一种加装缓冲器的DC-DC变换器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种加装缓冲器的DC‑DC变换器。DC‑DC变换器含左右两边有源全桥和高频隔离变压器以及电感、电阻。高频隔离变压器两边的有源全桥均由IGBT功率开关管，二极管和缓冲电容组成，缓冲电容并联在各个IGBT功率开关管上构成缓冲器。左右两个桥式直流变换器两侧开关管的频率相同，每个全桥的上下开关管互补导通。左右侧开关管的导通规律、开关频率相同。变换器左侧全桥对角开关管之间存在一个内移相比D1，左侧全桥与右侧全桥之间外移相比D2。本实用新型专利技术的DC‑DC变换器在功率开关上部署缓冲器，有效提升转换器的性能，抑制过电压尖峰，降低EMI电磁干扰，减小功率开关管的损耗为双移相控制提供好的设备。且结构简单可靠，费用低廉，易于推广。

【技术实现步骤摘要】
一种加装缓冲器的DC-DC变换器
本技术涉及一种DC-DC变换电器，特别涉及一种加装有缓冲器的双有源桥电路DC-DC变换器，属于电力电子与电工范畴。
技术介绍
双有源桥(dual-active-bridge,DAB)直流-直流变换器，即DC-DC变换器，在功能上相当于两个单向的DC-DC变换，增加了能量的双向流动能力，与传统单向DC-DC变换器相比节约了器件数目、减小了系统体积、降低了成本，同时提高了系统效率。因此，双有源桥DC-DC变换器在直流电机驱动、不间断电源、电动汽车和风能发电等绿色能源中，得到了越来越广泛的应用。现有的双有源桥直流-直流变换器，即DC-DC变换器主电路一般采用左右两边的有源全桥和高频变压器以及电感组成，控制方法主要为单移相控制，控制简单且易于实现，但是，功率的双向流动效果和抗电磁干扰能力还不能满足日益发展的需要。特别是当输入输出电压不匹配或电压变化比较大时，容易产生回流功率及电压尖峰、增大电流应力，增加变压器的损耗。
技术实现思路
本技术的目的是针对现有双有源桥DC-DC变换器在电压变化比较大，输入输出电压不匹配时使用效果不佳的现状，提出一种具有抑制电压尖峰，降低电磁干扰EMI的DC-DC变换器。使双有源桥DC-DC变换器的回流功率大幅降低，且在一定范围内使回流功率为零。本技术的目的是这样达到的：一种加装缓冲器的DC-DC变换器，其特征在于：DC-DC变换器含左右两边有源全桥和高频隔离变压器以及电感、电阻，高频隔离变压器两边的有源全桥均由四个IGBT功率开关管S1～S8、四个二极管Q～1Q8和四个缓冲电容C1～C8组成，二极管反串在IGBT功率开关管上，缓冲电容C1～C8并联在IGBT功率开关管上；左侧有源全桥四个IGBT功率开关管S1～S4反串四个二极管Q1～Q4，并联四个缓冲电容C1～C4，右侧有源全桥由功率开关管IGBTS5～S8反串四个二极管Q5～Q8，并联四个缓冲电容C5～C8；高频隔离变压器T的变比为n：1，电感L为外串电感加变压器漏感之和；一次侧输出电压为Uh1，二次侧输入电压为Uh2，电感电压为UL，电感电流为iL。左右两个桥式直流变换器两侧开关管S1～S8频率相同，每个全桥的上下开关管互补导通；左侧桥式直流变换器的开关管S1、S4和S2、S3轮流导通；右侧的开关管S5、S8和S6、S7的导通规律、开关频率和左侧相同。DC-DC变换器左侧全桥对角开关管之间存在一个移相角半个周期内的移相比表示为其中D1为内移相比；左侧U1侧与DC-DC变换器之间也存在一个移相角φ，半个周期内的移相比表示为D2＝φ/π，其中D2为外移相比，满足条件0≤D1≤D2≤1。本技术的积极效果是：1、本技术的DC-DC变换器在功率开关上部署缓冲器，缓冲电容C1～C8有效提升转换器的性能，抑制过电压尖峰，降低EMI电磁干扰，减小功率开关管的损耗，为双移相减小回流功率提供了更为可靠的设备。2、DC-DC变换器缓冲器结构简单可靠，费用低廉，控制回路功率的方法具有实际指导意义，对当前日益增长的DC-DC变换器应用需求有非常广泛的应用前景，易于推广。附图说明图1是现有DAB变换器的示意图。图2是本技术的DC-DC变换器结构示意图。图3是采用本技术的负载为64Ω时输出功率波形仿真图。图4是采用本技术的负载为140Ω时输出功率波形仿真图。图中，S1～S8为IGBT功率开关管、Q1～Q8为反串功率开关管的二极管，C1～C8为并联在IGBT功率开关管上的缓冲电容，构成缓冲器，T为变比为n：1的高频隔离变压器，电感L为外串电感加变压器漏感之和；一次侧输出电压为Uh1，二次侧输入电压为Uh2。具体实施方式参见附图1、2。DC-DC变换器含高频隔离变压器和左右两边的DC有源全桥以及电感。本技术为了提高转换器的性能在功率开关上部署缓冲电路，缓冲电路的主要作用是：抑制过电压、减小功率开关管的损耗、抑制电压尖峰并有效降低EMI电磁干扰。加装缓冲器的DC-DC变换器，有源全桥的高频隔离变压器两边的有源全桥均由四个IGBT功率开关管、四个二极管和四个缓冲电容组成，二极管反串在IGBT功率开关管上，缓冲电容并联在IGBT功率开关管上。左侧有源全桥四个IGBT功率开关管S1～S4反串四个二极管Q1～Q4，并联四个缓冲电容C1～C4，右侧有源全桥由功率开关管IGBTS5～S8反串四个二极管Q5～Q8，并联四个缓冲电容C5～C8。本实施例中，DC-DC变换器的负载电阻选择了两个，R＝64Ω和R＝140Ω，选择缓冲电容值为：C＝100nF。高频隔离变压器T的变比为n：1，电感L为外串电感加变压器漏感之和；一次侧输出电压为Uh1，二次侧输入电压为Uh2，电感电压为UL，电感电流为iL。左右两个桥式直流变换器两侧开关管S1～S8频率相同，每个全桥的上下开关管互补导通；左侧桥式直流变换器的开关管S1、S4和S2、S3轮流导通；右侧的开关管S5、S8和S6、S7的导通规律、开关频率和左侧相同。DC-DC变换器左侧H桥对角开关管之间存在一个移相角半个周期内的移相比表示为其中D1为内移相比；左侧U1侧与DC-DC变换器之间也存在一个移相角φ，半个周期内的移相比表示为D2＝φ/π，其中D2为外移相比，满足条件0≤D1≤D2≤1。参见附图3、4。使用本技术的加装缓冲器的DC-DC变换器且采用双移相的控制方法，通过仿真实验验证本技术的使用效果明显。从变换器回流功率图可知，当负载电阻为64Ω时，输出功率为P＝2500W，此时输出功率的标幺值为P0＝0.8333＞0.8，此时回流功率大约为PDcir＝500W。当负载电阻140Ω时输出功率波形，回流功率为零，与现有技术比较大大减小。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种加装缓冲器的DC‑DC变换器，其特征在于：DC‑DC变换器含左右两边有源全桥和高频隔离变压器以及电感、电阻，高频隔离变压器两边的有源全桥均由四个IGBT功率开关管(S1～S8)、四个二极管(Q1～Q8)和四个缓冲电容(C1～C8)组成，二极管反串在IGBT功率开关管上，缓冲电容(C1～C8)并联在IGBT功率开关管上；左侧有源全桥四个IGBT功率开关管(S1～S4)反串四个二极管(Q1～Q4)，并联四个缓冲电容(C1～C4)，右侧有源全桥由功率开关管IGBT(S5～S8)反串四个二极管(Q5～Q8)，并联四个缓冲电容(C5～C8)；高频隔离变压器T的变比为n：1，电感L为外串电感加变压器漏感之和；一次侧输出电压为Uh1，二次侧输入电压为Uh2，电感电压为UL，电感电流为iL。

【技术特征摘要】
1.一种加装缓冲器的DC-DC变换器，其特征在于：DC-DC变换器含左右两边有源全桥和高频隔离变压器以及电感、电阻，高频隔离变压器两边的有源全桥均由四个IGBT功率开关管(S1～S8)、四个二极管(Q1～Q8)和四个缓冲电容(C1～C8)组成，二极管反串在IGBT功率开关管上，缓冲电容(C1～C8)并联在IGBT功率开关管上；左侧有源全桥四个IGBT功率开关管(S1～S4)反串四个二极管(Q1～Q4)，并联四个缓冲电容(C1～C4)，右侧有源全桥由功率开关管IGBT(S5～S8)反串四个二极管(Q5～Q8)，并联四个缓冲电容(C5～C8)；高频隔离变压器T的变比为n：1，电感L为外串电感加变压器漏感之和；一次侧输出电压为Uh1，二次侧输入电压为Uh2，电感电压为UL，电感电流为iL。2.如权利要求1所述的加...

【专利技术属性】
技术研发人员：苗虹，高选杰，曾成碧，周宇鑫，刘广，程平凡，熊正勇，卢杨，
申请(专利权)人：四川大学，
类型：新型
国别省市：四川,51