封装结构制造技术

本发明专利技术公开了一种封装结构，该封装结构包括：绝缘层；裸片，嵌入绝缘层的一个表面中；金属柱，形成在裸片的表面上并且延伸至绝缘层的另一表面；以及第一金属图案，形成在绝缘层的另一表面上并且电连接至金属柱。根据本发明专利技术的封装结构能够提供制造效率。

Encapsulation structure

The invention discloses an encapsulation structure, which consists of an insulating layer, a bare piece, and a surface embedded in an insulating layer; a metal column is formed on the surface of the bare piece and extends to another surface of the insulating layer; and the first metal pattern is formed on another surface of the insulating layer and electrically connected to the metal column. The encapsulation structure according to the invention can provide manufacturing efficiency.

【技术实现步骤摘要】
封装结构本申请是申请日为2013年10月8日、申请号为201310464626.3的专利技术专利申请“封装结构”的分案申请。
本专利技术涉及封装结构和用于制造该封装结构的方法，并且更加特别地，涉及具有改进制造效率的封装结构和用于制造该封装结构的方法。
技术介绍
随着高密度和高性能的半导体封装的发展，已经开发了各种封装技术。作为半导体封装技术，存在使用非导电性浆料(NCP)将裸片(die，晶粒，晶片)粘结(bond，结合)至电路板的封装技术。更详细地，在制备好裸片(该裸片具有布置在其一个表面上的铜(Cu)柱)以及电路板(该电路板具有布置在其一个表面上的金属凸点)并且在裸片和电路板之间放入非导电性浆料之后，在将铜柱和金属凸点彼此对准地连接同时，通过将裸片粘结至电路板来制造半导体封装。然而，在使用非导电性浆料的封装技术的情况下，会出现一种现象：在封装的时候，非导电性浆料没有完全地填充在电路板和凸点之间。在这种情况下，在非导电性浆料内出现空隙，这是半导体封装的电路图案之间出现短路的一个原因。此外，当裸片的金属柱之间的间距窄时，很难匹配金属柱与金属凸点，这导致了封装缺陷。【相关技术文献】【专利文件】(专利文献1)韩国专利特开公布第10-2011-0070924号
技术实现思路
本专利技术的一个目的是提供具有改进制造效率的封装结构和用于制造该封装结构的方法。本专利技术的另一目的是为了提供能够解决在使用非导电性浆料时发生的问题的封装结构和用于制造该封装结构的方法。根据本专利技术的一个示例性实施方式，提供了一种封装结构，包括：金属板；裸片，该裸片粘结至金属板以允许金属柱面向外侧；绝缘膜，该绝缘膜覆盖金属板和裸片以暴露金属柱；以及金属图案(metalpattern，金属图样，金属模)，该金属图案在绝缘膜上电连接至金属柱。电路结构可以通过在绝缘膜上执行镀覆过程(platingprocess，电镀工艺)而形成。绝缘膜可以通过将绝缘膜直接层压在金属板和裸片上而形成。根据本专利技术的另一示例性实施方式，提供了一种用于制造封装结构的方法：制备裸片，该裸片具有布置在其一个表面上的金属柱；将裸片粘结在金属板上以允许金属柱面向外侧；形成覆盖金属板和裸片的绝缘膜；抛光绝缘膜以暴露金属柱；以及通过在绝缘膜上形成电连接至金属柱的电路结构来制造第一封装结构。电路结构的形成包括：形成覆盖绝缘膜的金属籽层(metalseedlayer，金属种子层)；在金属籽层上形成抗镀覆图案；通过使用抗镀覆图案作为抗镀覆膜，在金属籽层上形成镀覆膜；以及去除抗镀覆图案。用于制造封装结构的方法可以进一步包括：通过去除金属板的一部分以暴露裸片来形成金属图案；制备第二封装结构，在第二封装结构中形成有外连接端子；以及将第二封装结构层压在第一封装结构上，同时将外连接端子粘结至金属图案。裸片的制备可以包括制备具有内过孔(innervia)的半导体集成电路芯片，并且用于制造封装结构的方法可以进一步包括：去除金属板以暴露裸片；以及将附加的裸片层压在暴露的裸片上。绝缘膜的形成可以包括将绝缘膜直接层压在金属板和裸片上。附图说明图1是示出根据本专利技术的示例性实施方式的用于制造封装结构的过程的流程图。图2至图5是描述根据本专利技术的示例性实施方式的制造封装结构的过程的视图。图6是示出根据本专利技术的修改实施例的封装结构的流程图。图7和图8是描述根据本专利技术的修改实施例的制造封装结构的过程的视图。具体实施方式从以下参照附图的实施方式的描述中，本专利技术的各种优点和特征以及其实现的方法将变得显而易见。然而，可以以许多不同的形式改变本专利技术，并且本专利技术不应仅限于本文给出的示例性实施方式。相反，可以提供这些实施方式使得本公开彻底并完整，并且向本领域中的技术人员充分传达本专利技术的范围。贯穿本说明书的相同参考数字表示相似元件。在本说明书中所使用的术语是用于解释实施方式，而不是限制本专利技术。在本说明书中单数形式包括复数形式，除非明确说明与之相反。词语“包括(comprise)”以及诸如“包含(comprises)”或“含有(comprising)”等变体应理解为表示包括所述构成部分、步骤、操作和/或元件，然而并不表示排除任何其他构成部分、步骤、操作和/或元件。此外，在本说明书中描述的示例性实施方式将参考理想的示范附图的横断面视图和/或平面图进行描述。在附图中，为了有效地描述
技术实现思路
，层和区域的厚度被夸大。因此，通过制造技术和/或公差可以改变示范形式。因此，本专利技术的示例性实施方式不限于特定形式，而是可包括根据制造过程而在形式方面产生的改变。例如，竖直示出的蚀刻区域可形成圆角或者可具有预定曲率。在下文中，将参照附图详细地描述根据本专利技术的示例性实施方式的封装结构和用于制造该封装结构的方法。图1是示出根据本专利技术示例性实施方式的用于制造封装结构的方法的流程图，并且图2至图5是描述根据本专利技术的示例性实施方式的制造封装结构的过程的视图。参照图1和图2，可以将裸片110粘结在金属板120上(S110)。详细地，可以制备裸片110。在裸片110的制备中，可以制备这样的半导体集成电路芯片112：该半导体集成电路芯片具有在其上形成金属柱114的一个表面112a和作为所述一个表面的相反表面的另一表面112b。金属柱114可以由铜材料制成。同时，可以制备金属板120。作为金属板120，可以使用具有相对高的导热性的铜材料制成的薄板。此外，裸片110的另一表面112b可以粘结在金属板120上，以允许金属柱114面向外侧。可以形成覆盖裸片110和金属板120的绝缘膜130(S120)。绝缘膜130的形成可以包括：沿着金属柱114层压覆盖裸片110和金属板120的绝缘膜，并且磨光或者抛光绝缘膜130从而暴露金属柱114且暴露金属板120的一部分。在此，绝缘膜130的直接层压可以定义为在裸片110和金属板120上直接覆盖绝缘膜130，而不使用例如非导电性浆料(NCP)的中间材料。因此，裸片110和金属板120覆盖在金属板120上，但是可以形成具有过孔132的绝缘膜130，由此金属柱114被暴露并且金属板120的一部分同时暴露。参照图1和图3，可以在绝缘膜130上形成电路结构140(S130)。电路结构140的形成可以包括：在绝缘膜130上形成金属籽层(未示出)；在金属籽层上形成抗镀覆图案(anti-platingpattern，防镀覆图案)(未示出)；通过使用抗镀覆图案作为抗镀覆膜而执行镀覆过程，形成镀覆膜；以及去除抗镀覆图案。因此，在绝缘膜130的过孔132中形成的金属过孔142可以在绝缘膜130上形成，并且电连接至金属柱114的电路图形144可以在绝缘膜130上形成。参照图1和图4，可以制造第一封装结构101(S140)。可以在图3预先示出的结果上通过进一步形成电路衬底层150来执行第一封装结构101的制造。电路衬底层150的形成可以包括：在参照图3所示的结果上形成由绝缘材料制成的外侧层152，在外侧层152上形成配置有导电过孔、电路图案等的配线结构154，在外侧层152上形成暴露配线结构154的阻焊剂图案(solderresistpattern)156，并且将外连接端子158粘结至通过阻焊剂图案156暴露的配线结构154。作为外连接端子158，可以使用焊球(sold本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种封装结构，包括：绝缘层；裸片，嵌入所述绝缘层的一个表面中；金属柱，形成在所述裸片的表面上并且延伸至所述绝缘层的另一表面；以及第一金属图案，形成在所述绝缘层的所述另一表面上并且电连接至所述金属柱。

【技术特征摘要】
2012.10.08 KR 10-2012-01111981.一种封装结构，包括：绝缘层；裸片，嵌入所述绝缘层的一个表面中；金属柱，形成在所述裸片的表面上并且延伸至所述绝缘层的另一表面；以及第一金属图案，形成在所述绝缘层的所述另一表面上并且电连接至所述金属柱。2.根据权利要求1所述的封装结构，进一步包括形成在所述绝缘层中并电连接至所述第一金属图案的金属过孔。3.根据权利要求1所述的封装结构，进一步包括形成在所述绝缘层的所述一个表面上的第二金属图案。4.根据权利要求3所述的封装结构，其中，所述第二金属图案不形成在所述裸片上。5.根据权利要求3所述的封装结构，进一步包括形成在所述绝缘层中并将所述第一金属图案与所述第二金属图案电连接的金属过孔。6.根据权利要求1所述的封装结构，其中，所述裸片的一个表面暴露于所述绝缘层的所述一个表面，其中，所述金属柱形成在所述裸片的另一表面上，并且其中，所述裸片的所述一个表面设置在所述裸片的所述另一表面的相反侧上。7.根据权利要求6所述的封装结构，其中，所述裸片具有形成于所述裸片中的内过孔，所述内过孔在所述裸片的一个表面与所述裸片的另一表面之间穿透所述裸片，并且所述内过孔与所述金属柱电连接。8.根据权利要求7所述的封装结构，进一步包括层压在所述裸片的所述一个表面上的附加裸片，其中，所述内过孔具有形成在所述内过孔上的连接端子，并且其中，所述附加裸片通过所述连接端子与所述裸片连接。9.根据权利要求2所述的封...

【专利技术属性】
技术研发人员：金兴圭，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR