在存储器装置的ZQ校准中决定电阻校准方向的方法制造方法及图纸

技术编号:18303085 阅读:176 留言:0更新日期:2018-06-28 12:36
一种在存储器装置的ZQ校准中决定电阻校准方向的方法包含:由比较器反复地比对一参考电压与一目标电压以获得奇复数个比对结果,这些比对结果中的每一个为高状态与低状态其中的一个;由ZQ校准控制器针对这些比对结果的这些状态决定这些比对结果的多数;以及由该ZQ校准控制器根据该多数,决定电阻校准方向,使得该ZQ校准控制器基于该电阻校准方向产生一校准码,并将该校准码应用至电阻校准单元以经由该电阻校准单元调整该目标电压。

Method for determining the direction of resistance calibration in ZQ calibration of memory devices

A method of determining the direction of the resistance calibration in the ZQ calibration of a memory device includes the result that the comparator repeatedly compares a reference voltage and a target voltage to one of the odd multiple comparison results, each of which is one of the high state and the low state, and the ZQ calibration controller is directed against these comparison results. These states determine the majority of these comparison results; and the ZQ calibration controller determines the resistance calibration direction according to the majority, so that the ZQ calibration controller generates a calibration code based on the resistance calibration direction, and applies the calibration code to the resistance calibration unit to adjust the target voltage via the resistance calibration unit.

【技术实现步骤摘要】
在存储器装置的ZQ校准中决定电阻校准方向的方法
本专利技术的各种形式关于存储器装置的ZQ校准,且更具体而言,是关于一种在ZQ校准中决定电阻校准方向的方法。
技术介绍
为得到更佳的信号完整性,自第三代双倍数据率同步动态随机存取存储器(Double-Data-RateThreeSynchronousDynamicRandomAccessMemory,DDR3SDRAM)出现以来,ZQ校准即被用以在不管制程-电压-温度(Process-Voltage-Temperature;PVT)波动的情况下校准内部终端电阻(OnDieTermination;ODT),并追踪上拉/下拉电阻。通常,可经由以下步骤来执行ZQ校准:由比较器比对一参考信号与一目标信号;由ZQ校准控制器依据比对结果产生一校准码;由该ZQ校准控制器将该校准码应用至电阻校准单元(上拉/下拉电阻校准单元),以经由该电阻校准单元调整目标信号;以及以经调整目标电压替换目标电压,并重复以上步骤直至目标电压等于或几乎等于参考电压为止。依赖于具有各种噪声及干扰的系统环境,比较器的比对结果可能不正确或被误判。一旦比对结果不正确或被误判,由ZQ校准控制器所产生的校准码便可能与能够趋使目标电压接近参考电压的最终校准码有很大偏差,且这样的偏差在ZQ校准控制器使用二分搜寻方法(dichotomysearchmethod)来产生校准码时尤其如此。为此目的,在所属
中,如何在存储器装置的ZQ校准中避免使比较器为ZQ校准控制器提供不正确的比对结果将十分重要。
技术实现思路
以下内容呈现了本专利技术的一个或多个形式的摘要说明,由此提供对本专利技术的基本理解。该摘要说明内容并非有意概括本专利技术的所有形式。另外,该摘要说明既不是为了确认本专利技术的任一或所有形式的关键或必要组件,也不是为了描述本专利技术的任一或所有形式的范围。该摘要说明的目的仅是以一种简单形式来呈现本专利技术的部分形式的某些概念,以作为随后详细描述的一个引言。本专利技术的一种形式提供一种在存储器的ZQ校准中决定电阻校准方向的方法。该方法包含下列步骤:由一比较器反复地比对一参考电压与一目标电压以获得奇复数个比对结果,这些比对结果中的每一个为高状态与低状态其中的一个;由ZQ校准控制器针对这些比对结果的这些状态决定这些比对结果的多数;以及由该ZQ校准控制器根据该多数,决定电阻校准方向,使得该ZQ校准控制器基于该电阻校准方向产生一校准码,并将该校准码应用至电阻校准单元以经由该电阻校准单元调整该目标电压。经由决定奇复数个比对结果的多数,即使某些比对结果因各种噪声及干扰而变成不正确的,ZQ校准控制器仍可产生所需校准码,且该所需校准码接近于能够趋使目标电压接近参考电压的最终校准码。因此,上述方法提供了一种关于在存储器装置的ZQ校准中如何避免使比较器为ZQ校准控制器提供不正确的比对结果的解决方案。参照附图与以下实施方式,本专利技术的其他实施细节及实例性实施例将更清楚。此外,应理解,参照附图与以下实施方式,本专利技术所属
中普通技术人员将可轻易明了本专利技术的其他形式。附图说明图1是根据一个或多个实施例概念性地例示存储器装置的ZQ校准的实例的流程图。图2是根据一个或多个实施例概念性地例示用于实施ZQ校准的架构的实例的方块图。图3是根据一个或多个实施例概念性地例示由ZQ校准控制器针对比较器的比对结果的状态决定这些比对结果的多数的实例的示意图。图4是根据一个或多个实施例概念性地例示ZQ校准控制器的实例的方块图。具体实施方式下文结合附图的详细说明旨在作为对本专利技术的各种配置的说明,而非作为实施本文所述概念的仅有配置。为实现对各种概念的透彻理解,该详细说明包含了特定细节。然而,对本
普通技术人员将显而易见的是,可在没有这些特定细节的情形下实践这些概念。在某些情形中,以方块图形式显示众所周知的结构及组件,以避免使这些概念模糊不清。本专利技术的一种形式提供一种在存储器装置的ZQ校准中决定电阻校准方向的方法,以下将参照图1至图4来阐述该方法。图1是根据一个或多个实施例概念性地例示存储器装置的ZQ校准1的一个实例的流程图。图2是根据一个或多个实施例概念性地例示用于实施ZQ校准1的架构2的一个实例的方块图。架构2可包含比较器21、ZQ校准控制器23、电阻校准单元25、及参考电压产生器27。图3是根据一个或多个实施例概念性地例示由ZQ校准控制器23针对比较器21的比对结果200的状态决定比对结果200的一个多数的一个实例的示意图。图4是根据一个或多个实施例概念性地例示ZQ校准控制器23的一个实例的方块图。参照图1-2,ZQ校准1包含一种用于决定电阻校准方向205的方法10。ZQ校准1可以是粗调校准程序、精调校准程序、或二者兼具。举例而言,在DDR3SDRAM中,存在具有不同校准持续时间的两个校准程序。其中一个称为长ZQ校准(ZQCalibrationLong;ZQCL),其在电源开启初始化与重设期间花费512个频率来完成校准,并在任何时间花费256个频率来完成校准。另一个称为短ZQ校准(ZQCalibrationShort;ZQCS),其仅需要64个频率来完成校准。有时,ZQCL对应于粗调校准程序,而ZQCS对应于精调校准程序。在方法10中,在步骤101处执行:由比较器21比对参考电压Vr与目标电压V1。比较器21可以是用于比对两个电压并输出数字信号的装置,其中该数字信号可指示哪一个电压较大。比较器21具有两个模拟输入端子V+及V-及一个二进制数字输出端子,该两个模拟输入端子V+及V-分别用于接收目标电压V1及参考电压Vr,该二进制数字输出端子用于提供比对结果200,比对结果200中的每一个为高状态(例如,数字1)与低状态(例如,数字0)其中的一个。举例而言,比较器21可以是运算放大器电压比较器,其具有均衡的差分输入以及极高的增益。参考电压Vr可由参考电压产生器27(例如此项技术中所使用的各种模拟信号产生器)产生。目标电压V1可以是针对比较器21的第一比对而预定的初始电压。由于不可避免的各种噪声及干扰,参考电压Vr及目标电压V1(或经调整目标电压V2)通常会随时间以预期不到的偏差而变化。在这些情形下,比较器21的比对结果200可能不正确或被误判。为克服该问题,如下所详述,步骤103、105及107可被执行。在步骤103处执行:判断是否已获得预定的奇复数个比对结果200。举例而言,ZQ校准控制器23可以预定不包含1的奇数(即,3、5、7、9、11、或…),并判断比对结果200的所累积数目是否等于该预定奇数。若在步骤103处尚未获得预定奇复数个比对结果200,则再次比对参考电压Vr与目标电压V1(即,返回至步骤101)。否则,在步骤105处执行:由ZQ校准控制器23针对比对结果200的状态决定比对结果200的多数。接下来,在步骤107处执行:由ZQ校准控制器23根据该多数,决定电阻校准方向205。图3示出一个示范例,该示范例是关于在比较器21已经依序比对参考电压Vr与目标电压V1达七次的情形中如何决定七个比对结果200的多数。在该情形中,第一比对结果OP1、第四比对结果OP4、第二比对结果OP5及第七比对结果OP7是高状态(例如,数字1),而第二比对结果OP2、第三比对结果OP本文档来自技高网
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在存储器装置的ZQ校准中决定电阻校准方向的方法

【技术保护点】
1.一种在存储器装置的ZQ校准中决定电阻校准方向的方法,包含下列步骤:由比较器反复地比对一参考电压与一目标电压以获得奇复数个比对结果,这些比对结果中的每一个为高状态与低状态其中的一个;由ZQ校准控制器针对这些比对结果的这些状态决定这些比对结果的多数;以及由该ZQ校准控制器根据该多数决定电阻校准方向,使得该ZQ校准控制器基于该电阻校准方向产生一校准码,并将该校准码应用至电阻校准单元以经由该电阻校准单元调整该目标电压。

【技术特征摘要】
1.一种在存储器装置的ZQ校准中决定电阻校准方向的方法,包含下列步骤:由比较器反复地比对一参考电压与一目标电压以获得奇复数个比对结果,这些比对结果中的每一个为高状态与低状态其中的一个;由ZQ校准控制器针对这些比对结果的这些状态决定这些比对结果的多数;以及由该ZQ校准控制器根据该多数决定电阻校准方向,使得该ZQ校准控制器基于该电阻校准方向产生一校准码,并将该校准码应用至电阻校准单元以经由该电阻校准单元调整该目标电压。2.如权利要求1所述的方法,其中所述决定这些比对结果的所述多数还包含下列步骤:在该ZQ校准控制器中定义计数器的二进制码;针对这些比对结果中的每一个,...

【专利技术属性】
技术研发人员:郑育轩刘建兴
申请(专利权)人:晶豪科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:中国台湾,71

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