一种NAND闪存芯片的测试样本制造技术

本发明专利技术实施例公开了一种NAND闪存芯片的测试样本，其中，所述测试样本包括多个相同的样本区域，每个样本区域包括多个相邻的数据块，所述多个相邻的数据块用于进行不同擦写次数的测试；所述多个相同的样本区域中，任意两个相邻的样本区域之间间隔预设数量的相邻数据块。本发明专利技术实施例通过将多个相邻的数据块构成样本区域，用于进行不同擦写次数的测试，并在测试样本中以一定的间隔均匀分布多个相同的样本区域，从而在单芯片上实现多种擦写次数的测试，不仅降低了测试成本，同时又能覆盖不同擦写次数的测试，实现NAND闪存芯片的基本性能评估。

A test sample of NAND flash memory chip

An embodiment of the present invention discloses a test sample of a NAND flash chip, in which the test sample includes a plurality of the same sample areas, each sample area includes a plurality of adjacent data blocks, and the plurality of adjacent data blocks are used for testing different erasure times; in the plurality of same sample regions, any of the same sample regions are arbitrary. The adjacent data blocks between two adjacent sample areas are spaced with predetermined numbers. The embodiment of the invention is used to form a sample area of a plurality of adjacent data blocks for different erasure times and to evenly distribute the same sample regions at a certain interval in a test sample, so as to test a variety of erasure times on a single chip, and not only reduce the test cost, but also can cover the test cost at the same time. The test of different erasure times achieves the basic performance evaluation of NAND flash chips.

【技术实现步骤摘要】
一种NAND闪存芯片的测试样本
本专利技术实施例涉及存储器技术，尤其涉及一种NAND闪存芯片的测试样本。
技术介绍
NANDFlash是Flash内存的一种，属于非易失性存储设备。针对NAND闪存的性能进行测试评估时，通常要对其进行频繁的读、写、擦操作，并且还需要进行很多组合性的测试，如分别进行500、1000、2000次擦写后再进行读操作等，因此需要构造不同的NAND测试样本。但是，由于擦写对NAND影响不可逆，且影响NAND的使用寿命，继而造成测试成本上的增加和浪费。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种NAND闪存芯片的测试样本，以解决NAND闪存芯片测试成本高的问题。第一方面，本专利技术实施例提供了一种NAND闪存芯片的测试样本，其中，所述测试样本包括多个相同的样本区域，每个样本区域包括多个相邻的数据块，所述多个相邻的数据块用于进行不同擦写次数的测试；所述多个相同的样本区域中，任意两个相邻的样本区域之间间隔预设数量的相邻数据块。优选的，所述多个相同的样本区域的全部数据块，与所述任意两个相邻的样本区域之间间隔的全部数据块之和，与所述测试样本的全部数据块数量相同。本专利技术实施例通过将多个相邻的数据块构成样本区域，用于进行不同擦写次数的测试，并在测试样本中以一定的间隔均匀分布多个相同的样本区域，从而在单芯片上实现多种擦写次数的测试，不仅降低了测试成本，同时又能覆盖不同擦写次数的测试，实现NAND闪存芯片的基本性能评估。附图说明图1是本专利技术实施例的NAND闪存芯片的测试样本的示意图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部结构。图1为本专利技术实施例的NAND闪存芯片的测试样本的示意图，在本实施例中，以测试样本中共包括1056个数据块(Block)为例进行说明，当然，本专利技术也适用于具有其他数量数据块的测试样本。Block是NAND的最小擦写单位，在进行NAND性能测试时，是通过在Block上的擦、写、读操作进行的，例如分别进行500、1000、2000次擦写后再进行读操作等。在本实施例中，将测试样本分为多个相同的样本区域，如图1中的样本区域1和样本区域2，每个样本区域包括多个相邻的数据块，如图1中的Block0～Block6和BlockN-6～BlockN，样本区域中的多个相邻的数据块用于进行不同擦写次数的测试，如Block0和BlockN-6分别进行100次擦写测试，Block1和BlockN-5分别进行500次擦写测试，Block2和BlockN-4分别进行1000次擦写测试，Block3和BlockN-3分别进行1500次擦写测试，Block4和BlockN-2分别进行2000次擦写测试，Block5和BlockN-1分别进行2500次擦写测试，Block6和BlockN分别进行3000次擦写测试，从而覆盖多种类型的擦写测试。其中，样本区域中相邻Block的数量与测试需求有关，需要进行多少种擦写次数的测试，就设置相应数量的相邻Block，并在这些相邻Block上依次进行不同擦写次数的测试。需要说明的是，在图1中，可以有与样本区域1和样本区域2相同的两个以上的样本区域，如样本区域3、样本区域4等。由于Block较多而在附图中省略，未画出。而且，样本区域越多，针对每一种擦写次数的测试进行的次数就越多，从而可以获得更加准确的性能测试结果。此外，在这些多个相同的样本区域中，任意两个相邻的样本区域之间间隔预设数量的相邻数据块。例如，样本区域1与样本区域2之间可以间隔相邻的A个数据块，样本区域2与样本区域3之间也间隔相邻的A个数据块，以此类推，最后两个样本区域之间也间隔相邻的A个数据块。这样做的目的是，由于NAND闪存芯片自身可能存在一些坏块，或者由于使用过程中造成某种损坏，从而影响测试结果，因此，将多个样本区域在测试样本中均匀分布，则可以避免因某一处坏块而得到比较极端的测试结果，从而影响测试结果的准确性。优选的，多个相同的样本区域的全部数据块，与任意两个相邻的样本区域之间间隔的全部数据块之和，与测试样本的全部数据块数量相同。也就是说，可以充分利用测试样本的全部数据块，均匀分布得到更多的样本区域，从而降低测试成本，同时也能够提高测试的准确性。表1是针对共包含1056个Block的测试样本所进行的样本区域划分，如表1所示，共可以划分出16个样本区域，每个相邻的样本区域之间间隔64个Block。表1如上所述，本专利技术实施例通过将多个相邻的数据块构成样本区域，用于进行不同擦写次数的测试，并在测试样本中以一定的间隔均匀分布多个相同的样本区域，从而在单芯片上实现多种擦写次数的测试，不仅降低了测试成本，同时又能覆盖不同擦写次数的测试，实现NAND闪存芯片的基本性能评估。注意，上述仅为本专利技术的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本专利技术不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本专利技术的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本专利技术进行了较为详细的说明，但是本专利技术不仅仅限于以上实施例，在不脱离本专利技术构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本专利技术的范围由所附的权利要求范围决定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种NAND闪存芯片的测试样本，其特征在于，所述测试样本包括多个相同的样本区域，每个样本区域包括多个相邻的数据块，所述多个相邻的数据块用于进行不同擦写次数的测试；所述多个相同的样本区域中，任意两个相邻的样本区域之间间隔预设数量的相邻数据块。

【技术特征摘要】
1.一种NAND闪存芯片的测试样本，其特征在于，所述测试样本包括多个相同的样本区域，每个样本区域包括多个相邻的数据块，所述多个相邻的数据块用于进行不同擦写次数的测试；所述多个相同的样本区域中，任意两个相邻的样...

【专利技术属性】
技术研发人员：台生斌，
申请(专利权)人：北京京存技术有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11