一种NAND闪存验证装置和验证系统制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种NAND闪存验证装置和验证系统，装置分别与主机和NAND闪存连接，装置包括PMU芯片、集成ARM内核模块和FPGA逻辑模块的ZYNQ系列芯片中的任一款芯片，ARM内核模块与主机连接，ARM内核模块将主机发送的配置参数分解为第一配置参数和第二配置参数，将主机发送的用户指令解析为测试指令，根据用户指令产生测试数据；FPGA逻辑模块通过AXI传输通道与ARM内核模块连接，还与NAND闪存连接，根据第二配置参数对NAND闪存进行参数配置，以及根据测试指令和测试数据对NAND闪存进行测试。本发明专利技术可以有效降低NAND闪存验证装置的设计难度和传输数据量，提高测试效率和数据的传输速率。

【技术实现步骤摘要】
一种NAND闪存验证装置和验证系统
本专利技术涉及芯片
，特别是涉及一种NAND闪存验证装置和一种NAND闪存验证系统。
技术介绍
在闪存的设计验证阶段，一般需要使用专业的ATE(AutomaticTestEquipment，自动化测试设备)自动化测试设备对芯片的功能和电性能进行测试，以检验NAND闪存的设计是否符合规格要求。现有ATE自动化测试设备的结构如图1所示。由于现有ATE自动化测试设备采用独立的DSP(DigitalSignalProcessing，数字信号处理)芯片和FPGA(Field-ProgrammableGateArray，现场可编程门阵列)芯片，而DSP芯片和FPGA芯片都是复杂的大型芯片，DSP芯片和FPGA芯片两套大型芯片极大增加了现有ATE自动化测试设备的设计难度。另外，现有ATE自动化测试设备中每一次数据交换都要经过主机-DSP芯片-FPGA芯片-NAND闪存的过程，其中，主机和DSP芯片之间的网线通道，DSP芯片和FPGA芯片之间的并行通道，都是数据交换的瓶颈区，使得现有ATE自动化测试设备传输数据量巨大，测试效率低。
技术实现思路
鉴于上述问题，本专利技术实施例的目的在于提供一种NAND闪存验证装置和一种NAND闪存验证系统，以解决现有ATE自动化测试设备设计难度大、传输数据量大和测试效率低的问题。为了解决上述问题，本专利技术实施例公开了一种NAND闪存验证装置，其特征在于，所述装置分别与主机和NAND闪存连接，所述装置包括PMU芯片和ZYNQ系列芯片中的任一款芯片，所述ZYNQ系列芯片中集成ARM内核模块和FPGA逻辑模块，其中，所述ARM内核模块与所述主机连接，所述ARM内核模块用于接收所述主机发送的配置参数、用户指令和用户数据，所述ARM内核模块将所述配置参数分解为第一配置参数和第二配置参数，将所述用户指令解析为测试指令，以及根据所述用户指令产生测试数据，所述ARM内核模块将所述第一配置参数发送至所述PMU芯片，以及将所述第二配置参数、所述测试指令和所述测试数据发送至所述FPGA逻辑模块；所述FPGA逻辑模块通过AXI(AdvancedextensibleInterface，一种总线协议)传输通道与所述ARM内核模块连接，所述FPGA逻辑模块还与所述NAND闪存连接，所述FPGA逻辑模块根据所述第二配置参数对所述NAND闪存进行参数配置，以及根据所述测试指令和所述测试数据对所述NAND闪存进行测试。可选地，所述ARM内核模块包括ARM核0和ARM核1，其中，所述ARM核0用于运行LINUX系统、配置所述ZYNQ系列芯片以及与所述主机进行通信；所述ARM核1用于将所述配置参数分解为第一配置参数和第二配置参数，将所述用户指令解析为测试指令，以及根据所述用户指令产生测试数据，并将所述第一配置参数发送至所述PMU芯片，以及将所述第二配置参数、所述测试指令和所述测试数据发送至所述FPGA逻辑模块。可选地，所述NAND闪存验证装置还包括：DDR(DoubleDataRate，双倍数据速率)缓存，所述DDR缓存与所述ARM内核模块连接，所述DDR缓存用于缓存所述LINUX系统数据和所述测试数据，在所述FPGA逻辑模块根据所述测试指令和所述测试数据对所述NAND闪存进行测试后，所述DDR缓存还用于缓存所述ARM内核模块从所述NAND闪存读取的第一数据。可选地，所述ARM内核模块包括：比对模块，所述比对模块与所述DDR缓存连接，所述比对模块用于对所述DDR缓存中的所述测试数据和所述第一数据进行比对，并当所述测试数据和所述第一数据一致时，判断对所述NAND闪存的验证通过。可选地，所述DDR缓存的存储容量大于所述NAND闪存的存储容量。可选地，所述PMU芯片分别与所述ARM内核模块和所述NAND闪存连接，所述PMU芯片根据所述第一配置参数对所述NAND闪存进行供电以及对所述NAND闪存的电性能进行测试。可选地，所述ARM内核模块通过光纤或者网线与所述主机连接。为了解决上述问题，本专利技术实施例还公开了一种NAND闪存验证系统，包括主机、NAND闪存和所述的NAND闪存验证装置，所述NAND闪存验证装置分别与所述主机和所述NAND闪存连接。本专利技术实施例包括以下优点：设置NAND闪存验证装置分别与主机和NAND闪存连接，NAND闪存验证装置包括PMU芯片和ZYNQ系列芯片中的任一款芯片，ZYNQ系列芯片中集成ARM内核模块和FPGA逻辑模块。