一种无衬底LED芯片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种无衬底LED芯片，涉及LED芯片领域，包括外壳、P电极、N电极、P型氮化镓层和N型氮化镓层，在N型氮化镓层上设有反射层，且在N型氮化镓层和反射层的侧表面上涂覆有荧光粉涂层，从而提高了无衬底LED芯片出光效率；另外，外壳包括壳体和壳盖，在壳体底部与P电极之间设有第一微型弹簧，在壳体底部与N电极之间设有第二微型弹簧，第一微型弹簧和第二微型弹簧具有减震作用，且壳体包括内层和外层，内层和外层之间填充有橡胶减震材料。本实用新型专利技术使得无衬底LED芯片在运输途中不易受到震动而破损，提高了无衬底LED芯片的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种无衬底LED芯片
本技术涉及LED芯片领域，尤其涉及一种无衬底LED芯片。
技术介绍
LED芯片是LED灯的核心组件，主要功能是把电能转化为光能，按照结构可以分为正装LED芯片、倒装装LED芯片和垂直LED芯片，通常这几种LED芯片都是有衬底的，衬底主要分为蓝宝石衬底、硅衬底和碳化硅衬底，它们在起到保护芯片作用的同时，也有一些诸如散热性不好、出光效率减小和成本高等缺点，近些年，无衬底LED芯片慢慢得到应用，但现有技术中的无衬底LED芯片仅仅由P电极、N电极、N型氮化镓层、P型氮化镓层和反射层组成，当无衬底LED芯片在运输时，由于无衬底结构，从而导致无衬底LED芯片容易受到震动而破损，从而降低了无衬底LED芯片的可靠性。
技术实现思路
有鉴于此，本技术设计完成了一种无衬底LED芯片，使得无衬底LED芯片在运输途中不易受到震动而破损，提高了无衬底LED芯片的可靠性，且加强了无衬底LED芯片的减震效果。本技术通过以下技术手段解决上述问题：一种无衬底LED芯片，包括P电极和N电极，所述P电极上设有P型氮化镓层，所述P型氮化镓层和所述N电极上设有N型氮化镓层，且所述N型氮化镓层的长度大于所述P型氮化镓层的长度与所述N电极的长度之和，所述N型氮化镓层上设有反射层，所述反射层上设有荧光粉涂层，且所述荧光粉涂层覆盖在N型氮化镓层和反射层的侧表面；还包括外壳、第一微型弹簧和第二微型弹簧；所述外壳包括壳体和壳盖，所述壳盖的边缘处设有若干个凸起，所述壳体的边缘处设有若干个与所述凸起匹配的凹槽；所述P电极、P型氮化镓层、N电极、N型氮化镓层、反射层和荧光粉涂层均位于所述壳体内，所述第一微型弹簧的一端和第二微型弹簧的一端均连接在所述壳体的内底面上，所述第一微型弹簧的另一端与所述P电极的下端连接，所述第二微型弹簧的另一端与所述N电极的下端连接；所述壳体的内表面涂覆有防静电层。进一步地，所述壳体包括内层和外层，且所述内层和外层之间填充有橡胶减震材料，所述第一微型弹簧和第二微型弹簧均设置在所述壳体的内层底面上。进一步地，所述壳体和壳盖的外表面均涂覆有防潮层。进一步地，所述壳盖的侧表面设有若干散热孔。本技术的一种无衬底LED芯片具有以下有益效果：本技术公开了一种无衬底LED芯片，包括P电极、N电极、P型氮化镓层和N型氮化镓层，且在N型氮化镓层上设有反射层，且在N型氮化镓层和反射层的侧表面上涂覆有荧光粉涂层，由于荧光粉涂层具有增强光的反射性和出光均匀性的作用，从而提高了无衬底LED芯片出光效率；另外，本技术在壳体底部与P电极之间设有第一微型弹簧，在壳体底部与N电极之间设有第二微型弹簧，第一微型弹簧和第二微型弹簧具有减震作用，从而使得本技术的无衬底LED芯片在运输途中不易受到震动而破损，从而提高了无衬底LED芯片的可靠性；且在壳体的内层和外层之间填充有橡胶减震材料，进一步加强了无衬底LED芯片的减震效果；最后，本技术还在壳体的内表面涂覆有防静电层，从而抑制了无衬底LED芯片因静电导致P-N结电流场受到的影响。附图说明为了更清楚地说明本技术的技术方案，下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本技术一种无衬底LED芯片的结构示意图；其中，1.P电极；2.P型氮化镓层；3.N电极；4.N型氮化镓层；5.反射层；6.荧光粉涂层；7.外壳；71.壳体；72.壳盖；8.第一微型弹簧；9.第二微型弹簧。具体实施方式在本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本技术的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。下面结合附图和实施例对本技术进行详细的描述。