The embodiment of the invention discloses a ECC based NAND data Read Retry error correction method and a NAND controller. The method includes: a reads the target data frame and its adjacent error correcting data frames, records the first error bit value of the error correcting data frame, and the target data frame is ECC can not correct the data frame, and the error correction data frame is ECC can be obtained. Error correcting data frame; B sets the voltage change threshold of Read Retry; C rereads target data frame and error correcting data frame based on current voltage change threshold, records second error bit values of error correcting data frames that can correct error; D compares first error bit value and second error bit value, when the first error bit value is greater than second error. In the bit error, the voltage change threshold is added and the voltage change threshold is reduced; e returns the voltage change threshold after the change as the current voltage change threshold, returns the execution of the C, and repeats the C E, until the error correction bit value of the target data frame reaches the ECC error correction capability value. The embodiment of the invention can reduce the reading times of the Read Retry method.
【技术实现步骤摘要】
基于ECC的NAND数据ReadRetry纠错方法和NAND控制器
本专利技术实施例涉及存储器技术,尤其涉及一种基于ECC的NAND数据ReadRetry纠错方法和NAND控制器。
技术介绍
NANDFlash是Flash内存的一种,属于非易失性存储设备。ECC的全称是ErrorCheckingandCorrection,是一种用于NAND的差错检测和修正算法。在NAND存储单元中,先天就有一些是坏掉的或者不稳定的,并且随着NAND的不断使用,坏的存储单元越来越多。所以,用户写入到NAND的数据,必须有ECC保护,这样即使其中的一些比特发生反转,读取的时候也能通过ECC纠正过来。但是,当数据错误比特数量超过ECC纠错能力,ECC无法完成数据纠错时,需要采用ReadRetry方法进行纠错。ReadRetry方法是通过改变Vt值的大小配合ECC进行纠错,通过调整ReadRetry的Vt±Δ值来重新读取数据。而由于不能确定修改Vt值以后读回的数据变化趋势,ReadRetry方法通常是将Δ值逐渐增加和减小,直到读到正确值为止。而每变化一次Δ值时,都要进行两次读取,即增加和减小Δ值后读取,从而因读取次数太多而影响NAND控制器的性能。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种基于ECC的NAND数据ReadRetry纠错方法和NAND控制器,以解决现有纠错方法中因读取次数太多而影响NAND控制器的性能的问题。第一方面,本专利技术实施例提供了一种基于ECC的NAND数据ReadRetry纠错方法,包括:a读取目标数据帧和与目标数据帧相邻的可纠错数据帧,记录所述可纠错数据帧的 ...
【技术保护点】
1.一种基于ECC的NAND数据Read Retry纠错方法,其特征在于,所述方法包括:a读取目标数据帧和与目标数据帧相邻的可纠错数据帧,记录所述可纠错数据帧的ECC纠错的第一错误比特值,其中,所述目标数据帧为ECC不能纠错数据帧,所述可纠错数据帧为ECC可纠错数据帧;b设置Read Retry的电压变化阈值;c基于当前电压变化阈值,重新读取所述目标数据帧和所述可纠错数据帧,记录所述可纠错数据帧的ECC纠错的第二错误比特值;d比较第一错误比特值和第二错误比特值,当第一错误比特值大于第二错误比特值时,增加所述电压变化阈值,当第一错误比特值小于第二错误比特值时,减小所述电压变化阈值;e将所述变化后的电压变化阈值作为当前电压变化阈值,并返回执行步骤c;重复执行上述步骤c‑e,直到所述目标数据帧的可纠错比特值达到ECC纠错能力值。
【技术特征摘要】
1.一种基于ECC的NAND数据ReadRetry纠错方法,其特征在于,所述方法包括:a读取目标数据帧和与目标数据帧相邻的可纠错数据帧,记录所述可纠错数据帧的ECC纠错的第一错误比特值,其中,所述目标数据帧为ECC不能纠错数据帧,所述可纠错数据帧为ECC可纠错数据帧;b设置ReadRetry的电压变化阈值;c基于当前电压变化阈值,重新读取所述目标数据帧和所述可纠错数据帧,记录所述可纠错数据帧的ECC纠错的第二错误比特值;d比较第一错误比特值和第二错误比特值,当第一错误比特值大于第二错误比特值时,增加所述电压变化阈值,当第一错误比特值小于第二错误比特值时,减小所述电压变化阈值;e将所述变化后的电压变化阈值作为当前电压变化阈值,并返回执行步骤c;重复执行上述步骤c-e,直到所述目标数据帧的可纠错比特值达到ECC纠错能力值。2.一种NAND控制器,...
【专利技术属性】
技术研发人员:台生斌,
申请(专利权)人:北京京存技术有限公司,
类型:发明
国别省市:北京,11
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