集成电路测试方法技术

本发明专利技术公开了一种集成电路测试方法，包含下列步骤：产生N种测试图样；依据N种测试图样测试M个芯片的每一个，产生N×M个静态直流电流值，M个芯片的每一个关联于依据N种测试图样产生的N个静态直流电流值，N种测试图样的每一种关联于依据M个芯片产生的M个静态直流电流值；依据N种测试图样的每一种的M个静态直流电流值产生参考值，根据产生的N个参考值以及预设排序规则来得到N种测试图样的参考顺序；依据N种测试图样的参考顺序来对N×M个静态直流电流值进行排序，依据排序后的N×M个静态直流电流值来产生静态直流电流范围；基于静态直流电流范围与N×M个静态直流电流值来进行分析以判断是否有任何不良芯片存在于M个芯片中。

【技术实现步骤摘要】
集成电路测试方法
本专利技术是关于测试方法，尤其是关于集成电路的测试方法。
技术介绍
集成电路于出厂前须历经许多测试以确保质量。静态直流电流测试(IDDQtesting)是一种用于测试集成电路(例如互补金属氧化物半导体(CMOS)集成电路)的缺陷(defect)是否存在的方法。对一个正常的集成电路而言，在静态(Quiescent)状态下，仅会有微小漏电流的产生；但对一个具有缺陷的集成电路而言，其缺陷会使元件(例如CMOS元件)跟电源端(VDD)或是接地端(GND)形成短路(shortcircuit)，因此在静态状态下，电源端到接地端的大直流电流会被测量到，测到大直流电流意味着受测的集成电路具有缺陷。上述静态状态是指电路未处于切换(switching)状态，且电路的输入被保持固定。然而，由于集成电路制程的发展导致集成电路的尺寸缩小，静态直流电流从而缩小到接近一般漏电流的大小，因此传统的静态直流电流测试可能无法准确地分辨正常与异常的集成电路，有鉴于此，部分目前技术会进一步利用静态直流电流的差异值(deltaIDDQ)来观察在不同的测试图样下静态直流电流的变化趋势，从而分析缺陷是否存在。上述静态直流电流的差异值通常是当前测试图样下集成电路的静态直流电流值减去前一测试图样下该集成电路的静态直流电流值。综上所述，即便利用静态直流电流的差异值来进行分析，由于静态直流电流的差异值是依据前后二个测试图样而产生，若前后二个测试图样对所量测到的静态直流电流的大小的影响是随机的或未经排序的，则由此产生的静态直流电流的差异值的分布也会是随机的或未经排序的，利用这样的静态直流电流的差异值所得到的分析结果往往不甚准确，其可能导致正常/异常的集成电路被误认为异常/正常。
技术实现思路
鉴于先前技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种集成电路测试方法，以提高测试的准确度。本专利技术公开了一种集成电路测试方法，其一个实施例包含下列步骤：产生N种测试图样，其中该N为大于1的整数；依据该N种测试图样测试M个芯片的每一个，从而产生N×M个静态直流电流值，其中该M个芯片的每一个关联于依据该N种测试图样所产生的N个静态直流电流值，该N种测试图样的每一种关联于依据该M个芯片所产生的M个静态直流电流值，该M为正整数；依据该N种测试图样的每一种的M个静态直流电流值产生参考值，再依所产生的N个参考值以及预设排序规则来得到该N种测试图样的参考顺序；依据该N种测试图样的参考顺序来对该N×M个静态直流电流值进行排序，进而依据排序后的该N×M个静态直流电流值来产生静态直流电流范围；以及基于该静态直流电流范围与该N×M个静态直流电流值来进行分析，以判断是否有任何不良芯片存在于该M个芯片中。上述集成电路测试方法的另一实施例包含下列步骤：产生N种测试图样，其中该N为大于1的整数；依据该N种测试图样测试复数个芯片，从而产生该复数个芯片的静态直流电流差异值分布，其中测试该复数个芯片的步骤包含依据该N种测试图样测试第一芯片以产生N个静态直流电流值，以及包含依据该N个静态直流电流值产生N'个静态直流电流差异值，其中该N'等于该N或(N-1)；判断该静态直流电流差异值分布是否有明显的分群现象；以及若判断该静态直流电流差异值分布有明显的分群现象，依据该N'个静态直流电流差异值产生静态直流电流范围，并依据该静态直流电流范围来检查该N'个静态直流电流差异值，以判断该第一芯片是否为不良芯片。有关本专利技术的特征、实现与效果，将配合附图作较佳实施例详细说明如下。附图说明图1显示本专利技术的集成电路测试方法的实施例的流程图；图2显示按照图1的步骤S120所得到的静态直流电流值的分布图；图3显示按照图1的步骤S140所得到的静态直流电流值的分布图；图4显示图1的步骤S140中产生静态直流电流范围的示例；图5显示依据排序前的N×M个静态直流电流值所产生的静态直流电流差异值的分布图；图6显示依据排序后的N×M个静态直流电流值所产生的静态直流电流差异值的分布图；图7显示图4的步骤S410的示例；图8显示受特定测试图样的剧烈影响的静态直流电流值分布图；图9显示受特定测试图样的剧烈影响的静态直流电流差异值分布图；图10显示图4的步骤S420的示例用于解决受特定测试图样的剧烈影响的问题；图11显示采用图10的方法的静态直流电流差异值分布图；图12显示本专利技术的集成电路测试方法的另一实施例的流程图；以及图13显示静态直流电流差异值的分布区分为至少二个群组。具体实施方式本专利技术公开了一种集成电路测试方法，能够相对准确地判断集成电路是否有缺陷。请参考图1，其是本专利技术的集成电路测试方法的实施例的示意图。如图1所示，该实施例包含下列步骤：步骤S110：产生N种测试图样(pattern)(换句话说，N组测试信号，每组测试信号对应一种电路运作设定)，其中该N为大于1的整数。本步骤可利用自动测试图样产生软件(automatictestpatterngenerator,ATPG)产生该N种测试图样，并输出该多个图样至自动测试设备(automatictestequipment,ATE)。上述自动测试图样产生软件与自动测试设备为本领域技术人员所熟知，其细节在此予以省略。步骤S120：依据该N种测试图样测试M个芯片的每一个，从而产生N×M个静态直流电流值(IDDQ)，其中该M个芯片的每一个关联于依据该N种测试图样所产生的N个静态直流电流值，该N种测试图样的每一种关联于依据该M个芯片所产生的M个静态直流电流值，该M为正整数(例如大于1的整数)。本步骤可通过前述自动测试设备来执行。按照步骤S120所产生的N×M个静态直流电流值的分布的示例如图2所示，其中横轴的不同数值代表不同测试图样，纵轴的数值代表静态直流电流值(毫安)，不同样式的线条(佐以不同符号例如三角形符号、方形符号等等)代表不同的受测芯片。步骤S130：依据该N种测试图样的每一种的M个静态直流电流值产生参考值，再依所产生的N个参考值以及预设排序规则来得到该N种测试图样的参考顺序。产生上述参考值的步骤的示例包含：依据该M个静态直流电流值的平均值以及依据该M个静态直流电流值的标准差的K倍来产生该参考值，其中该K为整数或分数，例如是不小于0的整数或分数。在可以实施的情形下，该K可以是负数。前述预设排序规则的示例为升序规则，然而，其它规则，例如递减排序规则也可以被步骤S130采用。步骤S130可通过运算装置(例如计算机)来执行。步骤S140：依据该N种测试图样的参考顺序来对该N×M个静态直流电流值进行排序，进而依据排序后的该N×M个静态直流电流值来产生静态直流电流范围。步骤S140可通过运算装置(例如计算机)来执行。按照步骤S140排序图2的N×M个静态直流电流值后所得到的分布图如图3所示，相较于图2，图3能够较清楚地显示不同芯片的静态直流电流值的差异。步骤S150：基于该静态直流电流范围与该N×M个静态直流电流值来进行分析以判断是否有任何不良芯片存在于该M个芯片中。举例而言，本步骤可依据该静态直流电流范围来检查该N×M个静态直流电流值的衍生值(例如后述的N'×M个静态直流电流差异值(deltaIDDQ))，以将超出该静态直流电流范围的该衍生值所对应的芯片判断为不良芯片。步骤S150可通过前本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种集成电路测试方法，包含下列步骤：产生N种测试图样，其中所述N为大于1的整数；依据所述N种测试图样测试M个芯片的每一个，从而产生N×M个静态直流电流值，其中所述M个芯片的每一个关联于依据所述N种测试图样所产生的N个静态直流电流值，所述N种测试图样的每一种关联于依据所述M个芯片所产生的M个静态直流电流值，所述M为正整数；依据所述N种测试图样的每一种的M个静态直流电流值产生参考值，再按照所产生的N个参考值以及预设排序规则来得到所述N种测试图样的参考顺序；依据所述N种测试图样的参考顺序来对所述N×M个静态直流电流值进行排序，进而依据排序后的所述N×M个静态直流电流值来产生静态直流电流范围；以及基于所述静态直流电流范围与所述N×M个静态直流电流值来进行分析以判断是否有任何不良芯片存在于所述M个芯片中。

【技术特征摘要】
1.一种集成电路测试方法，包含下列步骤：产生N种测试图样，其中所述N为大于1的整数；依据所述N种测试图样测试M个芯片的每一个，从而产生N×M个静态直流电流值，其中所述M个芯片的每一个关联于依据所述N种测试图样所产生的N个静态直流电流值，所述N种测试图样的每一种关联于依据所述M个芯片所产生的M个静态直流电流值，所述M为正整数；依据所述N种测试图样的每一种的M个静态直流电流值产生参考值，再按照所产生的N个参考值以及预设排序规则来得到所述N种测试图样的参考顺序；依据所述N种测试图样的参考顺序来对所述N×M个静态直流电流值进行排序，进而依据排序后的所述N×M个静态直流电流值来产生静态直流电流范围；以及基于所述静态直流电流范围与所述N×M个静态直流电流值来进行分析以判断是否有任何不良芯片存在于所述M个芯片中。2.根据权利要求1所述的方法，其中产生所述静态直流电流范围的步骤包含：依据排序后的所述N×M个静态直流电流值产生N'×M个静态直流电流差异值，其中所述N'等于所述N或(N-1)；以及依据所述N'×M个静态直流电流差异值来产生所述静态直流电流范围。3.根据权利要求2所述的方法，其中产生所述静态直流电流范围的步骤进一步包含：依据所述N'×M个静态直流电流差异值的平均值以及依据所述N'×M个静态直流电流差异值的标准差的K倍来产生所述静态直流电流范围，其中所述K为整数或分数。4.根据权利要求2所述的方法，其中产生所述N'×M个静态直流电流差异值的步骤包含：在所述N种测试图样的参考顺序下，将所述N种测试图样的第X组所关联的M个静态直流电流值分别减去所述N种测试图样的第(X-1)组所关联的M个静态直流电流值，以得到所述N'×M个静态直流电流差异值中的包含M个数据的一组差异值，从而依据所述X的所有可能值来得到所述N'×M个静态直流电流差异值中的包含(N-1)×M个静态直流电流差异值的(N-1)组差异值，其中所述X为大于1且不大于所述N的正整数；以及若所述N'等于所述N，依据预设规则补上M个静态...

【专利技术属性】
技术研发人员：许文轩，陈莹晏，温承谚，赵家佐，李日农，
申请(专利权)人：瑞昱半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71