一种双相耦合电感器及电源制造技术

本实用新型专利技术实施例公开了一种双相耦合电感器及电源，包括第一磁芯、第二磁芯、第一绕阻和第二绕阻，第一磁芯和第二磁芯正对相连；第一磁芯中与第二磁芯连接的侧面设有5个磁柱，各个磁柱依次分别为第一边柱、第一副中柱、主中柱、第二副中柱和第二边柱，每相邻两个磁柱之间形成一个线槽，各个线槽依次分别为第一线槽、第二线槽、第三线槽和第四线槽；第一绕阻设有第一导体片、第二导体片和第一非电极引脚；第二绕阻设有第三导体片、第四导体片和第二非电极引脚；第一导体片、第二导体片、第三导体片和第四导体片分别设置于第一线槽、第三线槽、第二线槽和第四线槽内。降低了双相耦合电感器的高度使其轻薄化，利于电源及终端设备的轻薄化。

【技术实现步骤摘要】
一种双相耦合电感器及电源
本技术实施例涉及电感
，特别是涉及一种双相耦合电感器及电源。
技术介绍
近年来，采用双相或多相耦合电感器的交错并联技术越来越多的应用在电源设计中。所谓交错并联电路，就是电源多路输入并联在一起，开关管的工作频率相同，相位相差一定角度。由于采用了交错并联结构，由开关管频繁开关产生的纹波会大大减小，这样在设计输出滤波电容时，可以减小电容的设计值。在低压大电流的场合中应用此技术效果更加明显，不仅改善直流输出电压的质量，还可缩小体积，节省成本，给后续设计带来很多好处。采用交错并联技术，两路分担总功率，每一路功率会减小，每一路磁性元件的高度和体积也会大大减小，整个电路的体积相对单相电路在相同输出功率情况下要小很多，这样就提高了电源的功率密度，降低了电源成本。随着科技的发展，用户对电子产品轻薄化的需求越来越高，在电子产品中电源是必不可少的器件。目前，采用双相或多相耦合电感器的交错并联技术越来越多的应用在电源设计中，并且交错并联电路中使用的双相耦合电感器或多相耦合电感器，对电路性能有着关键性的影响。目前，现有的双相耦合电感器主要是采用副磁路气隙来调节耦合系数的，因此需要在耦合电感之外增设一个副磁路，由于副磁路本身的高度和长度均较大，且为了保持整个双耦合电感器的性能，需要将所增设的副磁路设置于耦合电感的上方，从而增加了整个双相耦合电感器的整体高度，使现有技术中的双相耦合电感器难以满足终端设备轻薄化设计需求。鉴于此，如何提供一种解决上述技术问题的双相耦合电感器及电源成为本领域技术人员目前亟待解决的问题。
技术实现思路
本技术实施例的目的是提供一种双相耦合电感器及电源，可以降低双相耦合电感器的高度，使双相耦合电感器轻薄化，进而有利于电源及终端设备的轻薄化设计。为解决上述技术问题，本技术实施例提供了一种双相耦合电感器，应用于电源，包括第一磁芯、第二磁芯、第一绕阻和第二绕阻，其中：所述第一磁芯和所述第二磁芯正对相连，形成耦合电感器的磁通回路；所述第一磁芯中与所述第二磁芯连接的侧面设有5个磁柱，各个所述磁柱依次分别为第一边柱、第一副中柱、主中柱、第二副中柱和第二边柱，每相邻两个磁柱之间形成一个线槽，各个所述线槽依次分别为第一线槽、第二线槽、第三线槽和第四线槽；所述第一绕阻设有第一导体片、第二导体片和第一非电极引脚，所述第一导体片和所述第二导体片的端部分别设有第一电极引脚和第二电极引脚；所述第二绕阻设有第三导体片、第四导体片和第二非电极引脚，所述第三导体片和所述第四导体片的端部分别设有第三电极引脚和第四电极引脚；所述第一导体片、所述第二导体片、所述第三导体片和所述第四导体片分别设置于第一线槽、第三线槽、第二线槽和第四线槽内。可选的，所述第一磁芯上表面的一侧边缘设有第一台阶；所述第二磁芯的底部的两侧边缘分别设有第二台阶和第三台阶。可选的，所述第一绕阻为U型，所述第一电极引脚和所述第二电极引脚均为钩状结构，且均卡接于所述第二台阶上；所述第一非电极引脚为钩状结构，且卡接于所述第一台阶上。可选的，所述第二绕阻为U型，所述第三电极引脚和所述第四电极引脚为钩状结构，且均卡接于所述第二台阶上；所述第二非电极引脚为钩状结构，且卡接于所述第三台阶上。可选的，所述第一边柱和所述第二边柱的宽度相等；所述第一副中柱和所述第二副中柱的宽度相等。可选的，所述第一线槽、所述第二线槽、所述第三线槽和所述第四线槽的宽度相等。可选的，所述第一磁芯的厚度不大于第一预设阈值，所述第二磁芯的厚度不大于第二预设阈值。可选的，所述第一预设阈值为2mm；所述第二预设阈值为1mm。可选的，所述第一绕阻和所述第二绕阻均为将镀锡铜片冲压弯折而成的绕阻。本技术实施例还提供了一种电源，包括如上述所述的双相耦合电感器。本技术实施例提供了一种双相耦合电感器及电源，包括第一磁芯、第二磁芯、第一绕阻和第二绕阻，其中，第一磁芯和第二磁芯正对相连，形成耦合电感器的磁通回路；第一磁芯中与第二磁芯连接的侧面设有5个磁柱，各个磁柱依次分别为第一边柱、第一副中柱、主中柱、第二副中柱和第二边柱，每相邻两个磁柱之间形成一个线槽，各个线槽依次分别为第一线槽、第二线槽、第三线槽和第四线槽；第一绕阻设有第一导体片、第二导体片和第一非电极引脚，第一导体片和第二导体片的端部分别设有第一电极引脚和第二电极引脚；第二绕阻设有第三导体片、第四导体片和第二非电极引脚，第三导体片和第四导体片的端部分别设有第三电极引脚和第四电极引脚；第一导体片、第二导体片、第三导体片和第四导体片分别设置于第一线槽、第三线槽、第二线槽和第四线槽内。可见，本技术实施例中的第一绕组的第一导体片和第二导体片与第二绕阻的第三导体片和第四导体片相互交错的设置于第一磁芯的各个线槽内，从而使第一绕阻将主中柱和第二副中柱环绕在内，使第二绕阻将第一副中柱和主中柱环绕在内，并且主中柱被第一绕阻和第二绕阻共同环绕，整个双相耦合电感器的耦合系数的大小由第一副中柱和第二副中柱的面积决定，所以可以根据实际需要设计具有不同宽度的第一副中柱和第二副中柱，进而使双相耦合电感器具有相应的耦合系数，也即可以通过对第一副中柱和第二副中柱的宽度进行调整以对耦合系数进行调整。本技术实施例无需额外设置副磁路，从而可以降低双相耦合电感器的高度，使双相耦合电感器轻薄化，进而有利于电源及终端设备的轻薄化设计。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对现有技术和实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本技术实施例提供的一种双相耦合电感器的上45°结构示意图；图2为本技术实施例提供的一种双相耦合电感器的下45°结构示意图；图3为本技术实施例提供的一种双相耦合电感器中的第一磁芯的结构示意图；图4为本技术实施例提供的一种双相耦合电感器中的第一磁芯的结构示意图；图5为本技术实施例提供的一种双相耦合电感器中的第二磁芯的结构示意图；图6为本技术实施例提供的一种双相耦合电感器中的第一绕组的结构示意图；图7为本技术实施例提供的一种双相耦合电感器中的第二绕组的结构示意图；图8为本技术实施例提供的一种双相耦合电感器的等效电路原理图；图9为本技术实施例提供的一种双相耦合电感器的耦合电感测试等效电路原理图；图10为本技术实施例提供的一种双相耦合电感器的第一绕组和第二绕组磁力线方向示意原理图；图11为本技术实施例提供的一种双相耦合电感器的前视示意图；图12为本技术实施例提供的一种双相耦合电感器的俯视示意图；图13为本技术实施例提供的一种双相耦合电感器的侧视示意图；图14为本技术实施例提供的一种双相耦合电感器的后视示意图。具体实施方式本技术实施例提供了一种双相耦合电感器及电源，可以降低双相耦合电感器的高度，使双相耦合电感器轻薄化，进而有利于电源及终端设备的轻薄化设计。为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种双相耦合电感器，应用于电源，其特征在于，包括第一磁芯、第二磁芯、第一绕阻和第二绕阻，其中：所述第一磁芯和所述第二磁芯正对相连，形成耦合电感器的磁通回路；所述第一磁芯中与所述第二磁芯连接的侧面设有5个磁柱，各个所述磁柱依次分别为第一边柱、第一副中柱、主中柱、第二副中柱和第二边柱，每相邻两个磁柱之间形成一个线槽，各个所述线槽依次分别为第一线槽、第二线槽、第三线槽和第四线槽；所述第一绕阻设有第一导体片、第二导体片和第一非电极引脚，所述第一导体片和所述第二导体片的端部分别设有第一电极引脚和第二电极引脚；所述第二绕阻设有第三导体片、第四导体片和第二非电极引脚，所述第三导体片和所述第四导体片的端部分别设有第三电极引脚和第四电极引脚；所述第一导体片、所述第二导体片、所述第三导体片和所述第四导体片分别设置于第一线槽、第三线槽、第二线槽和第四线槽内。

