半导体发光装置制造方法及图纸

一种半导体发光装置包括：封装主体，其具有腔体，并且具有布置在腔体的底表面上的第一布线电极和第二布线电极；发光二极管(LED)芯片，其包括其上具有第一电极和第二电极的第一表面、第二表面和侧表面，LED芯片安装在腔体中，以使得第一表面面对底表面；波长转换膜，其位于LED芯片的第二表面上，并且包括第一波长转换材料；以及腔体中的反射树脂部分，其包围LED芯片。

Semiconductor light emitting device

A semiconductor light emitting device includes a package body with a cavity and a first wiring electrode and a second wiring electrode arranged on the bottom surface of the cavity, and a light-emitting diode (LED) chip, which includes a first surface, a second surface, and a side surface with a first electrode and a second electrode, and a LED chip installed in the cavity. In the body, the first surface is made to face the bottom surface; the wavelength conversion film is located on the second surface of the LED chip, and includes the first wavelength conversion material; and the reflection resin part in the cavity, which encircles the LED chip.

【技术实现步骤摘要】
半导体发光装置相关申请的交叉引用于2016年12月16日在韩国知识产权局提交的标题为“半导体发光装置”的韩国专利申请No.10-2016-0172480以引用方式全文并入本文中。
实施例涉及一种半导体发光装置。
技术介绍
半导体发光二极管(LED)允许包括在其中的材料利用电能发射光，例如，将通过结合的半导体的电子和空穴的复合产生的电能转换为光。这种LED广泛地用作照明装置和用于大型液晶显示器的背光装置中的光源。通常，可将LED设为按照各种形式封装的发光装置，以容易地安装在应用装置中。
技术实现思路
根据示例实施例，一种半导体发光装置可包括：封装主体，其具有由侧壁包围的腔体，并且具有腔体的底表面上的第一布线电极和第二布线电极；发光二极管(LED)芯片，其包括其上具有第一电极和第二电极的第一表面、与第一表面相对的第二表面和第一表面与第二表面之间的侧表面，LED芯片安装在腔体中以使得第一表面面对底表面；导电凸块，其将第一电极和第二电极分别连接至第一布线电极和第二布线电极；波长转换膜，其位于LED芯片的第二表面上，并且包括第一波长转换材料；透光粘合层，其位于LED芯片的第二表面与波长转换膜之间，以将LED芯片粘合至波长转换膜；反射树脂部分，其位于腔体中覆盖LED芯片，并且填充LED芯片的第一表面与腔体的底表面之间的空间；以及波长转换树脂层，其位于波长转换膜和反射树脂部分上，并且具有透光树脂，该透光树脂包括第二波长转换材料。根据示例实施例，一种半导体发光装置可包括：封装主体，其包括由具有第一反射表面的侧壁包围的腔体，所述第一反射表面是倾斜的，所述封装主体具有腔体的底表面上的第一布线电极和第二布线电极；半导体发光元件，其安装在腔体的底表面上，并且具有分别连接至第一布线电极和第二布线电极的第一电极和第二电极；反射树脂部分，其位于腔体中包围半导体发光元件，具有提供连接至第一反射表面的第二反射表面的弯曲的上表面，并且填充半导体发光元件与腔体的底表面之间的空间；以及半导体发光元件上的波长转换树脂层。该半导体发光元件还可包括：LED芯片，其具有其上布置有第一电极和第二电极的第一表面、与第一表面相对的第二表面和第一表面与第二表面之间的侧表面，第一表面面对腔体的底表面；波长转换膜，其位于LED芯片的第二表面上，同时位于波长转换树脂层下方；以及透光粘合层，其位于LED芯片的第二表面与波长转换膜之间以将LED芯片粘合至波长转换膜，延伸至LED芯片的侧表面，并且具有朝着底表面倾斜的表面，其中，波长转换树脂层可包括第一波长转换材料，并且波长转换膜可包括第二波长转换材料。根据示例实施例，一种半导体发光装置可包括：封装主体，其具有由侧壁包围的腔体，并且具有腔体的底表面上的第一布线电极和第二布线电极；LED芯片，其包括其上具有第一电极和第二电极的第一表面、与第一表面相对的第二表面，以及第一表面与第二表面之间的侧表面，LED芯片安装在腔体中以使得第一表面面对底表面；导电凸块，其将第一电极和第二电极分别连接至第一布线电极和第二布线电极；波长转换膜，其位于LED芯片的第二表面上，并且包括第一波长转换材料；透光粘合层，其位于LED芯片的第二表面与波长转换膜之间，以将LED芯片粘合至波长转换膜，并且包括透光粘合材料，透光粘合材料包括第二波长转换材料；以及反射树脂部分，其位于腔体中包围LED芯片，并且填充LED芯片的第一表面与腔体的底表面之间的空间。根据示例实施例，一种半导体发光装置可包括：封装主体，其具有由侧壁包围的腔体，并且具有腔体的底表面上的第一布线电极和第二布线电极；LED芯片，其包括其上具有第一电极和第二电极的第一表面、与第一表面相对的第二表面和第一表面与第二表面之间的侧表面，所述LED芯片安装在腔体中以使得LED芯片的第一表面面对腔体的底表面；波长转换膜，其位于LED芯片的第二表面上，并且包括第一波长转换材料；以及反射树脂部分，其在腔体中包围LED芯片。附图说明通过参照附图详细描述示例性实施例，特征对于本领域技术人员将变得清楚，其中：图1示出了根据示例实施例的半导体发光装置的平面图；图2示出了沿着图1的线X1-X1'截取的剖视图；图3示出了可在图1的半导体发光装置中采用的半导体发光元件的平面图；图4示出了沿着图3的线X2-X2'截取的剖视图；图5示出了可在图3的发光元件中采用的发光二极管(LED)芯片的剖视图；图6A至图6E示出了制造图1的半导体发光装置的方法的剖视图；图7示出了根据示例实施例的半导体发光装置的剖视图；图8示出了可在图7的半导体发光装置中采用的半导体发光元件的剖视图；图9A至图9C示出了制造图8的半导体发光元件的方法的剖视图；图10示出了根据示例实施例的半导体发光装置的剖视图；图11示出了根据示例实施例的显示装置的分解透视图；以及图12示出了根据示例实施例的灯泡式照明装置的分解透视图。具体实施方式图1是根据示例实施例的半导体发光装置的平面图。图2是沿着图1的线X1-X1'截取的剖视图。参照图1和图2，根据示例实施例的半导体发光装置50可包括具有腔体C的封装主体10、安装在腔体C中的半导体发光元件30和在腔体C中包围半导体发光元件30的反射树脂部分42。封装主体10可具有限定腔体C的侧壁11以及暴露于腔体C的底表面的第一布线电极12a和第二布线电极12b。参照图1，腔体C的平面形状示为圆形，但不限于此。例如，腔体C的平面形状可具有与芯片的形状相对应的形状。第一布线电极12a和第二布线电极12b可延伸至封装主体10的外表面，例如，其下表面或侧表面。封装主体10可为绝缘树脂。在一些示例实施例中，封装主体10可包括其中散布有反射粉末的模塑树脂体。例如，反射粉末可包括诸如TiO2、Al2O3、Nb2O5或ZnO的白色陶瓷粉末。第一布线电极12a和第二布线电极12b可为通过封装主体10的连接部分10a结合的一对引线框。第一布线电极12a和第二布线电极12b可包括诸如金(Au)、铜(Cu)、银(Ag)或铝(Al)的金属。封装主体10的侧壁11和第一布线电极12a和第二布线电极12b的表面可在腔体C中形成相对大的角θ1。侧壁11的角θ1的增大可减少模塑体在其中封装主体10以及第一布线电极12a和第二布线电极12b彼此接触的区中发生开裂。例如，侧壁11的角θ1可等于或大于80°，并且在示例实施例中可基本上为90°，例如，侧壁11可基本上竖直。半导体发光元件30可包括半导体发光二极管(LED)芯片20、波长转换膜32和透光粘合层34。LED芯片20可具有彼此相对的第一表面20A和第二表面20B以及连接第一表面20A和第二表面20B的侧表面20C。如图2所示，半导体发光元件30可安装在腔体C中，从而LED芯片20的第一表面20A可面对腔体C的底表面。LED芯片20可包括布置在第一表面20A上的第一电极29a和第二电极29b。可利用第一导电凸块15a和第二导电凸块15b(例如，焊料凸块)将第一电极29a和第二电极29b连接至第一布线电极12a和第二布线电极12b。参照图3和图4，该示例实施例中采用的半导体发光元件30可示为单独的装置。在该示例实施例中，半导体发光元件30可制造为使其具有图4所示的形式，并且随后安装在封装主体10中。可替换地本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体发光装置，包括：封装主体，其具有由侧壁包围的腔体以及位于所述腔体的底表面上的第一布线电极和第二布线电极；发光二极管芯片，其包括其上具有第一电极和第二电极的第一表面、与所述第一表面相对的第二表面和位于所述第一表面与所述第二表面之间的侧表面，所述发光二极管芯片安装在所述腔体中以使得所述第一表面面对所述底表面；导电凸块，其将所述第一电极和所述第二电极分别连接至所述第一布线电极和所述第二布线电极；波长转换膜，其位于所述发光二极管芯片的第二表面上，并且包括第一波长转换材料；透光粘合层，其位于所述发光二极管芯片的第二表面与所述波长转换膜之间，以将所述发光二极管芯片粘合至所述波长转换膜；反射树脂部分，其位于所述腔体中包围所述发光二极管芯片，并且填充所述发光二极管芯片的第一表面与所述腔体的底表面之间的空间；以及波长转换树脂层，其位于所述波长转换膜和所述反射树脂部分上，并且具有透光树脂，该透光树脂包括第二波长转换材料。

【技术特征摘要】
2016.12.16 KR 10-2016-01724801.一种半导体发光装置，包括：封装主体，其具有由侧壁包围的腔体以及位于所述腔体的底表面上的第一布线电极和第二布线电极；发光二极管芯片，其包括其上具有第一电极和第二电极的第一表面、与所述第一表面相对的第二表面和位于所述第一表面与所述第二表面之间的侧表面，所述发光二极管芯片安装在所述腔体中以使得所述第一表面面对所述底表面；导电凸块，其将所述第一电极和所述第二电极分别连接至所述第一布线电极和所述第二布线电极；波长转换膜，其位于所述发光二极管芯片的第二表面上，并且包括第一波长转换材料；透光粘合层，其位于所述发光二极管芯片的第二表面与所述波长转换膜之间，以将所述发光二极管芯片粘合至所述波长转换膜；反射树脂部分，其位于所述腔体中包围所述发光二极管芯片，并且填充所述发光二极管芯片的第一表面与所述腔体的底表面之间的空间；以及波长转换树脂层，其位于所述波长转换膜和所述反射树脂部分上，并且具有透光树脂，该透光树脂包括第二波长转换材料。2.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其中，所述反射树脂部分的上表面具有弯曲倾斜表面。3.根据权利要求2所述的半导体发光装置，其中，所述反射树脂部分的与所述侧壁接触的上表面高于所述反射树脂部分的邻近于所述发光二极管芯片的上表面。4.根据权利要求2所述的半导体发光装置，其中，所述封装主体的侧壁具有倾斜的反射表面。5.根据权利要求4所述的半导体发光装置，其中，所述反射树脂部分的弯曲倾斜表面连接至所述倾斜的反射表面。6.根据权利要求4所述的半导体发光装置，其中，所述波长转换树脂层延伸至所述侧壁的所述倾斜的反射表面。7.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其中，所述第一波长转换材料和所述第二波长转换材料将所述发光二极管芯片发射的光转换为具有不同波长的光。8.根据权利要求7所述的半导体发光装置，其中，所述第一波长转换材料包括红色荧光体，所述第二波长转换材料包括绿色荧光体和黄色荧光体中的至少一个。9.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其中，所述透光粘合层包括侧向延伸区，该侧向延伸区延伸至所述发光二极管芯片的侧表面，并且具有朝着所述底表面倾斜的倾斜表面，并且所述反射树脂部分沿着所述侧向延伸区的倾斜表面形成。10.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其中，所述透光粘合层包括光散射粉末。11.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其中，基于所述波长转换膜的总体积，所述第一波长转换材料按照5vol％至30vol％的量被包含。12.根据权利要求1所述的半导体发光装置，还包括齐纳二极管，其布置在所述腔体的底表面上并且被所述反射树脂部分包围，其中所述腔体的底表面是平表面。13.一种半导体发光装置，包括：封装主体，其包括由具有第一反射表面的侧壁包围的腔体，所述第一反射表面是倾斜的，所述封装主体具有布置在所述腔体的底表面上的第一布线电极和第二布线电极；半导体发光元件，其安装在所述腔体的底表面上...

【专利技术属性】
技术研发人员：金廷城，朴昌守，朴正圭，崔兑营，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR