用于控制刷新操作的存储器装置及包括其的自刷新控制器制造方法及图纸

提供了用于控制刷新操作的存储器装置及自刷新控制器。所述存储器装置能够降低功耗。所述存储器装置包括：多个存储器单元；以及自刷新控制器，被配置为多次执行刷新循环，所述刷新循环包括第一时间间隔和第二时间间隔，第二时间间隔比第一时间间隔长，其中，自刷新控制器被配置为在第一时间间隔期间执行突发刷新操作，并且在第二时间间隔期间执行供电控制操作。

【技术实现步骤摘要】
用于控制刷新操作的存储器装置及包括其的自刷新控制器本申请要求于2016年12月29日在韩国知识产权局提交的第10-2016-0182886号韩国专利申请的权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
专利技术构思的示例实施例涉及一种存储器装置。例如，至少一些示例实施例涉及一种控制诸如自刷新操作的刷新操作的存储器装置。
技术介绍
诸如动态随机存取存储器(DRAM)的易失性存储器装置可以执行刷新操作以保持存储的数据。同时，随着移动装置的发展，正在提出用于降低易失性存储器装置的功耗的各种技术。例如，可以期望减小由于刷新操作而消耗的功率。
技术实现思路
专利技术构思的一些示例实施例提供了一种存储器装置，该存储器装置能够降低因刷新操作而导致的功耗。根据专利技术构思的示例实施例，一种存储器装置可以包括：多个存储器单元和配置为执行多次刷新循环的自刷新控制器，所述刷新循环包括：突发刷新操作，在第一时间间隔期间执行；以及供电控制操作，在第二时间间隔期间执行，第二时间间隔比第一时间间隔长。根据专利技术构思的另一示例实施例，一种存储器装置可以包括：多个存储器单元；至少一个驱动器，被配置为驱动所述多个存储器单元；以及自刷新控制器，被配置为执行多次刷新循环，所述刷新循环包括：在第一时间间隔期间向所述至少一个驱动器施加第一电压并且对与多个地址信号对应的存储器单元执行突发刷新操作，在第二时间间隔期间向所述至少一个驱动器施加第二电压，第二电压比第一电压低，第二时间间隔比第一时间间隔长。根据专利技术构思的另一示例实施例，一种自刷新控制器可以被配置为控制存储器单元阵列，所述自刷新控制器可以包括：存储器；以及处理电路，被配置为迭代地进行：在第一时间间隔期间对存储器单元阵列执行突发刷新操作，并在第二时间间隔期间对存储器单元阵列执行供电控制操作，第二时间间隔在第一时间间隔之后且比第一时间间隔长。附图说明通过下面结合附图进行的详细描述，将会更清楚地理解专利技术构思的示例实施例，在附图中：图1是示出根据专利技术构思的示例实施例的存储器装置的框图；图2和图3是更详细地示出根据专利技术构思的示例实施例的存储器装置的刷新控制器的框图；图4是示出根据专利技术构思的另一示例实施例的存储器装置的示意图；图5和图6是更详细地示出通过图4的第一开关向在行解码器中的驱动器施加第一电压或第二电压的配置的图；图7和图8是更详细地示出根据专利技术构思的示例实施例的存储器装置的刷新控制器的框图；图9和图10是示出根据专利技术构思的示例实施例的存储器装置的刷新操作的流程图；图11和图12是示出根据专利技术构思的示例实施例的存储器装置的刷新操作的时序图；图13是示出根据专利技术构思的示例实施例的存储器装置的框图；图14是图13的存储器装置的刷新操作的时序图；图15是示出装配有根据专利技术构思的示例实施例的存储器装置的计算系统的框图。具体实施方式图1是示出根据专利技术构思的示例实施例的存储器装置的框图。参照图1，半导体存储器装置1000可以包括命令解码器(CMDDEC)1100、刷新控制器(REFRESHCTR)1200、地址寄存器(ADDRREG)1300、行解码器(RD)1400、感测放大器(SA)1500、存储器单元阵列(CELLARRAY)1600和列解码器(CD)1700。命令解码器1100将从外部装置(例如，存储器控制器)接收的命令CMD解码。命令CMD可以是一条或更多条指令的组合，半导体存储器装置1000可以根据指令的组合进入刷新模式。为了方便解释，下面将与自刷新操作相关地来描述专利技术构思的示例实施例。然而，示例实施例不限于此。命令解码器1100将命令CMD解码并产生第一自刷新信号SELF1或第二自刷新信号SELF2，并将第一自刷新信号SELF1或第二自刷新信号SELF2提供给刷新控制器1200。刷新控制器1200响应于第一自刷新信号SELF1和/或第二自刷新信号SELF2来控制关于存储器单元阵列1600的刷新操作。例如，刷新控制器1200包括类似计数器的组件，以产生用于执行刷新操作的内部地址XADD，并将产生的内部地址XADD作为行地址输出到行解码器1400。地址寄存器1300存储从外部接收的地址信号ADD，存储的地址信号ADD被传送到行解码器1400和列解码器1700。地址信号ADD可以包括行地址和列地址。在半导体存储器装置1000的正常操作期间，接收用于访问存储器单元的行地址和列地址。可选地，可以从外部提供用于选择要被刷新的区域的行地址。在这种情况下，用于执行刷新操作的行地址可以从地址寄存器1300提供到行解码器1400。尽管未示出，但是在半导体存储器装置1000中还可以包括用于选择性地输出存储在地址寄存器1300中的地址信号ADD或来自刷新控制器1200的内部地址XADD的选择电路(未示出)。在自刷新操作期间，内部地址XADD由刷新控制器1200产生并被传输到行解码器1400。刷新控制器1200还可以在自刷新操作期间产生驱动感测放大器1500的信号。行解码器1400激活对应于行地址的字线，列解码器1700激活对应于列地址的位线。在自刷新操作期间，当字线被行解码器1400激活时，连接到被激活的字线的存储器单元的数据通过对应的位线被感测放大器1500感测并放大，被放大的数据再次存储在原来的存储器单元中。存储器单元阵列1600根据行解码器1400和列解码器1700的解码结果来接收写入数据，或者将读取的数据输出到感测放大器/写入驱动器1500。存储器单元阵列1600可以包括多个存储体(未示出)，多个存储体(bank)中的每个可以包括多条字线、多条位线以及设置在多个字线与多个位线相交的点处的存储器单元。图2和图3是更详细地示出根据专利技术构思的示例实施例的存储器装置的刷新控制器的框图。参照图2，刷新控制器1200可以是例如自刷新控制器，刷新控制器1200可以包括自模式控制器110、操作控制器120、泄漏控制器130、第一供电控制器140和第二供电控制器150。自模式控制器110可以被配置为响应于第一自刷新信号SELF1和/或第二自刷新信号SELF2来激活操作控制器120、泄漏控制器130、第一供电控制器140和/或第二供电控制器150。例如，自模式控制器110可以被配置为响应于第一自刷新信号SELF1来激活操作控制器120、泄漏控制器130和第一供电控制器140。自模式控制器110还可以被配置为响应于第二自刷新信号SELF2来激活操作控制器120、泄漏控制器130、第一供电控制器140和第二供电控制器150。操作控制器120被配置为执行刷新操作。更具体地，如图3所示，操作控制器120可以被配置为执行多次包括第一时间间隔T1和第二时间间隔T2的刷新循环，第二时间间隔T2比第一时间间隔T1长。操作控制器120可以被配置为接收振荡信号并产生多个地址信号。如图3所示，操作控制器120可以在第一时间间隔T1期间集中地执行刷新操作，并在第二时间间隔T2期间执行供电控制操作以降低功耗。在第一时间间隔T1期间执行的刷新操作的时间段P1可以是tRFCmin(给定行的单元的刷新循环之间的最小时间)的一倍到十倍长。然而，本专利技术构思的示例实施例不限于以上所述的数字(即，tRFCmin的1倍至10倍长)，并且可以应用于根据tRFCmin的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器装置，所述存储器装置包括：多个存储器单元；自刷新控制器，被配置为执行多次刷新循环，所述刷新循环包括在第一时间间隔期间执行的突发刷新操作以及在第二时间间隔期间执行的供电控制操作，第二时间间隔比第一时间间隔长。

【技术特征摘要】
2016.12.29 KR 10-2016-01828861.一种存储器装置，所述存储器装置包括：多个存储器单元；自刷新控制器，被配置为执行多次刷新循环，所述刷新循环包括在第一时间间隔期间执行的突发刷新操作以及在第二时间间隔期间执行的供电控制操作，第二时间间隔比第一时间间隔长。2.如权利要求1所述的存储器装置，所述存储器装置还包括：至少一个驱动器，被配置为驱动所述多个存储器单元，其中，自刷新控制器包括被配置为控制所述至少一个驱动器的泄漏控制器，所述泄漏控制器被配置为在第一时间间隔期间向所述至少一个驱动器施加第一电压，并且在第二时间间隔期间向所述至少一个驱动器施加第二电压，第二电压比第一电压低。3.如权利要求2所述的存储器装置，所述存储器装置还包括：第一开关装置，被配置为在第一时间间隔期间被激活以向所述至少一个驱动器施加第一电压；第二开关装置，被配置为在第二时间间隔期间被激活以向所述至少一个驱动器施加第二电压。4.如权利要求1所述的存储器装置，其中，所述存储器装置被配置为在第二时间间隔期间不执行突发刷新操作。5.如权利要求1所述的存储器装置，其中，所述多个存储器单元包括布置在已选择的块中的存储器单元和布置在未选择的块中的存储器单元，自刷新控制器包括被配置为对已选择的块和未选择的块中的至少一个执行供电控制操作的第一供电控制器。6.如权利要求5所述的存储器装置，所述存储器装置还包括：第一行解码器，连接到已选择的块的存储器单元；第二行解码器，连接到未选择的块的存储器单元；第一行开关装置，被配置为将电源电压传输到第一行解码器；第二行开关装置，被配置为将电源电压传输到第二行解码器，其中，第一供电控制器被配置为：在刷新循环的第一时间间隔期间，使第一行开关装置激活并且使第二行开关装置去激活，在刷新循环的第二时间间隔期间，使第一行开关装置和第二行开关装置去激活。7.如权利要求5所述的存储器装置，所述存储器装置还包括：列解码器，连接到已选择的块和未选择的块的存储器单元；列开关装置，连接到列解码器，其中，第一供电控制器被配置为在刷新循环的第一时间间隔和第二时间间隔期间使列开关装置去激活。8.如权利要求7所述的存储器装置，其中，所述存储器装置还包括：直流电压发生器，被配置为向列开关装置提供直流电压，其中，自刷新控制器还包括被配置为响应于深度睡眠信号使直流电压发生器去激活的第二供电控制器。9.如权利要求1所述的存储器装置，其中，所述自刷新控制器还包括：计数器，被配置为接收振荡信号并产生多个地址信号。10.如权利要求9所述的存储器装置，其中，所述多个地址信号包括第一地址和与第一地址紧邻的第二地址，当刷新循环在与第一地址所对...

【专利技术属性】
技术研发人员：都成根，李宗浩，李灿勇，张敏洙，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR