相位中心稳定的侧馈圆极化微带天线制造技术

本实用新型专利技术设计的相位中心稳定的侧馈圆极化微带天线，包括高介电介质和天线基板，高介电介质的上表面设置辐射面，下表面设置接地面，高介电介质的四周设有微带馈线，所述的微带馈线延伸到高介电介质的上下表面并在下表面上形成第一馈电点，在天线基板上设有与第一馈电点位置对应的第二馈电点。本实用新型专利技术能达到在天线满足需要的指标和小型化的同时，将单同轴探针馈电切角的圆极化微带天线或两同轴探针馈电的圆极化微带天线或四同轴探针馈电的圆极化微带天线替换为四微带线侧馈的圆极化微带天线，有效提高生产效率的效果。并且可应用于当前各导航频段，并在工作范围内实现VSWR＜2的目标。

【技术实现步骤摘要】
相位中心稳定的侧馈圆极化微带天线
本技术涉及无线通讯用天线
具体涉及一种相位中心稳定的侧馈圆极化微带天线。
技术介绍
如果天线辐射的电磁波为球面波,那么球心即为天线的相位中心。一个天线存不存在相位中心完全取决于天线的形式。即使存在相位中心的天线,一般也只是在主瓣一定范围内存在一个视在相位中心。天线的相位中心稳定度是表征天线各个切面相位中心离散程度的量,是包含天线各个切面相位中心点的球体的最小半径。天线的相位中心稳定度与天线的形式和馈电方式相关,一般来说,天线的对称性越好,馈电点数目越多,馈电点越对称,其相位中心的稳定度越高。
技术实现思路
为解决上述问题，本技术提出了一种小型化的、符合天线指标、可应用于当前个导航频段的相位中心稳定的侧馈圆极化微带天线。本技术设计的相位中心稳定的侧馈圆极化微带天线，包括高介电介质和天线基板，高介电介质的上表面设置辐射面，下表面设置接地面，高介电介质的四周设有微带馈线，所述的微带馈线延伸到高介电介质的上下表面并在下表面上形成第一馈电点，在天线基板上设有与第一馈电点位置对应的第二馈电点。进一步地，所述的微带馈线为四条，且两两相位差90°。更进一步地，所述的第一馈电点和接地面之间设有间隙。所述的高介电介质是介电常数为20的陶瓷介质。与现有技术相比，本技术所得到的相位中心稳定的侧馈圆极化微带天线具有以下特点：1、馈电方式采用四条微带线侧馈；2、与传统的四同轴探针馈电的微带天线相比，本方案可有效提高生产效率，降低生产误差；本技术能达到在天线满足需要的指标和小型化的同时，将单同轴探针馈电切角的圆极化微带天线或两同轴探针馈电的圆极化微带天线或四同轴探针馈电的圆极化微带天线替换为四微带线侧馈的圆极化微带天线，有效提高生产效率的效果。并且可应用于当前各导航频段，并在工作范围内实现VSWR＜2的目标。附图说明图1是天线正面示意图。图2是天线背面示意图。图3是天线基板示意图。图4是天线基板组合示意图。图5是天线仿真回波损耗图。图6是天线仿真增益图。图7是天线仿真轴比图。图8是天线仿真方向图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。实施例1。如图1-4所示，本实施例描述的相位中心稳定的侧馈圆极化微带天线，包括介电常数为20陶瓷材质的高介电介质1和天线基板7，高介电介质1的上表面通过光刻或腐蚀设置辐射面2，下表面通过光刻或腐蚀设置接地面4，高介电介质1的四周通过光刻或腐蚀设有微带馈线3，所述的微带馈线3延伸到高介电介质1的上下表面并在下表面上形成第一馈电点5，在天线基板7上设有与第一馈电点5位置对应的第二馈电点6。所述的微带馈线3为四条，且两两相位差90°。且所述的第一馈电点5和接地面4之间设有间隙。以上所述内容仅是本技术的一种实施方式，应当指出，有本专业工作能力者对本实施方式中进行器件位置改变、增减或替换器件，如改变基板形状结构、改变微带馈线形状结构、改变陶瓷介质厚度或形状结构、增减微带馈线数量等情况，皆应视为本技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种相位中心稳定的侧馈圆极化微带天线，包括高介电介质和天线基板，其特征是高介电介质的上表面设置辐射面，下表面设置接地面，高介电介质的四周设有微带馈线，所述的微带馈线延伸到高介电介质的上下表面并在下表面上形成第一馈电点，在天线基板上设有与第一馈电点位置对应的第二馈电点。

【技术特征摘要】
1.一种相位中心稳定的侧馈圆极化微带天线，包括高介电介质和天线基板，其特征是高介电介质的上表面设置辐射面，下表面设置接地面，高介电介质的四周设有微带馈线，所述的微带馈线延伸到高介电介质的上下表面并在下表面上形成第一馈电点，在天线基板上设有与第一馈电点位置对应的第二馈电点。2.根据权利要求1所述的相位...

【专利技术属性】
技术研发人员：傅胜明，李文博，陈小忠，
申请(专利权)人：浙江金乙昌科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江,33