且小于底公共电极上除阶梯状边缘之外的厚度。所述底公共电极为由一整面覆盖绝缘层的金属薄膜结构经蚀刻而形成。通过一透光率逐渐变化的光罩对所述金属薄膜结构进行蚀刻，去除所述金属薄膜结构对应第一过孔的部分，形成第二过孔，并逐渐减薄底公共电极靠近第二过孔的边缘的厚度，形成具有阶梯状边缘的底公共电极。所述TFT基板还包括设于所述保护层上的顶公共电极，所述顶公共电极通过一贯穿于所述保护层的第三过孔与金属层相接触。本专利技术还提供一种TFT基板的制作方法，包括如下步骤：步骤S1、提供一衬底基板，在所述衬底基板上依次形成金属层及绝缘层，并对绝缘层进行蚀刻形成暴露出金属层的第一过孔；步骤S2、在所述绝缘层上形成一层金属薄膜结构，通过一透光率逐渐变化的光罩对所述金属薄膜结构进行蚀刻，去除所述金属薄膜结构对应第一过孔的部分，形成第二过孔，并逐渐减薄金属薄膜靠近第二过孔的边缘的厚度，得到底公共电极；所述底公共电极靠近第二过孔的边缘的厚度沿靠近第二过孔的方向逐渐减小；步骤S3、在所述底公共电极上形成保护层。所述底公共电极靠近第二过孔具有阶梯状边缘；所述阶梯状边缘沿水平方向的长度不小于0.5μm；所述底公共电极上除阶梯状边缘之外的厚度为所述阶梯状边缘的厚度大于0且小于底公共电极上除阶梯状边缘之外的厚度。所述透光率逐渐变化的光罩对应第一过孔的部分的透光率为100％，对应阶梯状边缘的部分的透光率为90％-10％并沿远离第二过孔的方向逐渐减小，其余部分的透光率为0。所述TFT基板的制作方法还包括步骤S4、对所述保护层进行蚀刻形成暴露出金属层的第三过孔，在所述保护层上形成顶公共电极，所述顶公共电极通过第三过孔与金属层相接触。本专利技术的有益效果：本专利技术的TFT基板，包括：衬底基板、设于所述衬底基板的金属层、设于所述衬底基板和金属层上的绝缘层、设于所述绝缘层上的底公共电极以及设于所述绝缘层和底公共电极上的保护层；所述绝缘层具有暴露出金属层的第一过孔；所述底公共电极对应第一过孔的区域形成有第二过孔；所述底公共电极靠近第二过孔的边缘的厚度沿靠近第二过孔的方向逐渐减小，从而减小底公共电极靠近第二过孔的边缘的翘起角度，降低底切现象的发生几率，进而降低形成于底公共电极上的膜层出现剥离的风险，提高TFT基板的良率，使得液晶面板显示效果良好。本专利技术的TFT基板的制作方法，制得的TFT基板的底公共电极靠近第二过孔的边缘的翘起角度小，降低底切现象的发生几率，从而降低形成于底公共电极上的膜层出现剥离的风险，提高TFT基板的良率，使得液晶面板显示效果良好。附图说明为了能更进一步了解本专利技术的特征以及
技术实现思路
，请参阅以下有关本专利技术的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本专利技术加以限制。附图中，图1为现有的TFT基板的结构示意图；图2为本专利技术的TFT基板的结构示意图；图3为本专利技术的TFT基板的制作方法的流程图；图4为本专利技术的TFT基板的制作方法的步骤S1的示意图；图5为本专利技术的TFT基板的制作方法的步骤S2的示意图；图6为本专利技术的TFT基板的制作方法的步骤S3的示意图；图7为本专利技术的TFT基板的制作方法的步骤S4的示意图。具体实施方式为更进一步阐述本专利技术所采取的技术手段及其效果，以下结合本专利技术的优选实施例及其附图进行详细描述。在本申请中附图仅为示意图，除非特别说明，其不代表各膜层之间的实际厚度比例、平坦程度、形状与图中相同，可以理解的是，因为工艺和制程限制，实际产品会与示意图有一定差异，例如孔洞的形状、各膜层相结合部分的形貌都会与示意图有所差别，这些是本领域技术人员能够理解并且知悉的。本申请中关于工艺步骤顺序以及膜层结构的描述仅表示与本申请技术问题直接相关的各步骤和膜层之间的先后顺序以及相对位置，并不代表其步骤之间绝对不存在其它工艺步骤或其它膜层结构，例如为了控制良率的检查或修补的工艺步骤、为了完成背板上其它区域而进行的工艺步骤、不同结构背板上膜层数量和种类等，本领域技术人员能够根据本申请的核心思想将这些步骤或结构进行结合。请参阅图2，本专利技术提供一种TFT基板，包括：衬底基板10、设于所述衬底基板10的金属层20、设于所述衬底基板10和金属层20上的绝缘层30、设于所述绝缘层30上的底公共电极40以及设于所述底公共电极40上的保护层50；所述绝本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种TFT基板，其特征在于，包括：衬底基板(10)、设于所述衬底基板(10)的金属层(20)、设于所述衬底基板(10)和金属层(20)上的绝缘层(30)、设于所述绝缘层(30)上的底公共电极(40)以及设于所述底公共电极(40)上的保护层(50)；所述绝缘层(30)具有暴露出金属层(20)的第一过孔(31)；所述底公共电极(40)对应第一过孔(31)的区域形成有第二过孔(41)；所述底公共电极(40)的边缘的厚度沿靠近第二过孔(41)的方向逐渐减小。

【技术特征摘要】
1.一种TFT基板，其特征在于，包括：衬底基板(10)、设于所述衬底基板(10)的金属层(20)、设于所述衬底基板(10)和金属层(20)上的绝缘层(30)、设于所述绝缘层(30)上的底公共电极(40)以及设于所述底公共电极(40)上的保护层(50)；所述绝缘层(30)具有暴露出金属层(20)的第一过孔(31)；所述底公共电极(40)对应第一过孔(31)的区域形成有第二过孔(41)；所述底公共电极(40)的边缘的厚度沿靠近第二过孔(41)的方向逐渐减小。2.如权利要求1所述的TFT基板，其特征在于，所述底公共电极(40)靠近第二过孔(41)具有阶梯状边缘(42)。3.如权利要求2所述的TFT基板，其特征在于，所述阶梯状边缘(42)沿水平方向的长度不小于0.5μm。4.如权利要求2所述的TFT基板，其特征在于，所述底公共电极(40)上除阶梯状边缘(42)之外的厚度为所述阶梯状边缘(42)的厚度大于0且小于底公共电极(40)上除阶梯状边缘(42)之外的厚度。5.如权利要求2所述的TFT基板，其特征在于，所述底公共电极(40)为由一整面覆盖所述绝缘层(30)的金属薄膜结构经蚀刻而形成。6.如权利要求5所述的TFT基板，其特征在于，通过一透光率逐渐变化的光罩对所述金属薄膜结构进行蚀刻，去除所述金属薄膜结构对应第一过孔(31)的部分，形成第二过孔(41)，并逐渐减薄所述金属薄膜结构靠近第二过孔(41)的边缘的厚度，形成具有阶梯状边缘(42)的底公共电极(40)。7.如权利要求1所述的TFT基板，其特征在于，还包括设于所述保护层(50)上的顶公共电极(60)，所述顶公共电极(60)通过一贯穿于所述保护层(50)...

【专利技术属性】
技术研发人员：高玲，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42