一种光学结构以及具有该光学结构的电子设备制造技术

技术编号:18348739 阅读:53 留言:0更新日期:2018-07-01 20:50
公开了一种光学结构,包括:导光板,导光板包括第一端面、反射面、第二端面以及扩散层,使得经由第一端面入射的光在经过反射面反射后从第二端面输出,扩散层用于使导光板内传输的光发生散射;以及传感器,位于导光板的第二端面处,用于接收光。导光板的扩散层位于第一端面的至少部分上。在光学结构的导光板中传播的光通过扩散层发生散射,使得进入第一端面的光的路径增加,光学结构传感器接收可视角的范围增大,从而提高传感器对光分析的准确性。

【技术实现步骤摘要】
一种光学结构以及具有该光学结构的电子设备
本专利技术涉及通信
,更具体地涉及一种光学结构以及具有该光学结构的电子设备。
技术介绍
如图1a、图1b和图1c所示,现有技术的电子设备中的光学结构包括传感器820以及导光板830,导光板830的入光面位于电子设备的边框的透光口处,从入光面射入光,通过导光板830的传播至出光面,最终到达传感器820。该光学结构可以实现电子设备的窄边框,使得显示部分的比例增大,从而增加产品的竞争力。但是,现有技术的光学结构,导光板830的入光面810的表面为光滑表面,经过入光面的光线路径单一,使得一些角度的光线不能通过导光板传播至传感器上,这种光学结构传感器接收光可视角(FieldofView,FOV)仅为±30°,如图1d所示,这样可能会使得传感器820接收光的视角与理想的视角相差很大,降低了传感器820对光分析的准确性,从而对产品的性能有不利的影响。
技术实现思路
本专利技术所解决的问题在于提供一种光学结构以及具有该光学结构的电子设备,在光学结构的导光板中传播的光通过扩散层发生散射,使得进入第一端面的光的路径增加,光学结构传感器接收可视角的范围增大,从而提高传感器对光分析的准确性。根据本专利技术提供的一种光学结构,其特征在于,包括:导光板,所述导光板包括第一端面、反射面、第二端面以及扩散层,使得经由所述第一端面入射的光在经过所述反射面反射后从所述第二端面输出,所述扩散层用于使所述导光板内传输的光发生散射;以及传感器,位于所述导光板的所述第二端面处,用于接收所述光。优选地,所述导光板的所述扩散层位于所述第一端面的至少部分上。优选地,所述导光板还包括入光分支、出光分支,所述第一端面包括分别位于所述入光分支和所述出光分支上的入光部分和出光部分,所述扩散层至少位于所述入光部分上。优选地,所述入光分支和出光分支并排位于相同平面内。优选地,所述入光分支和出光分支通过支撑柱来连接。优选地,所述导光板的所述扩散层位于所述反射面的至少部分上。优选地,所述第二端面与所述第一端面垂直,所述反射面与所述第一端面和所述第二端面均呈45度角。优选地,所述第二端面与所述第一端面平行,所述反射面包括第一反射面以及第二反射面,所述第一反射面和所述第二反射面平行,所述第一反射面、所述第二反射面分别与所述第二端面呈135度角、45度角,使得经由所述第一端面入射的光在依次经过所述第一反射面和所述第二反射面反射后从所述第二端面输出。优选地,所述导光板还包括入光分支、出光分支和公共体,所述公共体与所述入光分支和所述出光分支相连,所述第一端面包括分别位于所述入光分支和所述出光分支上的所述入光部分和所述出光部分,所述扩散层位于所述第一端面的所述入光部分和所述出光部分中的至少一个上,所述第一反射面包括分别位于所述入光分支和所述出光分支上的入光部分和出光部分,所述第二反射面和所述第二端面位于所述公共体上。优选地,所述导光板中添加扩散剂。优选地,所述扩散层为在所述导光板上加工形成的雾化层。优选地,所述扩散层为光学扩散层。优选地,所述传感器包括环境光传感器、接近光传感器和距离传感器中的至少一个。根据本专利技术提供的一种具有该光学结构的电子设备,其特征在于,包括:壳体,所述壳体上设有透光口;根据上述任一项所述的光学结构,所述光学结构位于所述壳体内部,并且所述光学结构的导光板的所述第一端面设置在所述透光口处。根据本专利技术的光学结构包括导光板以及传感器,通过导光板的扩散层,使得进入第一端面的光的路径增加,光学结构传感器接收光可视角(FieldofView,FOV)的范围增大,从而提高传感器对光分析的准确性。当光学结构的传感器为环境光传感器和接近光传感器的两者,或者光学结构的传感器为环境光传感器和距离传感器的两者时,传感器内包括发光元件。导光板的第一端面包括入光部分以及出光部分,扩散层位于入光部分,出光部分以及反射面为光滑表面。从外界射入导光板的光经过第一端面的入光部分的扩散层,传播至传环境光传感器,使得传环境光感器接收光可视角的范围增大。而从发光元件射出的光全部从第一端面的出光部分射出,在保证传感器接收光可视角的前提下,可以避免从发光元件发出的光经过扩散层而发生反射形成干扰光源,从而避免实际的物体反射讯号受干扰而产生误判。附图说明通过以下参照附图对本专利技术实施例的描述,本专利技术的上述以及其他目的、特征和优点将更为清楚。图1a和图1b分别示出现有技术的电子设备以及其光学结构的立体图;图1c示出现有技术的光学结构的立体图;图1d示出现有技术的光进入光学结构的入射角以及光强度的关系;图2a和图2b分别示出本专利技术的第一实施例的电子设备以及光学结构的立体图;图2c示出本专利技术的第一实施例的电子设备以及光学结构的截面图;图3a示出本专利技术的第一实施例的光学结构的立体图;图3b、图3c和图3d分别示出本专利技术的第一实施例的光学结构的截面图以及不同入射角度光的传播路径;图3e示出本专利技术的第一实施例的光进入光学结构的入射角以及光强度的关系;图4示出本专利技术的第二实施例的光学结构的立体图;图5示出本专利技术的第三实施例的光学结构的立体图;图6示出本专利技术的第四实施例的光学结构的立体图。具体实施方式以下将参照附图更详细地描述本专利技术。在各个附图中,相同的元件采用类似的附图标记来表示。为了清楚起见,附图中的各个部分没有按比例绘制。此外,在图中可能未示出某些公知的部分。在下文中描述了本专利技术的许多特定的细节,例如部件的结构、材料、尺寸、处理工艺和技术,以便更清楚地理解本专利技术。但正如本领域的技术人员能够理解的那样,可以不按照这些特定的细节来实现本专利技术。应当理解,在描述部件的结构时,当将一层、一个区域称为位于另一层、另一个区域“上面”或“上方”时,可以指直接位于另一层、另一个区域上面,或者在其与另一层、另一个区域之间还包含其它的层或区域。并且,如果将部件翻转,该一层、一个区域将位于另一层、另一个区域“下面”或“下方”。图2a和图2b根据本专利技术的第一实施例的电子设备以及光学结构的立体图,图2c根据本专利技术的第一实施例的电子设备以及光学结构的截面图,其中,为了表达的更清楚,图2b中未示出电子设备的一个侧壁。请参照图2,本专利技术的电子设备900包括壳体910以及光学结构100。壳体910设有透光口911,透光口911可以位于壳体910的上边缘。光学结构100位于壳体910内部,并且光学结构100设置在所述透光口911处。光学结构100包括导光板110以及传感器120。例如,电子设备壳体910正面是透明玻璃板,玻璃板边缘处为了遮挡内部器件设有不透光区域,该不透光区域上设有透光口911以使光能够通过透光口911入射到壳体910内部的传感器120,并且传感器120发出的光能够通过透光口911输出到外部。图3a示出本专利技术的第一实施例的光学结构的立体图,图3b、图3c和图3d分别示出本专利技术的第一实施例的光学结构的截面图以及不同入射角度光的传播路径。请参照图3,本专利技术的第一实施例的光学结构100包括导光板110以及传感器120。其中,导光板110包括第一端面111、反射面112、第二端面113以及扩散层114,光可以通过反射面112在第一端面111和第二端面113之间传播;具体地,外界环境的光通过位于第一端面本文档来自技高网...
一种光学结构以及具有该光学结构的电子设备