实施例如图1所示，一种无衬底LED芯片，包括P电极1和N电极3，所述P电极1上设有P型氮化镓层2，所述P型氮化镓层2和所述N电极3上设有N型氮化镓层4，且所述N型氮化镓层4的长度大于所述P型氮化镓层2的长度与所述N电极3的长度之和，所述N型氮化镓层4上设有反射层5，所述反射层5上设有荧光粉涂层6，且所述荧光粉6涂层覆盖在N型氮化镓层4和反射层5的侧表面，其中，反射层5增强无衬底LED芯片上表面的出光效率，荧光粉涂层6进一步增强无衬底LED芯片上表面及侧表面的的出光效率，提高照明效果。还包括外壳7、第一微型弹簧8和第二微型弹簧9；所述外壳7包括壳体71和壳盖72，所述壳盖72的边缘处设有若干个凸起，所述壳体71的边缘处设有若干个与所述凸起匹配的凹槽，方便连接和拆卸；所述P电极1、P型氮化镓层2、N电极3、N型氮化镓层4、反射层5和荧光粉涂层6均位于所述壳体71内，所述第一微型弹8簧的一端和第二微型弹簧9的一端均连接在所述壳体71的内底面上，所述第一微型弹簧8的另一端与所述P电极1的下端连接，所述第二微型弹簧9的另一端与所述N电极3的下端连接，第一微型弹簧8和第二微型弹簧9具有减震作用，从而使得本技术的无衬底LED芯片在运输途中不易受到震动而破损，从而提高了无衬底LED芯片的可靠性；所述壳体71的内表面涂覆有防静电层，抑制无衬底LED芯片因静电导致P-N结电流场受影响。进一步地，所述壳体71包括内层和外层，且所述内层和外层之间填充有橡胶减震材料，进一步起到防震动作用，更好的保护芯片。具体的，所述第一微型弹簧8和第二微型弹簧9均设置在所述壳体71的内层底面上。进一步地，所述壳盖72和壳体71的外表面均涂覆有防潮层，在长时间运输途中不会因为壳体潮湿导致芯片受损。所述壳盖72的侧表面设有若干散热孔，利于运输途中热量的扩散。本技术提供了一种无衬底LED芯片，包括P电极1、N电极3、P型氮化镓层2和N型氮化镓层4，在N型氮化镓层4上设有反射层5，且在N型氮化镓层4和反射层5的侧表面上涂覆有荧光粉涂层6，由于荧光粉涂层6具有增强光的反射性和出光均匀性的作用，从而提高了无衬底LED芯片出光效率；另外，本技术在壳体71的底部与P电极1之间设有第一微型弹簧8，在壳体71的底部与N电极3之间设有第二微型弹簧9，第一微型弹簧8和第二微型弹簧9具有减震作用，从而使得本技术的无衬底LED芯片在运输途中不易受到震动而破损，从而提高了无衬底LED芯片的可靠性；且在壳体71的内层和外层之间填充有橡胶减震材料，进一步加强了无衬底LED芯片的减震效果；最后，本技术还在壳体71的内表面涂覆有防静电层，从而抑制了无衬底LED芯片因静电导致P-N结电流场受到的影响。最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种无衬底LED芯片，其特征在于：包括P电极(1)和N电极(3)，所述P电极(1)上设有P型氮化镓层(2)，所述P型氮化镓层(2)和所述N电极(3)上设有N型氮化镓层(4)，且所述N型氮化镓层(4)的长度大于所述P型氮化镓层(2)的长度与所述N电极(3)的长度之和，所述N型氮化镓层(4)上设有反射层(5)，所述反射层(5)上设有荧光粉涂层(6)，且所述荧光粉涂层(6)覆盖在N型氮化镓层(4)和反射层(5)的侧表面；还包括外壳(7)、第一微型弹簧(8)和第二微型弹簧(9)；所述外壳(7)包括壳体(71)和壳盖(72)，所述壳盖(72)的边缘处设有若干个凸起，所述壳体(71)的边缘处设有若干个与所述凸起匹配的凹槽；所述P电极(1)、P型氮化镓层(2)、N电极(3)、N型氮化镓层(4)、反射层(5)和荧光粉涂层(6)均位于所述壳体(71)内，所述第一微型弹簧(8)的一端和第二微型弹簧(9)的一端均连接在所述壳体(71)的内底面上，所述第一微型弹簧(8)的另一端与所述P电极(1)的下端连接，所述第二微型弹簧(9)的另一端与所述N电极(3)的下端连接；所述壳体(71)的内表面涂覆有防静电层。

【技术特征摘要】
1.一种无衬底LED芯片，其特征在于：包括P电极(1)和N电极(3)，所述P电极(1)上设有P型氮化镓层(2)，所述P型氮化镓层(2)和所述N电极(3)上设有N型氮化镓层(4)，且所述N型氮化镓层(4)的长度大于所述P型氮化镓层(2)的长度与所述N电极(3)的长度之和，所述N型氮化镓层(4)上设有反射层(5)，所述反射层(5)上设有荧光粉涂层(6)，且所述荧光粉涂层(6)覆盖在N型氮化镓层(4)和反射层(5)的侧表面；还包括外壳(7)、第一微型弹簧(8)和第二微型弹簧(9)；所述外壳(7)包括壳体(71)和壳盖(72)，所述壳盖(72)的边缘处设有若干个凸起，所述壳体(71)的边缘处设有若干个与所述凸起匹配的凹槽；所述P电极(1)、P型氮化镓层(2)、N电极(3)、N型氮化镓层(4)、反射层(5)和荧...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭辉，
申请(专利权)人：深圳市好景光电有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44