【技术特征摘要】
1.一种双相耦合电感器，应用于电源，其特征在于，包括第一磁芯、第二磁芯、第一绕阻和第二绕阻，其中：所述第一磁芯和所述第二磁芯正对相连，形成耦合电感器的磁通回路；所述第一磁芯中与所述第二磁芯连接的侧面设有5个磁柱，各个所述磁柱依次分别为第一边柱、第一副中柱、主中柱、第二副中柱和第二边柱，每相邻两个磁柱之间形成一个线槽，各个所述线槽依次分别为第一线槽、第二线槽、第三线槽和第四线槽；所述第一绕阻设有第一导体片、第二导体片和第一非电极引脚，所述第一导体片和所述第二导体片的端部分别设有第一电极引脚和第二电极引脚；所述第二绕阻设有第三导体片、第四导体片和第二非电极引脚，所述第三导体片和所述第四导体片的端部分别设有第三电极引脚和第四电极引脚；所述第一导体片、所述第二导体片、所述第三导体片和所述第四导体片分别设置于第一线槽、第三线槽、第二线槽和第四线槽内。2.根据权利要求1所述的双相耦合电感器，其特征在于，所述第一磁芯上表面的一侧边缘设有第一台阶；所述第二磁芯的底部的两侧边缘分别设有第二台阶和第三台阶。3.根据权利要求2所述的双相耦合电感器，其特征在于，所述第一绕阻为U型，所述第一电极引脚和...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈榕寅，
申请(专利权)人：东莞铭普光磁股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44