【技术保护点】
1.一种光学结构,其特征在于,包括:导光板,所述导光板包括第一端面、反射面、第二端面以及扩散层,使得经由所述第一端面入射的光在经过所述反射面反射后从所述第二端面输出,所述扩散层用于使所述导光板内传输的光发生散射;以及传感器,位于所述导光板的所述第二端面处,用于接收所述光。

【技术特征摘要】
2017.11.13 US 62/585,0091.一种光学结构,其特征在于,包括:导光板,所述导光板包括第一端面、反射面、第二端面以及扩散层,使得经由所述第一端面入射的光在经过所述反射面反射后从所述第二端面输出,所述扩散层用于使所述导光板内传输的光发生散射;以及传感器,位于所述导光板的所述第二端面处,用于接收所述光。2.根据权利要求1所述的光学结构,其特征在于,所述导光板的所述扩散层位于所述第一端面的至少部分上。3.根据权利要求1所述的光学结构,其特征在于,所述导光板还包括入光分支、出光分支,所述第一端面包括分别位于所述入光分支和所述出光分支上的入光部分和出光部分,所述扩散层至少位于所述入光部分上。4.根据权利要求3所述的光学结构,其特征在于,所述入光分支和出光分支并排位于相同平面内。5.根据权利要求4所述的光学结构,其特征在于,所述入光分支和出光分支通过支撑柱来连接。6.根据权利要求1所述的光学结构,其特征在于,所述导光板的所述扩散层位于所述反射面的至少部分上。7.根据权利要求1所述的光学结构,其特征在于,所述第二端面与所述第一端面垂直,所述反射面与所述第一端面和所述第二端面均呈45度角。8.根据权利要求1所述的光学结构,其特征在于,所述第二端面与所述第一端面平行,所述反射面包括第一反射面以及第二...

【专利技术属性】
技术研发人员:林苏逸
申请(专利权)人:矽力杰半导体技术杭州有限公司
类型:发明
国别省市:浙江,33

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