其中，ARM内核模块与主机连接，ARM内核模块接收主机发送的配置参数、用户指令和用户数据，ARM内核模块将配置参数分解为第一配置参数和第二配置参数，将用户指令解析为测试指令，以及根据用户指令产生测试数据，ARM内核模块将第一配置参数发送至PMU芯片，以及将第二配置参数、测试指令和测试数据发送至FPGA逻辑模块；FPGA逻辑模块通过AXI传输通道与ARM内核模块连接，FPGA逻辑模块还与NAND闪存连接，FPGA逻辑模块根据第二配置参数对NAND闪存进行参数配置，以及根据测试指令和测试数据对NAND闪存进行测试。由于ARM内核模块和FPGA逻辑模块集成在ZYNQ系列芯片中，因此，本专利技术实施例只需根据验证需求设计ZYNQ系列芯片即可，有效降低了NAND闪存验证装置的设计难度；另外，由于本专利技术实施例中大部分数据处理由ZYNQ系列芯片承担，且数据交换只在ZYNQ系列芯片内部通过高速率AXI传输通道进行以及在ZYNQ系列芯片和NAND闪存之间进行，传输数据量小，且不存在现有技术中的数据交换瓶颈区，NAND闪存验证装置的测试效率和数据的传输速率均得到了极大提高。附图说明图1是现有ATE自动化测试设备的结构示意图；图2是本专利技术的一种NAND闪存验证装置实施例的结构框图；图3是本专利技术的另一种NAND闪存验证装置实施例的结构框图。具体实施方式为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明。参照图2，其示出了本专利技术的一种NAND闪存验证装置实施例的结构框图，该装置分别与主机和NAND闪存连接，该装置具体可以包括：PMU芯片和ZYNQ系列芯片中的任一款芯片，ZYNQ系列芯片中集成ARM内核模块和FPGA逻辑模块，其中，ARM内核模块与主机连接，ARM内核模块包括至少一个ARM内核，ARM内核模块用于接收主机发送的配置参数、用户指令，ARM内核模块将配置参数分解为第一配置参数和第二配置参数，将用户指令为测试指令，以及根据用户指令产生测试数据，ARM内核模块将第一配置参数发送至PMU芯片，以及将第二配置参数、测试指令和测试数据发送至FPGA逻辑模块；FPGA逻辑模块通过AXI传输通道与ARM内核模块连接，FPGA逻辑模块还与NAND闪存连接，FPGA逻辑模块根据第二配置参数对NAND闪存进行参数配置，以及根据测试指令和测试数据对NAND闪存进行测试。由于ARM内核模块和FPGA逻辑模块集成在ZYNQ系列芯片中，因此，本专利技术实施例只需根据验证需求设计ZYNQ系列芯片即可，有效降低了NAND闪存验证装置的设计难度；另外，由于本专利技术实施例中大部分数据处理由ZYNQ系列芯片承担，且数据交换只在ZYNQ系列芯片内部通过高速率AXI本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种NAND闪存验证装置，其特征在于，所述装置分别与主机和NAND闪存连接，所述装置包括PMU芯片和ZYNQ系列芯片中的任一款芯片，所述ZYNQ系列芯片中集成ARM内核模块和FPGA逻辑模块，其中，所述ARM内核模块与所述主机连接，所述ARM内核模块用于接收所述主机发送的配置参数和用户指令，所述ARM内核模块将所述配置参数分解为第一配置参数和第二配置参数，将所述用户指令解析为测试指令，以及根据所述用户指令产生测试数据，所述ARM内核模块将所述第一配置参数发送至所述PMU芯片，以及将所述第二配置参数、所述测试指令和所述测试数据发送至所述FPGA逻辑模块；所述FPGA逻辑模块通过AXI传输通道与所述ARM内核模块连接，所述FPGA逻辑模块还与所述NAND闪存连接，所述FPGA逻辑模块根据所述第二配置参数对所述NAND闪存进行参数配置，以及根据所述测试指令和所述测试数据对所述NAND闪存进行测试。

【技术特征摘要】
1.一种NAND闪存验证装置，其特征在于，所述装置分别与主机和NAND闪存连接，所述装置包括PMU芯片和ZYNQ系列芯片中的任一款芯片，所述ZYNQ系列芯片中集成ARM内核模块和FPGA逻辑模块，其中，所述ARM内核模块与所述主机连接，所述ARM内核模块用于接收所述主机发送的配置参数和用户指令，所述ARM内核模块将所述配置参数分解为第一配置参数和第二配置参数，将所述用户指令解析为测试指令，以及根据所述用户指令产生测试数据，所述ARM内核模块将所述第一配置参数发送至所述PMU芯片，以及将所述第二配置参数、所述测试指令和所述测试数据发送至所述FPGA逻辑模块；所述FPGA逻辑模块通过AXI传输通道与所述ARM内核模块连接，所述FPGA逻辑模块还与所述NAND闪存连接，所述FPGA逻辑模块根据所述第二配置参数对所述NAND闪存进行参数配置，以及根据所述测试指令和所述测试数据对所述NAND闪存进行测试。2.根据权利要求1所述的NAND闪存验证装置，其特征在于，所述ARM内核模块包括ARM核0和ARM核1，其中，所述ARM核0用于运行LINUX系统、配置所述ZYNQ系列芯片以及与所述主机进行通信；所述ARM核1用于将所述配置参数分解为第一配置参数和第二配置参数，将所述用户指令解析为测试指令，以及根据所述用户指令产生测试数据，并将所述第一配置参数发送至所述PMU芯片，以及将所述第二配置参数、所述测试指令和所述测试数据发送至所述FPG...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡德智，王永成，韩飞，
申请(专利权)人：北京兆易创新科技股份有限公司，合肥格易集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11