多层膜用蚀刻液组合物、蚀刻方法及阵列基板的制造方法技术

本发明专利技术提供多层膜用蚀刻液组合物、蚀刻方法及阵列基板的制造方法。该多层膜用蚀刻液组合物，包含：A)过硫酸盐0.5重量％～20.0重量％；B)氟化合物0.01重量％～2.0重量％；C)无机酸10.0重量％～15.0重量％；D)有机酸10.0～30.0重量％；E)有机酸盐0.1重量％～10.0重量％；F)环状胺化合物0.1重量％～5.0重量％；G)氨基磺酸0.1重量％～6.0重量％；H)甘氨酸0.1重量％～5.0重量％；和I)余量的水。根据本发明专利技术的多层膜用蚀刻液组合物，能够缩短整体工序时间且降低成本。

【技术实现步骤摘要】
多层膜用蚀刻液组合物、蚀刻方法及阵列基板的制造方法
本专利技术涉及多层膜用蚀刻液组合物、利用该多层膜用蚀刻液组合物的蚀刻方法、及利用该蚀刻方法的显示装置用阵列基板的制造方法。
技术介绍
液晶显示元件(liquidcrystaldisplaydevice，LCDdevice)由于因优异的分辨率而提供清晰的影像、耗电少、能够较薄地制造显示器画面的特性而在平板显示装置中受到格外关注。近年来，作为驱动这样的液晶等中所使用的显示元件的电路，代表性的是薄膜晶体管(thinfilmtransistor，TFT)电路，典型的薄膜晶体管液晶显示(TFT-LCD)元件构成显示画面的像素(pixel)。TFT-LCD元件中，用作开关元件的TFT通过在以矩阵形态排列的TFT用基板和相对于该基板的滤色器基板之间填充液晶物质而制造。TFT-LCD的整体制造工序大体分为TFT基板制造工序、滤色器工序、液晶盒工序、模块工序，在显示精确且清晰的影像方面，TFT基板和滤色器制造工序的重要性最大。如果想要实现像素显示电极中所期望的电路的线路，则需要按照电路图案来刮削薄膜层的蚀刻(etching)工序。但是，以往的蚀刻液组合物虽然对于主要将主配线蒸镀(depositon)于阻挡(Barrier)膜质而制造的双层膜能够一并蚀刻，但对于金属种类稍多且较多层地蒸镀的配线不易通过湿式蚀刻工序进行一并蚀刻。具体而言，四层膜的情况下，对于全部四层膜均应当维持相同的蚀刻量，但由于与四层膜对应的各个膜的蚀刻速度均不同，因此发生由于各个膜不同的蚀刻速度而导致无法被均匀蚀刻的问题。另一方面，韩国公开专利第10-2015-0089887号公开了作为主氧化剂使用过硫酸盐而未使用过氧化氢进行钛-铜双层膜蚀刻的蚀刻液组合物，但利用上述公开专利的组合物对于三层膜以上的蒸镀为多层的配线进行湿式蚀刻工序的情况下，存在一并蚀刻效果降低的问题，为了解决该问题，实际情况是需要能够蚀刻多层膜的改善的蚀刻液组合物。现有技术文献专利文献专利文献1：韩国公开专利10-2015-0089887号
技术实现思路
所要解决的课题本专利技术的目的在于，通过提供能够利用一种化学试剂将包含用作显示装置用阵列基板的像素电极的铟氧化膜的多层膜等为了今后的多功能化而由多种金属和多层膜形成的配线一并蚀刻的蚀刻液，从而提供能够缩短整体工序时间且降低成本的提高薄膜晶体管-显示元件的驱动特性的多层膜蚀刻液组合物、利用该多层膜蚀刻液组合物的蚀刻方法、及利用该蚀刻方法的显示装置用阵列基板的制造方法。解决课题的方法为了实现上述目的，本专利技术提供一种多层膜用蚀刻液组合物，包含：A)过硫酸盐约0.5重量％～约20.0重量％；B)氟化合物约0.01重量％～约2.0重量％；C)无机酸约10.0重量％～约15.0重量％；D)有机酸约10.0～约30.0重量％；E)有机酸盐约0.1重量％～10.0重量％；F)环状胺化合物约0.1重量％～约5.0重量％；G)氨基磺酸约0.1重量％～约6.0重量％；H)甘氨酸约0.1重量％～约5.0重量％；和I)余量的水。本专利技术提供多层膜蚀刻方法，包括：(1)在基板上形成多层膜的步骤；(2)在上述多层膜上选择性地留下光反应物质的步骤；及(3)使用上述多层膜用蚀刻液组合物蚀刻上述多层膜的步骤。本专利技术提供显示装置用阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：(1)在基板上形成栅极配线的步骤；(2)在包含上述栅极配线的基板上形成栅极绝缘层的步骤；(3)在上述栅极绝缘层上形成氧化物半导体层的步骤；(4)在上述氧化物半导体层上形成源电极和漏电极的步骤；及(5)形成与上述漏电极连接的像素电极的步骤，上述(5)步骤包括形成多层膜、且利用蚀刻液组合物蚀刻上述多层膜而形成像素电极的步骤，上述蚀刻液组合物为本专利技术的多层膜蚀刻液组合物。专利技术效果本专利技术通过提供能够在没有其他工序或其他蚀刻液的帮助下仅利用本申请专利技术的蚀刻液组合物将为了今后的多功能化而由多种金属和多层膜形成的配线一并蚀刻的蚀刻液，从而提供能够缩短整体工序时间且降低成本的多层膜用蚀刻液组合物。本专利技术在没有其他工序或其他蚀刻液的帮助下仅利用本申请专利技术的蚀刻液组合物不仅能够将由钛/铜或钛/铜/钛构成的双层膜、三层膜一并蚀刻，还能够将由钛/铟氧化膜/铝/铟氧化膜构成的四层膜一并蚀刻。附图说明图1是与多层膜蚀刻实验结果有关的附图。具体实施方式本专利技术涉及针对多层膜的蚀刻液组合物及利用该蚀刻液组合物的蚀刻方法，其目的在于，提供在包含A)过硫酸盐、B)氟化合物、C)无机酸、D)有机酸、E)有机酸盐、F)环状胺化合物、G)氨基磺酸、H)甘氨酸的情况下，能够利用湿式蚀刻方式将多层膜一并蚀刻，缩短整体工序时间，使效率达到最大化，而且能够降低成本，提高薄膜晶体管-显示元件的驱动特性的多层膜蚀刻液组合物、利用该多层膜蚀刻液组合物的蚀刻方法及利用该蚀刻方法的显示装置用阵列基板的制造方法。本专利技术的多层膜的意思是三层膜以上的多层膜，可以为三层膜、四层膜、五层膜或六层膜。优选上述多层膜可以为四层膜，更具体而言，可以为含有一层以上包含钛、铟氧化膜和银中的一种以上的膜。作为本专利技术的多层膜的例子，可以举出由钛/铟氧化膜/银/铟氧化膜等形成的四层膜，但不限于此。本专利技术的铟氧化膜可以举出氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡锌(ITZO)或氧化铟镓锌(IGZO)等，但不限定于此。以下，更详细地说明本专利技术。A)过硫酸盐本专利技术的过硫酸盐发挥对于金属膜的氧化剂的作用。相对于组合物总重量，本专利技术的过硫酸盐的含量可以为约0.5重量％～约20重量％，优选为5.0重量％～12.0重量％。如果上述过硫酸盐的含量低于上述范围，则蚀刻速率降低而无法实现充分的蚀刻。如果上述过硫酸盐的含量超过上述范围，则因蚀刻速率过快而难以控制蚀刻程度，因此金属膜可能被过蚀刻(overetching)。上述过硫酸盐例如可以包含选自由过硫酸钾(K2S2O8)、过硫酸钠(Na2S2O8)和/或过硫酸铵((NH4)2S2O8)等组成的组中的一种以上，但不限于此。B)氟化合物上述氟化合物蚀刻多层膜所包含的钛膜等，并且去除因上述蚀刻而可能产生的残渣。相对于上述蚀刻液组合物总重量，上述氟化合物的含量可以为约0.01重量％～约2.0重量％，优选可以为0.1重量％～1.0重量％。如果上述氟化合物的含量低于上述范围，则难以进行钛的蚀刻，残渣产生频率增大，如果超过上述范围，则可能会对所层叠的玻璃基板造成损伤。上述氟化合物可以包含选自由例如氟化铵(ammoniumfluoride)、氟化钠(sodiumfluoride)、氟化钾(potassiumfluoride)、氟化氢铵(ammoniumbifluoride)、氟化氢钠(sodiumbifluoride)和/或氟化氢钾(potassiumbifluoride)等组成的组中的一种以上，但不限于此。C)无机酸上述无机酸是助氧化剂。可以根据上述无机酸在上述蚀刻液组合物中的含量来控制蚀刻速度。上述无机酸可以与上述蚀刻液组合物中的Cu和/或Al离子发生反应，由此阻止上述Cu和/或Al离子的增加而防止蚀刻速率降低。相对于上述蚀刻液组合物总重量，上述无机酸的含量可以为约10.0～约15.0重量％。如果上述无机酸的含量低于本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多层膜用蚀刻液组合物，包含：A)过硫酸盐0.5重量％～20.0重量％；B)氟化合物0.01重量％～2.0重量％；C)无机酸10.0重量％～15.0重量％；D)有机酸10.0～30.0重量％；E)有机酸盐0.1重量％～10.0重量％；F)环状胺化合物0.1重量％～5.0重量％；G)氨基磺酸0.1重量％～6.0重量％；H)甘氨酸0.1重量％～5.0重量％；和I)余量的水。

【技术特征摘要】
2016.12.09 KR 10-2016-01679731.一种多层膜用蚀刻液组合物，包含：A)过硫酸盐0.5重量％～20.0重量％；B)氟化合物0.01重量％～2.0重量％；C)无机酸10.0重量％～15.0重量％；D)有机酸10.0～30.0重量％；E)有机酸盐0.1重量％～10.0重量％；F)环状胺化合物0.1重量％～5.0重量％；G)氨基磺酸0.1重量％～6.0重量％；H)甘氨酸0.1重量％～5.0重量％；和I)余量的水。2.根据权利要求1所述的多层膜用蚀刻液组合物，所述过硫酸盐包含选自由过硫酸钾(K2S2O8)、过硫酸钠(Na2S2O8)和过硫酸铵((NH4)2S2O8)组成的组中的一种以上。3.根据权利要求1所述的多层膜用蚀刻液组合物，所述氟化合物包含选自由氟化铵、氟化钠、氟化钾、氟化氢铵、氟化氢钠和氟化氢钾组成的组中的一种以上。4.根据权利要求1所述的多层膜用蚀刻液组合物，所述无机酸包含选自由硝酸、硫酸和高氯酸组成的组中的一种以上。5.根据权利要求1所述的多层膜用蚀刻液组合物，所述有机酸包含选自由酒石酸、乙酸、丁酸、柠檬酸、甲酸、葡糖酸、乙醇酸、丙二酸、戊酸和草酸组成的组中的一种以上。6.根据权利要求1所述的多层膜用蚀刻液组合物，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘仁浩，金范洙，南基龙，
申请(专利权)人：东友精细化工有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR