基板处理装置和包括其的基板处理系统制造方法及图纸

一种基板处理装置，包括：腔室，提供处理基板的空间；第一基板支撑件，在腔室内并且构造为当基板装载到腔室中时支撑基板；第二基板支撑件，在腔室内并且构造为以比第一基板支撑件支撑基板的高度更大的高度支撑基板；第一供应端口，超临界流体通过第一供应端口被供应到腔室空间的在基板下方的第一空间；第二供应端口，超临界流体通过第二供应端口被供应到腔室空间的在基板上方的第二空间；以及排放端口，超临界流体通过排放端口从腔室排出。

Substrate processing device and substrate processing system including the substrate

A substrate processing device comprising a chamber to provide a space for processing a substrate; a first substrate support, in the chamber, and constructed to support a substrate when the substrate is loaded into the chamber; the second substrate support is in the chamber and is constructed to support a higher height base plate than the first base plate support substrate. The first supply port, the supercritical fluid is supplied to the chamber space under the first space under the substrate through the first supply port; second supply port, the supercritical fluid through the second supply port is supplied to the cavity space in the second space above the substrate; and the discharge port, the supercritical fluid through the discharge port. Expelled from the chamber.

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置和包括其的基板处理系统
示例实施方式涉及基板处理装置和/或包括其的基板处理系统。例如，至少一些示例实施方式涉及使用超临界液体处理基板的装置和/或包括其的基板处理系统。
技术介绍
随着半导体器件的设计规则减少，半导体器件的临界尺寸也可以减小至大约20nm到30nm或更小。因此，可以期望形成具有大约5或更大的相对高的纵横比的深浅图案的工艺，并且因此可以期望清洁工艺和干燥工艺。在对具有高纵横比的图案形成于其上的基板的工艺中，例如干燥工艺、清洁工艺等，已经提出并使用了利用超临界流体的方法。然而，在使用超临界流体的基板处理装置中，基板支撑件可以接触基板的外围区域以支撑基板。因此，基板的中间区域可以由于其上的液化溶剂的重量而弯曲，从而导致超临界干燥工艺中的故障。此外，大量的超临界流体可以用于维持具有高压和高温的超临界相以便处理基板，从而增加处理基板所需的时间。
技术实现思路
至少一些示例实施方式提供了能够有效率地执行超临界流体工艺的基板处理装置。至少一些示例实施方式提供了能够减少处理基板所需的时间以提高生产率的基板处理系统。根据一些示例实施方式，一种基板处理装置可以包括：腔室，提供处理基板的空间；在腔室内的第一基板支撑件，第一基板支撑件被构造为当基板装载到腔室中时支撑基板；在腔室内的第二基板支撑件，第二基板支撑件被构造为在比第一基板支撑件支撑基板的高度更大的高度处支撑基板；第一供应端口，构造为将超临界流体供应到腔室中的在基板下方的第一空间；第二供应端口，构造为将超临界流体供应到腔室中的在基板上方的第二空间；以及排放端口，构造为将超临界流体从腔室排出。根据一些示例实施方式，一种基板处理装置可以包括：腔室，提供处理基板的空间，腔室包括彼此可接合地夹紧的上腔室和下腔室，上腔室和下腔室被构造为在腔室关闭的关闭状态与腔室打开的打开状态之间切换；在腔室内的第一基板支撑件，第一基板支撑件被构造为当基板装载到腔室中时在打开状态下支撑基板；在腔室内的第二基板支撑件，第二基板支撑件被构造为当在腔室中处理基板时在闭合状态下支撑基板；第一供应端口，构造为将超临界流体供应到腔室中的在基板下方的第一空间；第二供应端口，构造为将超临界流体供应到腔室中的在基板上方的第二空间；以及排放端口，构造为将超临界流体从腔室排出。根据一些示例实施方式，基板处理装置可以包括：腔室；第一支撑系统，构造为如果腔室处于打开状态则从基板的外围支撑基板；以及第二支撑系统，构造为如果腔室处于关闭状态则从基板的中间部分支撑基板。根据一些示例实施方式，一种基板处理系统包括：基板处理装置，构造为支撑基板并且构造为使用超临界流体对基板执行超临界工艺；流体供应模块，构造为将超临界流体供应到基板处理装置的腔室以增大腔室的压力，并且构造为调节在基板上的液化溶剂和腔室内的超临界流体的临界点之前和之后的所供应的超临界流体的量；以及流体排放模块，构造为将超临界流体从腔室排出。根据一些示例实施方式，一种基板处理装置可以包括用于支撑装载到腔室中的基板的第一基板支撑件、以及用于支撑对其执行超临界干燥工艺的基板的第二基板支撑件。在腔室的关闭状态下，第二基板支撑件可以在高于第一基板支撑基板的高度的位置处支撑基板。因此，第二基板支撑件可以降低基板由于液化溶剂的重量而弯曲的概率(或者备选地，防止基板由于液化溶剂的重量而弯曲)，从而提高表面干燥工艺的效率。此外，基板处理系统可以调节腔室内的在流体的临界点之前和之后的加压速度，从而减少总的加压时间。附图说明示例实施方式将由以下结合附图的详细描述被更清楚地理解。图1至9表示如在此描述的非限制性的示例实施方式。图1是示出根据一些示例实施方式的基板处理系统的框图。图2是示出图1中的基板处理系统的基板处理装置的剖视图。图3是示出图2中的基板处理装置的剖视图，其中腔室处于打开状态。图4是示出图2中的基板处理装置的第一基板支撑件和第二基板支撑件的俯视图。图5是示出图2中的基板处理装置中的支撑基板的第二基板支撑件的部分的剖视图，其中腔室处于关闭状态。图6是示出图1中的基板处理装置的腔室内的压力变化的曲线图。图7是示出根据一些示例实施方式的基板处理装置的剖视图。图8是示出图7中的基板处理装置的剖视图，其中第二基板支撑件向下移动。图9是示出图7中的基板处理装置的剖视图，其中腔室处于打开状态。具体实施方式在下文中，将参照附图详细说明示例实施方式。图1是示出根据一些示例实施方式的基板处理系统的框图。图2是示出图1中的基板处理系统的基板处理装置的剖视图。图3是示出图2中的基板处理装置的剖视图，其中腔室处于打开状态。图4是示出图2中的基板处理装置的第一基板支撑件和第二基板支撑件的俯视图。图5是示出图2中的基板处理装置中的支撑基板的第二基板支撑件的部分的剖视图，其中腔室处于关闭状态。参照图1至5，基板处理系统10可以包括：基板处理装置100，构造为支撑诸如晶片W的基板并且构造为对基板执行使用超临界流体的超临界工艺；超临界流体产生器200，构造为产生超临界液体；流体供应模块300，构造为将超临界流体从超临界流体产生器200供应到基板处理装置100；以及流体排放模块400，构造为从基板处理装置100排出超临界流体。超临界工艺可以包括使用超临界流体的清洁工艺、干燥工艺等。超临界流体可以是在临界点以上的温度和压力下的任何物质，其中不存在明显的液相和气相。超临界流体可以具有气体与液体之间的特性，诸如低表面张力、低粘度、高溶解性和高扩散系数。例如，超临界流体可以包括二氧化碳(CO2)、水(H2O)、甲烷(CH4)、乙烷(C2H6)、丙烷(C3H8)、乙烯(C2H4)、丙烯(C3H6)、甲醇(CH3OH)、乙醇(C2H5OH)、六氟化硫(SF6)、丙酮((CH3)2CO)等。在一些示例实施方式中，基板处理装置100可以包括腔室、第一基板支撑件130、第二基板支撑件150、第一供应端口122、第二供应端口112和排放端口124。基板处理装置100可以使用超临界流体干燥其上完成了清洁工艺的基板W。在这里，二氧化碳(CO2)可以用作超临界流体。如图2中所示，腔室可以提供用于干燥基板W的空间。该空间可以包括处理空间102和缓冲空间104。处理空间102可以是在基板W上的包括液化溶剂S的区域，缓冲空间104可以是在基板W下方的区域。腔室可以包括上腔室110和下腔室120。上腔室110可以包括上壁和第一侧壁。上腔室110的上壁可以被提供为腔室的顶壁。上腔室110的第一侧壁可以被提供为腔室的侧壁的一部分。下腔室120可以包括下壁和第二侧壁。下腔室120的下壁可以被提供为腔室的底壁。下腔室120的第二侧壁可以被提供为腔室的侧壁的一部分。如图2和3中所示，上腔室110和下腔室120可以通过驱动装置160相对于彼此移动，使得上腔室110和下腔室120彼此接合，从而在腔室关闭的关闭状态与腔室打开的打开状态之间是可切换的。例如，上腔室110和下腔室120中的至少一个可以沿着升降杆162向上和向下移动以关闭和打开腔室。在腔室的打开状态下，基板W可以装载到腔室中/从腔室卸载。在腔室的关闭状态下，可以对基板W执行超临界干燥工艺。基板处理系统10可以包括存储器和处理电路(未示出)。存储器可以包括非暂时性计算机本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板处理装置，包括：腔室，提供处理基板的空间；在所述腔室内的第一基板支撑件，所述第一基板支撑件被构造为当所述基板装载到所述腔室中时支撑所述基板；在所述腔室内的第二基板支撑件，所述第二基板支撑件被构造为以比所述第一基板支撑件支撑所述基板的高度更大的高度支撑所述基板；第一供应端口，构造为将超临界流体供应到所述腔室中的在所述基板下方的第一空间；第二供应端口，构造为将所述超临界流体供应到所述腔室中的在所述基板上方的第二空间；以及排放端口，构造为将所述超临界流体从所述腔室排出。

【技术特征摘要】
2016.12.29 KR 10-2016-01828491.一种基板处理装置，包括：腔室，提供处理基板的空间；在所述腔室内的第一基板支撑件，所述第一基板支撑件被构造为当所述基板装载到所述腔室中时支撑所述基板；在所述腔室内的第二基板支撑件，所述第二基板支撑件被构造为以比所述第一基板支撑件支撑所述基板的高度更大的高度支撑所述基板；第一供应端口，构造为将超临界流体供应到所述腔室中的在所述基板下方的第一空间；第二供应端口，构造为将所述超临界流体供应到所述腔室中的在所述基板上方的第二空间；以及排放端口，构造为将所述超临界流体从所述腔室排出。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述第一基板支撑件包括第一支撑构件，所述第一支撑构件被构造为在距离所述腔室的底壁第一高度处支撑所述基板，以及所述第二基板支撑件包括第二支撑构件，所述第二支撑构件被构造为在距离所述腔室的所述底壁第二高度处支撑所述基板，所述第二高度大于所述第一高度。3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，所述第一支撑构件被构造为支撑所述基板的外围区域，以及所述第二支撑构件被构造为支撑所述基板的中间区域。4.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中所述第二支撑构件比所述第一支撑构件离所述腔室的侧壁更远。5.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中所述第一支撑构件包括：第一垂直杆，在垂直方向上从所述腔室的顶壁向下延伸；以及第一水平杆，在水平方向上从所述第一垂直杆的端部延伸。6.根据权利要求1所述的基板处理装置，还包括：阻挡板，在所述第一供应端口与所述第一基板支撑件之间，所述阻挡板被构造为阻挡从所述第一供应端口供应的所述超临界流体直接朝着所述基板喷射。7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其中所述第二基板支撑件包括：第二支撑构件，构造为在所述阻挡板上支撑所述基板。8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其中所述第二支撑构件包括：从所述阻挡板的顶表面向上延伸的多个第二支撑凸起。9.根据权利要求7所述的基板处理装置，其中所述第二支撑构件包括：构造为在所述阻挡板上向上和向下移动的多个升降销。10.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中所述腔室包括：彼此可接合地夹紧的上腔室和下腔室，所述上腔室和所述下腔室被构造为在所述腔室关闭的关闭状态与所述腔室打开的打开状态之间切换。11.一种基板处理装置，包括：腔室，提供处理基板的空间，所述腔室包括彼此可接合地夹紧的上腔室和下腔室，所述上腔室和所述下腔室被构造为在所述腔室关闭的关闭状态与所述腔室打开的打开状态之间切换；在所述腔室内的...

【专利技术属性】
技术研发人员：张原浩，裵正龙，金禹永，李贤贞，朴世真，高镛璿，韩东均，沈雨宽，金鹏，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR