层叠体、带有机硅树脂层的支撑基材、带有机硅树脂层的树脂基板、电子器件的制造方法技术

本发明专利技术涉及层叠体、带有机硅树脂层的支撑基材、带有机硅树脂层的树脂基板和电子器件的制造方法，提供一种抑制了有机硅树脂层的端部变质的层叠体，其依次具备支撑基材、有机硅树脂层和基板，有机硅树脂层包含选自由3d过渡金属、4d过渡金属、镧系金属及铋组成的组中的至少1种金属元素。

Laminated body, supporting substrate with silicone resin layer, resin substrate with silicone resin layer, and manufacturing method of electronic device

The invention relates to a laminated body, a supporting substrate with a silicone resin layer, a resin substrate with a silicone resin layer and a manufacturing method for the electronic device. It provides a layer that inhibits the end metamorphism of the silicone resin layer, which in turn has a supporting substrate, a silicone resin layer and a substrate, and a silicone resin layer containing free 3D. At least 1 metal elements in the group consisting of transition metals, 4D transition metals, lanthanide metals and bismuth.

【技术实现步骤摘要】
层叠体、带有机硅树脂层的支撑基材、带有机硅树脂层的树脂基板、电子器件的制造方法
本专利技术涉及层叠体、带有机硅树脂层的支撑基材、带有机硅树脂层的树脂基板、及电子器件的制造方法。
技术介绍
近年来，太阳能电池(PV)、液晶面板(LCD)、有机EL面板(OLED)、感知电磁波、X射线、紫外线、可见光线、红外线等的接收传感器面板等器件(电子设备)正逐渐薄型化、轻量化，这些器件中使用的以玻璃基板为代表的基板正逐渐薄板化。若因薄板化而基板的强度不足，则在器件的制造工序中，基板的处理性降低。最近，为了应对上述的问题，提出了如下方法：准备将玻璃基板和加强板层叠而成的玻璃层叠体，在玻璃层叠体的玻璃基板上形成显示装置等电子器件用构件后，将加强板从玻璃基板分离的方法(例如，专利文献1)。加强板具有支撑板和固定于该支撑板上的有机硅树脂层，在玻璃层叠体中，有机硅树脂层与玻璃基板可剥离地密合。现有技术文献专利文献专利文献1：国际公开第2007/018028号
技术实现思路
专利技术要解决的问题近年来，随着电子器件用构件的高功能化、复杂化，期望在形成氧化物半导体等电子器件用构件时，在大气气氛下、在更高温条件(例如450℃)下实施加热处理。本专利技术人等准备专利文献1中记载的玻璃层叠体并实施了在上述条件下的加热处理，结果发现玻璃层叠体中的有机硅树脂层的端部附近发生白化、发生变质(以后，将这样的变质也称为“端部变质”)。具体而言，如实施了加热处理的玻璃层叠体的俯视图即图3所示，在玻璃层叠体100的有机硅树脂层的端部102发生变质。若伴着这样的端部变质在有机硅树脂层的端部附近产生间隙，则容易产生如下工艺上的不良情况：湿法工序中所使用的化学试剂浸入至玻璃层叠体中，污染其后实施的真空工艺装置；前工序的药剂混入至其它湿法工序中所使用的药剂中等。本专利技术鉴于上述实际情况，提供抑制了有机硅树脂层的端部变质的层叠体。另外，本专利技术还提供能够适用于上述层叠体的带有机硅树脂层的支撑基材、带有机硅树脂层的树脂基板、及电子器件的制造方法。用于解决问题的方案本专利技术人等为了解决上述问题而进行了深入研究，结果发现，通过以下的构成能够解决上述课题。(1)一种层叠体，其依次具备支撑基材、有机硅树脂层和基板，有机硅树脂层包含选自由3d过渡金属、4d过渡金属、镧系金属及铋组成的组中的至少1种金属元素。(2)根据(1)所述的层叠体，其中，有机硅树脂层包含选自由3d过渡金属、镧系金属及铋组成的组中的至少1种金属元素。(3)根据(1)或(2)所述的层叠体，其中，有机硅树脂层包含选自由铁、锰、铜、铈、钴、镍、铬及铋组成的组中的至少1种金属元素。(4)根据(1)～(3)中任一项所述的层叠体，其中，有机硅树脂层包含选自由铁、锰、铜、铈及铋组成的组中的至少1种金属元素。(5)根据(1)～(4)中任一项所述的层叠体，其中，多个基板夹着有机硅树脂层层叠于支撑基材上。(6)根据(1)～(5)中任一项所述的层叠体，其中，基板为玻璃基板。(7)根据(1)～(5)中任一项所述的层叠体，其中，基板为树脂基板。(8)根据(7)所述的层叠体，其中，树脂基板为聚酰亚胺树脂基板。(9)根据(1)～(5)中任一项所述的层叠体，其中，基板为包含半导体材料的基板。(10)根据(9)所述的层叠体，其中，半导体材料为Si、SiC、GaN、氧化镓、或金刚石。(11)一种带有机硅树脂层的支撑基材，其依次具备支撑基材和有机硅树脂层，有机硅树脂层包含选自由3d过渡金属、4d过渡金属、镧系金属及铋组成的组中的至少1种金属元素。(12)一种电子器件的制造方法，其具备：构件形成工序，在(1)～(10)中任一项所述的层叠体的基板的表面上形成电子器件用构件，得到带电子器件用构件的层叠体；和分离工序，从带电子器件用构件的层叠体将包含支撑基材及有机硅树脂层的带有机硅树脂层的支撑基材去除，得到具有基板和电子器件用构件的电子器件。(13)一种带有机硅树脂层的树脂基板，其依次具备树脂基板和有机硅树脂层，有机硅树脂层包含选自由3d过渡金属、4d过渡金属、镧系金属及铋组成的组中的至少1种金属元素。(14)一种电子器件的制造方法，其具备：形成层叠体的工序，使用(13)所述的带有机硅树脂层的树脂基板和支撑基材形成层叠体；构件形成工序，在层叠体的树脂基板的表面上形成电子器件用构件，得到带电子器件用构件的层叠体；及分离工序，从带电子器件用构件的层叠体去除支撑基材及有机硅树脂层，得到具有树脂基板和电子器件用构件的电子器件。专利技术的效果根据本专利技术，能够提供抑制了有机硅树脂层的端部变质的层叠体。另外，根据本专利技术，可以提供能够应用于上述层叠体的带有机硅树脂层的支撑基材、带有机硅树脂层的树脂基板及电子器件的制造方法。附图说明图1为本专利技术的玻璃层叠体的一个实施方式的示意性截面图。图2的(A)及图2的(B)为依照工序顺序示出本专利技术的电子器件的制造方法的一个实施方式的示意性截面图。图3为示出以往的层叠体中发生端部变质的状况的俯视图。附图标记说明10、100玻璃层叠体12支撑基材14有机硅树脂层14a有机硅树脂层的表面16玻璃基板16a玻璃基板的第1主面16b玻璃基板的第2主面18带树脂层的支撑基材20电子器件用构件22带电子器件用构件的层叠体24带构件的玻璃基板102端部L端部变质长度具体实施方式以下，参照附图对用于实施本专利技术的方式进行说明，但本专利技术不限制于以下的实施方式，只要不脱离本专利技术的范围，则可以对以下的实施方式施加各种变形及置换。图1为作为本专利技术的层叠体的一个方式的玻璃层叠体的一个实施方式的示意性截面图。如图1所示，玻璃层叠体10为包含支撑基材12及玻璃基板16、以及配置于它们之间的有机硅树脂层14的层叠体。对于有机硅树脂层14，其一个面与支撑基材12接触、并且其另一面与玻璃基板16的第1主面16a接触。玻璃层叠体10中，有机硅树脂层14与玻璃基板16之间的剥离强度低于有机硅树脂层14与支撑基材12之间的剥离强度，有机硅树脂层14与玻璃基板16剥离，分离为有机硅树脂层14及支撑基材12的层叠体、和玻璃基板16。换言之，有机硅树脂层14固定于支撑基材12上，玻璃基板16可剥离地层叠于有机硅树脂层14上。包含支撑基材12及有机硅树脂层14的2层部分具有对玻璃基板16进行加强的功能。需要说明的是，将为了制造玻璃层叠体10而预先制造的包含支撑基材12及有机硅树脂层14的2层部分称为带有机硅树脂层的支撑基材18。该玻璃层叠体10通过后述的步骤分离为玻璃基板16和带有机硅树脂层的支撑基材18。带有机硅树脂层的支撑基材18可以与新的玻璃基板16层叠，作为新的玻璃层叠体10再利用。支撑基材12与有机硅树脂层14之间的剥离强度为剥离强度(x)，若在支撑基材12与有机硅树脂层14之间施加超过剥离强度(x)的剥离方向的应力，则支撑基材12与有机硅树脂层14剥离。有机硅树脂层14与玻璃基板16之间的剥离强度为剥离强度(y)，若在有机硅树脂层14与玻璃基板16之间施加超过剥离强度(y)的剥离方向的应力，则有机硅树脂层14与玻璃基板16剥离。玻璃层叠体10中，上述剥离强度(x)高于上述剥离强度(y)。因此，若对玻璃层叠体10施加将支撑基材12和玻璃基板16剥离的方向的应力，则玻璃层叠体10在有机本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种层叠体，其依次具备支撑基材、有机硅树脂层和基板，所述有机硅树脂层包含选自由3d过渡金属、4d过渡金属、镧系金属及铋组成的组中的至少1种金属元素。

【技术特征摘要】
2016.12.28 JP 2016-255155;2017.06.20 JP 2017-120811.一种层叠体，其依次具备支撑基材、有机硅树脂层和基板，所述有机硅树脂层包含选自由3d过渡金属、4d过渡金属、镧系金属及铋组成的组中的至少1种金属元素。2.根据权利要求1所述的层叠体，其中，所述有机硅树脂层包含选自由3d过渡金属、镧系金属及铋组成的组中的至少1种金属元素。3.根据权利要求1或2所述的层叠体，其中，所述有机硅树脂层包含选自由铁、锰、铜、铈、钴、镍、铬及铋组成的组中的至少1种金属元素。4.根据权利要求1～3中任一项所述的层叠体，其中，所述有机硅树脂层包含选自由铁、锰、铜、铈及铋组成的组中的至少1种金属元素。5.根据权利要求1～4中任一项所述的层叠体，其中，多个所述基板夹着所述有机硅树脂层层叠于所述支撑基材上。6.根据权利要求1～5中任一项所述的层叠体，其中，所述基板为玻璃基板。7.根据权利要求1～5中任一项所述的层叠体，其中，所述基板为树脂基板。8.根据权利要求7所述的层叠体，其中，所述树脂基板为聚酰亚胺树脂基板。9.根据权利要求1～5中任一项所述的层叠体，其中，所述基板为包含半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：长尾洋平，山田和夫，山内优，照井弘敏，
申请(专利权)人：旭硝子株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP