无线充电用导磁片结构制造技术

本发明专利技术公开了一种无线充电用导磁片结构，包括依次层叠的第一磁性层和第二磁性层，所述第一磁性层的磁导率和热导率分别对应小于第二磁性层的磁导率和热导率。对第一磁性层和第二磁性层的磁导率进行梯度化设计，可以将第二磁性层的导磁率设计较高，以提高导磁片结构的屏蔽性能，可以将第一磁性层的导磁率设计较低，以减小涡流的产生；第一磁性层和第二磁性层的热导率逐渐增加，可以提高导磁片结构的温度均匀性和散热性能。

【技术实现步骤摘要】
无线充电用导磁片结构
本专利技术涉及电子产品
尤其涉及一种无线充电用导磁片结构。
技术介绍
对于消费类电子产品而言，无线充电具有操作方便、通用性强等优势。无线充电的主要原理有两类，一是磁感应式，二是磁共振式。其中，磁感应式是目前无线充电的主要方式。磁感应式无线充电的原理类似变压器，即含有两个线圈，发射端线圈将电能以110kHz～400kHz频率的电磁场发射出，接收端线圈通过电磁感应的方式，接收发射端的电磁场，然后将交流电变换成直流电为二次电池充电。接收端线圈附近通常有电池等金属部件，通过电磁感应进行无线充电时，会在金属部件上形成涡流。为了屏蔽这些干扰，通常需要在接收端线圈的背面贴上一片导磁片。授权公告号为CN104011814B的中国专利技术专利公开了一种磁场屏蔽片，该磁场屏蔽片通过非晶带材碎片化成数十微米到三毫米的细片，以降低涡流损耗，从而实现较高的无线充电效率。授权公告号为CN104900383B的中国专利技术专利公开了一种无线充电导磁片的制备方法，通过浸胶工艺实现非晶、纳米晶碎片单元间的绝缘，从而降低涡流损耗。授权公告号为CN103547135B的中国专利技术专利公开了一种具有弯曲性的陶瓷叠层片及其制造方法，即将镍锌、锰锌铁氧体进行碎片化处理，增加产品柔性。为了解决散热问题，通常需要在导磁片背面贴上一层石墨片或铜箔等散热材料，然而，这势必会增加产品的厚度。对于非晶、纳米晶带材进行碎片化处理，虽然可以降低涡流，但由于缝隙之间不可避免存在气隙，使得其屏蔽性能有所降低。这表现为加电池后，充电效率会降低1％～3％。对于镍锌、锰锌铁氧体，由于其饱和磁感低(＜0.6T)，加电池后，其充电效率降低更为明显，通常会降低2％～5％。另外，对于锰锌铁氧体，由于其烧结温度高等因素，制成导磁片时会经常出现鼓包和麻点等缺陷，这样的缺陷容易漏磁，在电池上形成热点，使用时存在安全隐患。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是：提供一种无线充电用导磁片结构，具有较好的屏蔽性能和散热性能。为了解决上述技术问题，本专利技术采用的技术方案为：一种无线充电用导磁片结构，包括依次层叠的第一磁性层和第二磁性层，所述第一磁性层的磁导率和热导率分别对应小于第二磁性层的磁导率和热导率。本专利技术的有益效果在于：对第一磁性层和第二磁性层的磁导率进行梯度化设计，可以将第二磁性层的导磁率设计较高，以提高导磁片结构的屏蔽性能，可以将第一磁性层的导磁率设计较低，以减小涡流的产生；第一磁性层和第二磁性层的热导率逐渐增加，可以提高导磁片结构的温度均匀性和散热性能。附图说明图1为本专利技术实施例一的无线充电用导磁片结构的剖面结构示意图；图2为本专利技术实施例二的无线充电用导磁片结构的部分结构示意图；图3为本专利技术实施例四的无线充电用导磁片结构的部分结构示意图；图4为本专利技术实施例十二的无线充电用导磁片结构的部分结构示意图；图5为本专利技术实施例十四的无线充电用导磁片结构的部分结构示意图。标号说明：1(11、12、13、14)、第一磁性层；2、第二磁性层；3(31、32、33)、第一粘接层；4、第二粘接层；5、保护膜层；6、离型层；7、缝隙。具体实施方式为详细说明本专利技术的
技术实现思路
、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图予以说明。本专利技术最关键的构思在于：对第一磁性层和第二磁性层的磁导率和热导率进行梯度化设计。请参照图1至图3，一种无线充电用导磁片结构，包括依次层叠的第一磁性层和第二磁性层，所述第一磁性层的磁导率和热导率分别对应小于第二磁性层的磁导率和热导率。从上述描述可知，本专利技术的有益效果在于：对第一磁性层和第二磁性层的磁导率进行梯度化设计，可以将第二磁性层的导磁率设计较高，以提高导磁片结构的屏蔽性能，可以将第一磁性层的导磁率设计较低，以减小涡流的产生；第一磁性层和第二磁性层的热导率逐渐增加，可以提高导磁片结构的温度均匀性和散热性能。进一步的，所述第一磁性层的材质为纳米晶合金、锰锌铁氧体和镍锌铁氧体中的至少一种，所述第二磁性层的材质为纳米晶合金。由上述描述可知，第一磁性层的材质可以根据需要选择一种或多种，纳米晶合金可以为铁基纳米晶合金。进一步的，所述第一磁性层的磁导率范围为300～1200，所述第一磁性层的热导率≤3W/m·K。进一步的，所述第二磁性层的磁导率范围为1800～20000，所述第二磁性层的热导率≥3.5W/m·K。由上述描述可知，第二磁性层的磁导率比第一磁性层大很多，可以大大提高屏蔽性能。进一步的，所述第一磁性层的厚度占导磁片结构的厚度的比例为至少60％。进一步的，所述第二磁性层的厚度占导磁片结构的厚度的比例为最多30％。进一步的，所述第一磁性层的数目为至少一层，相邻两层的所述第一磁性层之间设有第一粘接层。由上述描述可知，可以根据需要设置多个第一磁性层。进一步的，所述第二磁性层由至少一个的磁性碎片组成，所述磁性碎片的尺寸≥12mm。由上述描述可知，可以通过调整磁性碎片的大小和间距来得到不同磁导率的第二磁性层。进一步的，所述第一磁性层与第二磁性层的厚度之和小于或等于0.2mm。由上述描述可知，导磁片结构的整体厚度较小。进一步的，还包括保护膜层和离型层，所述保护膜层位于所述第二磁性层远离第一磁性层的一侧面，所述离型层位于所述第一磁性层远离第二磁性层的一侧面，所述第一磁性层与离型层之间设有第二粘接层。由上述描述可知，设置保护膜层可以对导磁片结构进行保护，在第一磁性层与离型层之间设置第二粘接层，便于将离型层撕去后将导磁片结构粘接在需要的位置。实施例一请参照图1，本专利技术的实施例一为：一种导磁片结构，具有较好的屏蔽性能和散热性能。如图1所示，所述导磁片结构包括依次层叠的第一磁性层1和第二磁性层2，所述导磁片结构还包括保护膜层5和离型层6，所述保护膜层5位于所述第二磁性层2远离第一磁性层1的一侧面，所述离型层6位于所述第一磁性层1远离第二磁性层2的一侧面，所述第一磁性层1与离型层6之间设有第二粘接层4。所述第一磁性层1的材质为纳米晶合金、锰锌铁氧体和镍锌铁氧体中的至少一种，所述第二磁性层2的材质为纳米晶合金。本实施例中，所述第一磁性层1的磁导率和热导率分别对应小于第二磁性层2的磁导率和热导率。优选的，所述第一磁性层1的磁导率范围为300～1200，所述第一磁性层1的热导率≤3W/m·K；所述第二磁性层2的磁导率范围为1800～20000，所述第二磁性层2的热导率≥3.5W/m·K。本实施例中，所述第一磁性层1的厚度占导磁片结构的厚度的比例为至少60％，所述第二磁性层2的厚度占导磁片结构的厚度的比例为最多30％，优选所述第一磁性层1和第二磁性层2的厚度之和小于或等于0.2mm。所述第一磁性层1的数目为至少一层，可以根据需要设置多层，相邻两层的所述第一磁性层1之间设有第一粘接层3，所述第一磁性层1和第二磁性层2之间也设有第一粘接层3。所述第二磁性层2由至少一个的磁性碎片组成，所述磁性碎片的尺寸≥12mm，当磁性碎片的数目为多个时，相邻两个的所述磁性碎片之间的距离为0.5～8μm。第一磁性层1也是由磁性碎片组成，第一磁性层1的磁性碎片的尺寸较小。如表1所示，可以通过调整磁性碎片的尺寸和缝隙的大小来调整第一磁性层1和第二磁性层2的导磁率，表1中磁性碎片的材质为纳米晶带材，所述纳米晶带材本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种无线充电用导磁片结构，其特征在于，包括依次层叠的第一磁性层和第二磁性层，所述第一磁性层的磁导率和热导率分别对应小于第二磁性层的磁导率和热导率。

【技术特征摘要】
1.一种无线充电用导磁片结构，其特征在于，包括依次层叠的第一磁性层和第二磁性层，所述第一磁性层的磁导率和热导率分别对应小于第二磁性层的磁导率和热导率。2.根据权利要求1所述的无线充电用导磁片结构，其特征在于，所述第一磁性层的材质为纳米晶合金、锰锌铁氧体和镍锌铁氧体中的至少一种，所述第二磁性层的材质为纳米晶合金。3.根据权利要求1所述的无线充电用导磁片结构，其特征在于，所述第一磁性层的磁导率范围为300～1200，所述第一磁性层的热导率≤3W/m·K。4.根据权利要求1所述的无线充电用导磁片结构，其特征在于，所述第二磁性层的磁导率范围为1800～20000，所述第二磁性层的热导率≥3.5W/m·K。5.根据权利要求1所述的无线充电用导磁片结构，其特征在于，所述第一磁性层的厚度占导磁片结构的厚度的比例为至少60％。6...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘开煌，李家洪，徐勇攀，庞治华，
申请(专利权)人：深圳市信维通信股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44