一种PCB孤立图形铺铜分流二次蚀刻方法技术

技术编号:18292962 阅读:34 留言:0更新日期:2018-06-24 09:14
本发明专利技术涉及PCB加工技术领域,公开了一种PCB孤立图形铺铜分流二次蚀刻方法,包括如下步骤:a.优化铺铜菲林;b.图形转移;c.图形电镀;d.图形蚀刻;e.第二次图形转移;f.第二次蚀刻。本方法适用于具有局部孤立图形设计的、铜厚<2OZ的PCB的铺铜分流二次蚀刻方法,极大降低生产不良率,成本低,效率高,适合大规模推广。

【技术实现步骤摘要】
一种PCB孤立图形铺铜分流二次蚀刻方法
本专利技术涉及PCB加工
,具体涉及一种PCB孤立图形铺铜分流二次蚀刻方法。
技术介绍
随着电子产品的功能多样性发展,PCB承载的性能也越来越多,如PCB上RF线设计、局部插件信号传输、局部高电压设计等,此种类型设计需求PCB局部或者整面图形孤立(孤立图形设计,是指空旷区布双线、双PAD、双孔或者其它异形图形,图形间没有足够的间距保证补偿)。因图形分布不均,导致在图形电镀时不同区域电流密度难以一致,蚀刻图形均匀性、图形公差等控制困难,甚至导致夹膜、孔小、喇叭孔等品质不良。为了改善孤立图形电镀难的问题,提升电镀效率,提高孤立图形设计的PCB电镀品质,成立“PCB孤立图形蚀刻方法”的专项研究势在必行。结合线路板领域的传统工艺,通过将PCB孤立图形设计分类调整补偿参数,优化各种设计的流程制作方式,达到降低工时成本、品质成本,保持生产顺畅,控制产品良率的目的,从而提高企业利润以及提升公司综合竞争力,占领并扩大市场占有率。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种适用于具有局部孤立图形设计的、铜厚<2OZ的PCB的铺铜分流二次蚀刻方法,而铜厚度越大,则电镀成品铜厚越大(部分电镀孔铜厚度越大),造成蚀刻差异就越大,为了维持生产品质,必须对工艺和参数进行改进。本专利技术所要解决的技术问题通过以下技术方案予以实现:一种PCB孤立图形铺铜分流二次蚀刻方法,包括如下步骤:a.优化铺铜菲林;b.图形转移;将处理过的铜面上贴上或涂上一层感光性膜层,在紫外光照射下,将菲林上的线路图形转移至铜面上,形成一种抗蚀的掩膜图形,那些未被膜保护的不需要的铜箔,将在随后的蚀刻工艺中被蚀刻掉,经过蚀刻后再褪去抗蚀膜,即得到所需裸铜电路图形。c.图形电镀;d.图形蚀刻;e.第二次图形转移;f.第二次蚀刻;其中,所述的a步骤包括制作PCB生产稿菲林,制作菲林时围绕孤立图形设置边长0.3-0.6mm的铜块矩阵,铜块矩阵之间间距0.1-0.3mm,所有图形按补偿1.5-2mil制作菲林资料;所述的e步骤的参数为:压模:压膜速度2.0±0.5m/min、压膜温度110±5℃;曝光:铺铜开窗单边补偿3-5mil(开窗则指在需要焊接或散热的地方把铜箔裸露在绿油层或阻焊层外);设备台面真空-300至-370mmHg,曝光尺7格;显影:显影点控制55±5%。补偿:PCB在运输、放置、生产过程中,因为温湿度、机器、人为、等各种因素造成PCB本身涨缩。在此情况下,如果不修改工具(钻孔、菲林、网板等)的涨缩值(即补偿值),实际工具资料跟PCB本身就会有偏差,生产出的PCB不符合实际需求。所以需要应用补偿值,尽可能的让PCB符合实际应用需求。进一步的,所述的d步骤为碱性蚀刻;所述f步骤为酸性蚀刻,参数为蚀刻压力1.8±0.2Kg/cm2,蚀刻次数1次。杜绝在碱性蚀刻时走两次蚀刻出现锡陷落、线宽超公差、蚀刻因子不达标等问题,从而保证产品符合客户设计,同时保证产品品质要求,提高产品良率。本专利技术具有如下有益效果:先在孤立区铺设方形铜块矩阵,为第一次图形电镀分流,分流是电镀工序的一个特有名词,相当于均分的意思,是指电流一定时,电镀面积增加,则单位电流密度减少,新增加的面积就起到了分流的作用。为适应板铜厚<2OZ的情况,采用分流,可以减少局部电流过高,杜绝局部电镀铜厚超厚、孔被电镀堵死等情况,同时,可以提升深镀能力,减少铜用量等。完成第一次图形电镀-蚀刻后,再通过第二次图形转移+蚀刻的方式将预先铺设的方形铜块矩阵蚀刻掉。优选生产参数和补偿值,对PCB生产质量进行控制,从而保证产品符合客户设计,同时保证产品品质要求,提高产品良率。具体实施方式下面结合实施例对本专利技术进行详细的说明,实施例仅是本专利技术的优选实施方式,不是对本专利技术的限定。实施例1一种PCB孤立图形铺铜分流二次蚀刻方法,包括如下步骤:a.优化铺铜菲林;b.图形转移;c.图形电镀;d.图形蚀刻;e.第二次图形转移;f.第二次蚀刻;其中,所述的a步骤包括制作PCB生产稿菲林,制作菲林时围绕孤立图形设置边长0.5mm的铜块矩阵,铜块矩阵之间间距0.2mm,所有图形按补偿1.5mil制作菲林资料;所述的e步骤的参数为:压模:压膜速度2.0±0.5m/min、压膜温度110±5℃;曝光:铺铜开窗单边补偿3mil;设备台面真空-350mmHg,曝光尺7格;显影:显影点控制55±5%。所述的d步骤为碱性蚀刻;所述f步骤为酸性蚀刻,参数为蚀刻压力1.8±0.2Kg/cm2,蚀刻次数1次。通过应用本蚀刻方法,夹膜、孔小、喇叭孔等品质不良率降低约85%,提升生产效率,提高产品达交率。实施例2一种PCB孤立图形铺铜分流二次蚀刻方法,包括如下步骤:a.优化铺铜菲林;b.图形转移;c.图形电镀;d.图形蚀刻;e.第二次图形转移;f.第二次蚀刻;其中,所述的a步骤包括制作PCB生产稿菲林,制作菲林时围绕孤立图形设置边长0.6mm的铜块矩阵,铜块矩阵之间间距0.3mm,所有图形按补偿1.7mil制作菲林资料;所述的e步骤的参数为:压模:压膜速度2.0±0.5m/min、压膜温度110±5℃;曝光:铺铜开窗单边补偿4mil;设备台面真空-360mmHg,曝光尺7格;显影:显影点控制55±5%。所述的d步骤为碱性蚀刻;所述f步骤为酸性蚀刻,参数为蚀刻压力1.8±0.2Kg/cm2,蚀刻次数1次。实施例3一种PCB孤立图形铺铜分流二次蚀刻方法,包括如下步骤:a.优化铺铜菲林;b.图形转移;c.图形电镀;d.图形蚀刻;e.第二次图形转移;f.第二次蚀刻;其中,所述的a步骤包括制作PCB生产稿菲林,制作菲林时围绕孤立图形设置边长0.3mm的铜块矩阵,铜块矩阵之间间距0.2mm,所有图形按补偿2mil制作菲林资料;所述的e步骤的参数为:压模:压膜速度2.0±0.5m/min、压膜温度110±5℃;曝光:铺铜开窗单边补偿5mil;设备台面真空-370mmHg,曝光尺7格;显影:显影点控制55±5%。所述的d步骤为碱性蚀刻;所述f步骤为酸性蚀刻,参数为蚀刻压力1.8±0.2Kg/cm2,蚀刻次数1次。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种PCB孤立图形铺铜分流二次蚀刻方法,其特征在于,包括如下步骤:a.优化铺铜菲林;b.图形转移;c.图形电镀;d.图形蚀刻;e.第二次图形转移;f.第二次蚀刻;其中,所述的a步骤包括制作PCB生产稿菲林,制作菲林时围绕孤立图形设置边长0.3‑0.6mm的铜块矩阵,铜块矩阵之间间距0.1‑0.3mm,所有图形按补偿1.5‑2mil制作菲林资料;所述的e步骤的参数为:压模:压膜速度2.0±0.5m/min、压膜温度110±5℃;曝光:铺铜开窗单边补偿3‑5mil;设备台面真空‑300至‑370mmHg,曝光尺7格;显影:显影点控制55±5%。

【技术特征摘要】
1.一种PCB孤立图形铺铜分流二次蚀刻方法,其特征在于,包括如下步骤:a.优化铺铜菲林;b.图形转移;c.图形电镀;d.图形蚀刻;e.第二次图形转移;f.第二次蚀刻;其中,所述的a步骤包括制作PCB生产稿菲林,制作菲林时围绕孤立图形设置边长0.3-0.6mm的铜块矩阵,铜块矩阵之间间距0.1-0.3mm,所有图形按补偿1.5-2mil制作菲林资料;所述的e步骤...

【专利技术属性】
技术研发人员:付雷黄勇贺波
申请(专利权)人:奥士康精密电路惠州有限公司
类型:发明
国别省市:广东,44

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