一种单面双T型左手材料制造技术

本发明专利技术公开了一种单面双T型左手材料，包括由介质基板构成的单元结构，介质基板由介电常数为3～3.8、损耗正切值为0.0004的Rogers板材制成，所述介质基板的高度为3～3.7mm，宽度为1.3～2.0mm，厚度为0.5mm；所述介质基板的一侧镀有双T型结构的镀铜，T型结构中的横线长度为1～1.7mm；竖线长度为2～2.8mm，所述单元结构沿三维立体方向分别扩张延伸相互连接形成有双T型结构阵列，所述双T型结构阵列沿X轴的方向设置为理想磁边界条件PHC，沿Z轴方向设置为理想导体边界条件PEC，电磁波沿Y轴方向，从左向右入射至双T型结构内部，设置激励方式为波阻抗激励。该左手材料具有宽频带、低损耗、小单元、结构简单、易于制作等特点。

【技术实现步骤摘要】
一种单面双T型左手材料
本专利技术涉及超材料领域，具体涉及一种单面双T型左手材料。
技术介绍
Veselago在1968年提出了左手材料的概念，并指出其介电常数和磁导率在一定电磁波频段内同时为负，且具有诸如负折射现象、完美透镜效应、逆Doppler效应等很多奇异的电磁特性。正是由于这些特殊的电磁特性，才使得左手材料在光学成像、天线系统、微波器件以及电磁隐身等领域具有广泛且重要的应用。然而这一理论直到三十年后才由Smith通过金属导线和开口谐振环结合体的形式首次实现。自此以后，左手材料的研究走上了飞速发展得快车道。在近十几年的时间里，左手材料得到了长足的发展，各种不同设计类型不断地被提出。大体上，这些结构可根据电磁波的入射方向分为两种类型：一种是电磁波平行入射介质基板形式，如“巨”字形结构、欧米伽结构等；另一种是电磁波平行入射介质基板形式，如工字型、网格形结构等。但是垂直入射结构相对于平行入射有着明显的缺点，例如容易导致屏蔽效应(screeningeffects)，吸收损耗(absorptionloss)较大等。而这些缺点都是实用环境所尽量避免的.在平行入射结构中，又可按结构类型分为单面和双面两种。双面结构由于要在介质基板的两侧都进行结构蚀刻，增加了制作的难度，同时损耗也普遍偏大，也不是实用结构的首选。所以，现阶段单面平行入射的左手材料结构是研究的主要方向。目前已经出现了多种单面结构，如Nasrin的十字金属线对结构的左手材料，陈春晖的磁谐振器与共面短金属导线相结合的左手材料等。而这些结构普遍存在着结构复杂、带宽窄、损耗大以及体积大等一系列问题，严重限制了左手材料的应用和发展。因此制作出宽频带、低损耗、小单元的新型单面左手材料势在必行。
技术实现思路
本专利技术的目的是为了克服现有技术中的不足，提供一种具有宽频带、低损耗、小单元、结构简单、易于制作的新型单面双T型左手材料。本专利技术的目的是通过以下技术方案实现的：一种单面双T型左手材料，包括由介质基板构成的单元结构，介质基板由介电常数为3～3.8、损耗正切值为0.0004的Rogers板材制成，所述介质基板的高度为3～3.7mm，宽度为1.3～2.0mm，厚度为0.5mm；所述介质基板的一侧镀有双T型结构的镀铜，T型结构中的横线长度为1～1.7mm；竖线长度为2～2.8mm，所述单元结构沿三维立体方向分别扩张延伸相互连接形成有双T型结构阵列，所述双T型结构阵列沿X轴的方向设置为理想磁边界条件PHC，沿Z轴方向设置为理想导体边界条件PEC，电磁波沿Y轴方向，从左向右入射至双T型结构内部，设置激励方式为波阻抗激励。进一步的，单元结构之间通过介电常数近似于空气的材料相互连接。所述镀铜的宽度为0.10～0.15mm，厚度为0.035mm。与现有技术相比，本专利技术的技术方案所带来的有益效果是：通过仿真分析得到本专利技术左手材料在9.99GHz～17.10GHz频段内等效介电常数、等效磁导率、折射率实部同时为负，其绝对带宽款达7.11GHz，相对带宽达到52.49％，单元电尺寸仅为0.07，单元损耗低至0.09dB，体现了本专利技术保护的是一种宽频带、低损耗、小单元的优秀左手材料。附图说明图1为本专利技术左手材料单元结构及尺寸结构示意图。图2为左手材料用于仿真的单元结构图。图3(a)和图3(b)分别为S参数的幅度仿真结果和相位仿真结果。图4(a)、(b)、(c)分别为等效介电常数、磁导率、折射率的电磁参数仿真图。图5为等效电磁参数对比图。具体实施方式下面结合附图对本专利技术作进一步的描述。如图1和图2所示，一种单面双T型左手材料，包括由介质基板构成的单元结构，本实施例中介质基板由常用的RogersRO4350材料做成，相对介电常数为3.48，损耗正切值为0.0004，介质基板长度b＝3.36mm，宽度a＝1.70mm，厚度为0.50mm，介质基板的一侧镀有双T型结构的镀铜，T型镀铜结构中的横线长度l1＝1.40mm，竖线长度l2＝2.42mm，其他几何尺寸参数如下：s＝0.26mm，所有镀铜金属线的宽度为0.12mm，镀铜厚度为0.035mm。本实施例中左手材料的单元结构按照1x4x1向三维坐标轴的三个方向扩张，形成阵列，如图2所示，其仿真结构单元尺寸为0.535mm*6.05mm*3.36mm，单元结构之间通过介电常数近似于空气的材料相互连接，如泡沫、双面海绵；对图2中的仿真单元结构进行边界条件和激励方式的设定：沿X轴的方向设置为理想磁边界条件PHC，前后间距设置为1.524mm，沿Z轴方向设置为理想导体边界条件PEC，上下间距设置为3.36mm，电磁波沿Y轴方向，从左向右入射到双T型结构内部，设置激励方式为波阻抗激励，左右的间距为6.75mm。该立体结构是一维左手结构，在y轴方向上具有左手特性。通过HFSS软件得到的S参数幅度曲线和相位曲线如图3(a)和图3(b)所示，仿真时最低频率设为8.00GHz，最高频率设为18.00GHz，频率间隔为0.01GHz。从图3(a)中可以看出，S11和S21谐振点位于9.89GHz和16.99GHz，回波损耗为-58.95dB.从图3(b)中可以看出，S21的相位在9.98GHz处开始发生突变，标志着双负区域的开始，且在通带内S21的幅度大于-0.36dB，说明平均每个单元结构的传输损耗小于0.09dB。2005年Smith提出了S参数法，它能够通过S参数的相位和幅度，准确、快速的提取出来左手材料的等效电磁参数，现在已经普遍应用在左手材料领域。通过一段MATLAB代码，可以从S参数中提取出等效电磁参数：等效介电常数、等效磁导率、折射率。通过找出三者实部同时为负的频段区域，来确定左手频段的范围。如图4(a)至图5所示，等效介电常数、磁导率、折射率在9.99GHz～17.10GHz内同时为负，其共同频段即为双T型结构的左手频段。表1等效电磁参数随频率变化趋势等效电磁参数频率/GHzε<09.99-17.24μ<09.99-17.10n<09.99-17.11如表1所示，可以看出该左手材料在9.99GHz～17.10GHz频段内等效介电常数、等效磁导率、折射率实部同时为负，其绝对带宽款达7.11GHz，相对带宽达到52.49％，单元电尺寸仅为0.07，单元损耗低至0.09dB，体现了新型单面双T型结构是一种宽频带、低损耗、小单元的优秀左手材料。本专利技术并不限于上文描述的实施方式。以上对具体实施方式的描述旨在描述和说明本专利技术的技术方案，上述的具体实施方式仅仅是示意性的，并不是限制性的。在不脱离本专利技术宗旨和权利要求所保护的范围情况下，本领域的普通技术人员在本专利技术的启示下还可做出很多形式的具体变换，这些均属于本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种单面双T型左手材料，其特征在于，包括由介质基板构成的单元结构，介质基板由介电常数为3～3.8、损耗正切值为0.0004的Rogers板材制成，所述介质基板的高度为3～3.7mm，宽度为1.3～2.0mm，厚度为0.5mm；所述介质基板的一侧镀有双T型结构的镀铜，T型结构中的横线长度为1～1.7mm；竖线长度为2～2.8mm，所述单元结构沿三维立体方向分别扩张延伸相互连接形成有双T型结构阵列，所述双T型结构阵列沿X轴的方向设置为理想磁边界条件PHC，沿Z轴方向设置为理想导体边界条件PEC，电磁波沿Y轴方向，从左向右入射至双T型结构内部，设置激励方式为波阻抗激励。

【技术特征摘要】
1.一种单面双T型左手材料，其特征在于，包括由介质基板构成的单元结构，介质基板由介电常数为3～3.8、损耗正切值为0.0004的Rogers板材制成，所述介质基板的高度为3～3.7mm，宽度为1.3～2.0mm，厚度为0.5mm；所述介质基板的一侧镀有双T型结构的镀铜，T型结构中的横线长度为1～1.7mm；竖线长度为2～2.8mm，所述单元结构沿三维立体方向分别扩张延伸相互连接形成有双T型结构阵列...

【专利技术属性】
技术研发人员：金杰，何政蕊，杨竟松，李钰滢，
申请(专利权)人：天津大学，
类型：发明
国别省市：天津,12