存储控制方法、存储装置制造方法及图纸

一种存储控制方法，适用于一存储装置，包括：依据一非挥发性控制参数以及一挥发性控制参数产生一错误更正码(Error Correcting Codes，ECC)控制参数，其中该非挥发性控制参数储存于该存储装置中的一非挥发性存储区域，该挥发性控制参数储存于该存储装置中的一挥发性存储区域；依据该ECC控制参数控制一ECC功能，使得存取自一存储单元阵列的一储存位置的数据经过或不经过ECC功能处理。

【技术实现步骤摘要】
存储控制方法、存储装置
本专利技术是有关于一种存储控制方法、存储装置。
技术介绍
错误更正码(ErrorCorrectingCodes，ECC)是一种用来更正数据错误的技术，其广泛地被应用在通讯、数据储存等领域。通过在原始数据上附加额外的ECC数据，即便数据在传输的过程中受到外界的干扰或噪声，接收端仍可凭借ECC数据将发生错误的数据更正回原本正确的数据，进而降低数据错误率。然而，系统执行ECC处理需耗费额外的时间来进行数据的比对以及更正，使得系统的整体效能降低。因此，有需要提出一种新的技术来解决上述议题。
技术实现思路
本专利技术提供一种存储控制方法以及存储装置，可依需求开启或关闭存储装置的错误更正码(ErrorCorrectingCodes，ECC)功能，使系统在运行效能与数据正确性上取得较佳的平衡。本专利技术也利用储存在非挥发性存储区域的控制参数以及储存在挥发性存储区域的控制参数来产生ECC控制参数，进而改善开关ECC功能的可靠度。根据本专利技术的一实施例，提出一种存储控制方法，适用于一存储装置，包括：依据一非挥发性控制参数以及一挥发性控制参数产生一ECC控制参数，其中该非挥发性控制参数储存于该存储装置中的一非挥发性存储区域，该挥发性控制参数储存于该存储装置中的一挥发性存储区域；以及依据该ECC控制参数控制一ECC功能，使得存取自一存储单元阵列的一储存位置的数据经过或不经过ECC功能处理。根据本专利技术的一实施例，提出一种存储装置，包括一存储单元阵列、一控制电路、一ECC更正逻辑以及一ECC控制逻辑。控制电路耦接该存储单元阵列，用以响应一存储控制器的控制指令，对该存储单元阵列中的一储存位置进行数据读写。ECC更正逻辑耦接该存储单元阵列，用以执行一ECC功能。ECC控制逻辑耦接该ECC更正逻辑，用以依据一非挥发性控制参数以及一挥发性控制参数产生一ECC控制参数，并依据该ECC控制参数控制该ECC更正逻辑的该ECC功能，使得存取自该储存位置的数据经过或不经过该ECC功能处理；其中该非挥发性控制参数储存于该存储装置中的一非挥发性存储区域，该挥发性控制参数储存于该存储装置中的一挥发性存储区域。为了对本专利技术的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：附图说明图1绘示依据本专利技术一实施例的存储系统的方块图。图2绘示具有ECC功能的存储装置的方块图。图3绘示依据本专利技术的一实施例的存储装置的局部示意图。图4绘示依据本专利技术的另一实施例的存储装置的局部示意图。图5绘示依据本专利技术的一实施例的ECC控制逻辑的示意图。图6绘示依据本专利技术的另一实施例的ECC控制逻辑的示意图。图7绘示依据本专利技术的另一实施例的ECC控制逻辑的示意图。图8绘示存储单元的阀电压分布示意图。图9绘示依据本专利技术的一实施例的存储控制方法的流程图。【符号说明】100：存储系统102：存储控制器104：第一存储装置106：第二存储装置108：输入输出(I/O)模块200：存储装置202：存储单元阵列204：控制电路206：ECC更正逻辑208：ECC控制逻辑210：传输接口ADD：储存位置502：AND逻辑门602：OR逻辑门702：缓存器902、904：步骤具体实施方式在本文中，参照所附图式仔细地描述本专利技术的一些实施例，但不是所有实施例都有表示在图示中。实际上，这些专利技术可使用多种不同的变形，且并不限于本文中的实施例。相对的，本揭露提供这些实施例以满足应用的法定要求。图式中相同的参考符号用来表示相同或相似的组件。图1绘示依据本专利技术一实施例的存储系统100的方块图。存储系统100包括存储控制器102、第一存储装置104、第二存储装置106以及输入输出(I/O)模块108。存储控制器102例如是微控制器(MCU)，可通过系统总线与第一存储装置104、第二存储装置106以及输入输出模块108进行信号传输。第一存储装置104例如是一挥发性存储器，像是动态随机存取存储器(DynamicRandomAccessMemory，DRAM)或静态随机存取存储器(StaticRandomAccessMemory，SRAM)。第二存储装置106例如是一非挥发性存储器，像是闪存(flashmemory)。输入输出模块108例如是一数据传输端口。第二存储装置106可储存存储控制器102执行功能所需的数据(如固件码或程序代码)。在一实施例中，当存储系统100电源开启(poweron)，存储控制器102将初始至一低效能模式，并执行一硬件线路启动码(hard-wiredbootcode)，以将第二存储装置106上的数据下载至第一存储装置104。接着，存储控制器102将切换至一高效能模式，并执行第一存储装置104上的数据，以执行快速的取码(codefetching)。又一实施例中，存储控制器102可直接自第二存储装置106运行程序代码以执行相关功能。存储控制器102在操作过程中可对第一存储装置104或第二存储装置106存取数据。过程中，第一存储装置104或第二存储装置106可基于存储控制器102的规划，选择对存取数据执行ECC处理以确保数据的正确性，或是选择不执行ECC处理以提升系统效能。所述的ECC处理(基于ECC功能的处理)可基于任意的ECC算法来进行，如汉明码(Hammingcode)算法、BCH码算法等，可产生对应原始数据的ECC数据，并在事后基于该ECC数据更正数据中的错误。在一实施例中，存储控制器102可依据所欲存取数据的类型，规划存储装置是否需对该存取数据执行ECC处理。举例来说，存储控制器102可规划第二存储装置106在读/写错误容忍度较高的数据(如语音数据)时，关闭ECC功能以停止对数据作ECC处理，从而提升整体系统效能；存储控制器102也可规划第二存储装置106在读/写错误容忍较低的数据时，对该数据执行ECC处理以确保数据的正确性。图2绘示具有ECC功能的存储装置200的方块图。存储装置200可以是图1中的第一存储装置104或第二存储装置106。存储装置200主要包括存储单元阵列202、控制电路204、ECC更正逻辑206以及ECC控制逻辑208，其中ECC更正逻辑206及ECC控制逻辑208可例如通过硬件逻辑电路或软件程序来实现。存储装置200还可包括一传输接口210，其例如是一数据传输端口，主要负责存储装置200与外部组件(如存储控制器102)之间的数据传输。传输接口210可响应控制电路204的控制信号而开启(使能)或关闭(禁能)。当传输接口210被开启，传输接口210将与存储控制器102传输数据，反之则否。存储单元阵列202中存有用户数据以及ECC数据。举例来说，若一欲写入存储单元阵列202的用户数据是经过ECC功能处理才存入存储单元阵列202，则存储单元阵列202中将包括该用户数据及其对应的ECC数据。控制电路204耦接存储单元阵列202，可响应存储控制器102的控制指令，对存储单元阵列202中一储存位置ADD进行数据读写。ECC更正逻辑206耦接存储单元阵列202，用以执行一ECC功能，以对欲写入或读取自该储存位置ADD的一数据进行ECC处理。举例来说，ECC更正逻辑206可对一待写入数据进行ECC处理，以产生对应该待写入数据的ECC数本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储控制方法，其特征在于，适用于一存储装置，包括：依据一非挥发性控制参数以及一挥发性控制参数产生一错误更正码(Error Correcting Codes，ECC)控制参数，其中该非挥发性控制参数储存于该存储装置中的一非挥发性存储区域，该挥发性控制参数储存于该存储装置中的一挥发性存储区域；以及依据该ECC控制参数控制一ECC功能，使得存取自一存储单元阵列的一储存位置的数据经过或不经过该ECC功能处理。

【技术特征摘要】
1.一种存储控制方法，其特征在于，适用于一存储装置，包括：依据一非挥发性控制参数以及一挥发性控制参数产生一错误更正码(ErrorCorrectingCodes，ECC)控制参数，其中该非挥发性控制参数储存于该存储装置中的一非挥发性存储区域，该挥发性控制参数储存于该存储装置中的一挥发性存储区域；以及依据该ECC控制参数控制一ECC功能，使得存取自一存储单元阵列的一储存位置的数据经过或不经过该ECC功能处理。2.如权利要求1所述的存储控制方法，其特征在于，其中控制该ECC功能还包括：当利用该ECC控制参数关闭该ECC功能，存取自该存储单元阵列的该储存位置的数据不经该ECC功能处理。3.如权利要求1所述的存储控制方法，其特征在于，其中控制该ECC功能还包括：当利用该ECC控制参数开启该ECC功能，存取自该存储单元阵列的该储存位置的数据经过该ECC功能处理。4.如权利要求1所述存储控制方法，其特征在于，其中该存储单元阵列包括一第一存储单元以及一第二存储单元，该存储控制方法还包括：针对该第一存储单元设置一第一ECC控制参数；针对该第二存储单元设置一第二ECC控制参数；当该数据所对应的该储存位置属于该第一存储单元，以该第一ECC控制参数作为该ECC控制参数；以及当该数据所对应的该储存位置属于该第二存储单元，以该第二ECC控制参数作为该ECC控制参数。5.如权利要求1所述的存储控制方法，其特征在于，还包括：通过一与(AND)逻辑门对该非挥发性控制参数以及该挥发性控制参数作一AND逻辑运算，以产生该ECC控制参数。6.如权利要求1所述的存储控制方法，其特征在于，还包括：通过一或(OR)逻辑门对该非挥发性控制参数以及该挥发性控制参数作一OR逻辑运算，以产生该ECC控制参数。7.如权利要求1所述的存储控制方法，其特征在于，还包括：将该非挥发性控制参数加载一缓存器以作为该挥发性控制参数，并以储存于该缓存器中的该挥发性控制参数作为该ECC控制参数；以及响应一规划指令更新该挥发性控制参数的值，以控制开启或关闭该ECC功能。8.如权利要求1所述的存储控制方法，其特征在于，还包括：检测一存储单元的一阀电压分布；判断该阀电压分布是否落在一阀电压区间；当该阀电压分布落在该阀电压区间，利用该ECC控制参数开启该ECC功能；以及当该阀电压分布未落在该阀电压区间，利用该ECC控制参数关闭该ECC功能。9.一种存储装置，其特征在于，包括：一存储单元阵列；一控制电路，耦接该存储单元阵列，用以响应一存储控制器的控制指令，对该存储单元阵列中的一储存位置进行数据读写；一错误更正码(ErrorCorrectingCodes，...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪俊雄，张坤龙，陈耕晖，罗思觉，廖惇雨，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71