一种氧化锆传感器的制备方法技术
A preparation method of zirconium oxide sensor
The invention belongs to the field of industrial application technology, in particular to a manufacturing process of zirconia sensor. By selecting the semiconductor functional material In2O3 as a stabilizer, the zirconia sensor has no decomposition at high temperature for a long time, and the zirconia sensor has the advantages of small internal resistance, small drift, stable performance and high sensitivity, and the selection of chloro platinum acid as the electrode coating process makes the zirconia sensor conductive. Good performance, oxidation resistance and corrosion resistance at high temperature.
【技术实现步骤摘要】
一种氧化锆传感器的制备方法
本专利技术属于传感器的应用
，具体涉及一种氧化锆传感器的制造工艺。
技术介绍
用氧化锆传感器测量氧含量是近几十年来发展起来的新技术。由于节能和环保工作的需要，此技术及其产品得到迅速的发展。常用的氧离子导体，一般有基体和稳定剂两种成分组成。基体在量上是主要成分，稳定剂是掺入基体的一种与基体氧化物价态不同的另一种氧化物，它具有稳定立方晶型和形成氧离子空穴的双重作用。氧化锆氧量分析仪是由氧化锆传感器和变送器组成，利用氧化锆传感器制成的氧量分析仪具有灵敏度高、再现性好、结构简单、氧量测量范围广等优点；但氧化锆传感器的使用寿命较短、稳定性较差。在高温条件下抗氧化、抗腐蚀性能仍需进一步提高。
技术实现思路
本专利技术的目的解决上述技术问题，通过特殊的制备工艺，提高氧化锆传感器的质量、使用寿命和稳定性。使得采用此氧化锆传感器的氧含量测量反应迅速、准确。本专利技术的主要技术方案：将原料氧化锆和稳定剂进行混合，加压成团，在1000-1500℃高温下煅烧、碾磨、注浆成形；对电极进行涂覆，在800-1000℃高温下煅烧、引线钎焊最终制得成品。所述稳定剂为半导体功能材料In2O3。所述选择氯铂酸作为对电极涂覆工艺的材料。所述氧化锆与稳定剂的质量比为：10-13:1。所述加压成团后高温煅烧的温度为：1300℃，电极涂覆后，高温煅烧温度为：800℃。本专利技术氧化锆传感器的制造工艺，采用In2O3作为稳定剂，使得氧化锆传感器在高温下长期加热不发生分解，且氧化锆传感器具有内阻小、飘移小、性能稳定、灵敏度高等优点。提高氧化锆传感器的质量、使用寿命和稳定性，使...
【技术保护点】
1.一种氧化锆传感器的制备方法，其特征在于制备过程如下：将原料氧化锆和稳定剂进行混合，加压成团，在1000‑1500℃下煅烧、碾磨、注浆成形；对电极进行涂覆，在800‑1000℃下煅烧、引线钎焊最终制得成品。
【技术特征摘要】
1.一种氧化锆传感器的制备方法，其特征在于制备过程如下：将原料氧化锆和稳定剂进行混合，加压成团，在1000-1500℃下煅烧、碾磨、注浆成形；对电极进行涂覆，在800-1000℃下煅烧、引线钎焊最终制得成品。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述稳定剂为半导体功能材料I...
【专利技术属性】
技术研发人员：沈光明，
申请(专利权)人：中国石油化工股份有限公司，南化集团研究院，
类型：发明
国别省市：江苏,32
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