一种器件封装结构制造技术

本实用新型专利技术提供的一种器件封装结构，包括通过快速成型技术形成的金属层、倒装芯片、塑封体；所述倒装芯片安装于所述金属层上，所述塑封体包裹所述倒装芯片和除所述金属层底面之外的部分所述金属层；所述金属层和所述倒装芯片形成连通电路。本实用新型专利技术通过快速成型技术形成的金属层代替了传统技术中电镀技术形成的金属层，避免了产生金属毛刺、加工复杂和环境污染的问题，而且，采用金属层的结构，在最终形成的器件封装结构中去除基板也能实现电气连接，使得器件封装结构能够做得更薄。

【技术实现步骤摘要】
一种器件封装结构
本技术涉及器件封装
，尤其涉及一种器件封装结构。
技术介绍
传统技术中，IC倒装芯片与外部电路的连接是通过金属引线键合(WireBonding)的方式实现。LED(lightemittingdiode)，即发光二极管，作为新型高效固体光源，具有长寿命、节能、绿色环保等显著优点，是人类照明史上继白炽灯、荧光灯之后的又一次飞跃，被认为是第3代的照明新技术，其经济和社会意义巨大。传统LED产品的倒装封装方式是通过在基板上电镀一层金属层，然后将金属层腐蚀出一定的图案，然后将LED倒装芯片倒装在金属层上。然后在倒装芯片表面覆盖符合要求的封装胶体并固化，完成整个LED倒装芯片的倒装封装流程。然而，这种倒装LED器件封装方法，第一个方面是带有基板，造成封装完的结构厚度大，难以符合如今产品做薄的需求；第二个方面是现有的LED器件封装方法通常在基板上电镀金属层，这样的金属层由于是电镀出来的，因此金属层边缘会产生大量毛刺，容易损伤电子元件和降低效率，并且采用电镀方式制备金属层时，在一片基板上生成多片小金属层会造成小金属层之间或小金属层与其他单元有金属连接，后期处理麻烦，批量生产的时候造成工艺复杂；最后，电镀还是对环境有害的工艺，产生大量电镀液，造成环境污染。因此，现有的器件封装结构厚度大、金属层边缘有大量毛刺、金属连接处理麻烦、造成环境污染是本领域技术人员需要解决的技术问题。
技术实现思路
本技术提供了一种器件封装结构，用于解决现有的器件封装结构厚度大、金属层边缘有大量毛刺、金属连接处理麻烦、造成环境污染的技术问题。本技术提供的一种器件封装结构，包括通过快速成型技术形成的金属层、倒装芯片和塑封体；所述倒装芯片安装于所述金属层上，所述塑封体包裹所述倒装芯片和除所述金属层底面之外的部分所述金属层；所述金属层和所述倒装芯片形成连通电路。优选地，所述金属层具体分为若干个独立金属单元，各个独立金属单元之间无任何连接。优选地，所述独立金属单元具体为倒梯形结构。优选地，所述金属层的厚度为0.015mm至2.0mm。优选地，所述金属层的厚度为0.015mm至1.0mm。优选地，所述器件封装结构的厚度为0.15mm至3.0mm。优选地，所述金属层为单层结构。优选地，所述金属层具体为采用可焊性材料制成的单质金属层，使得倒装芯片能焊接在金属层上。优选地，所述金属层具体为金层或者银层。从以上技术方案可以看出，本技术实施例具有以下优点：本技术提供的一种器件封装结构，包括通过快速成型技术形成的金属层、倒装芯片、塑封体；所述倒装芯片安装于所述金属层上，所述塑封体包裹所述倒装芯片和除所述金属层底面之外的部分所述金属层；所述金属层和所述倒装芯片形成连通电路。本技术通过快速成型技术形成的金属层代替了传统技术中电镀技术形成的金属层，避免了产生金属毛刺、加工复杂和环境污染的问题，而且，采用金属层的结构，在最终形成的器件封装结构中去除基板也能实现电气连接，使得器件封装结构能够做得更薄。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。图1为本技术提供的一种器件封装结构的制备方法的一个实施例的示意图；图2为本技术提供的一种器件封装结构的制备方法的另一个实施例的示意图；图3为含有倒梯形结构的一个器件封装结构的示意图；图4为金属层在基板上的俯视图；图5为步骤201对应的示意图；图6为步骤202对应的示意图；图7为步骤203对应的示意图；图8为步骤204对应的示意图；图9为步骤205对应的示意图；图10为本技术提供的一种器件封装结构的一个实施例的示意图；其中，附图标记如下：1、基板；2、金属层；3、倒装芯片；4、倒装芯片的正负极；5、塑封体。具体实施方式本技术提供了一种器件封装结构，用于解决现有的器件封装结构厚度大、金属层边缘有大量毛刺、金属连接处理麻烦、造成环境污染的技术问题。为使得本技术的技术目的、特征、优点能够更加的明显和易懂，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，下面所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而非全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本技术保护的范围。先通过本技术提供的一种器件封装结构的制备方法来说明本技术提供的一种器件封装结构是如何制备出来的。图1为本技术提供的一种器件封装结构的制备方法的一个实施例的示意图；请参阅图1，本技术提供的一种器件封装结构的制备方法的一个实施例，包括：101：通过快速成型技术在基板上设置金属层；该快速成型技术可以是3D打印技术等等，采用这种技术可以代替传统的电镀技术，并且有更好的效果，能够避免电镀技术中产生毛刺的问题。其次，快速成型技术可以在同一个基板上制作成型多个独立的金属单元，形成的金属层可以具备任意的图案。此外，倒装芯片、塑封体等部分不是快速成型的，因而保留了传统技术中的优点，通过快速成型技术和其余工艺的结合，能够将传统的封装工艺改进，既保留了传统技术的优点，又将电镀工艺的缺点去除了，而具备了快速成型技术的优点。102：将倒装芯片安装在金属层上预设的位置使得金属层和倒装芯片形成连通电路；金属层设计成至少两个部分，第一个部分用来连接倒装芯片的正极，第二个部分用来连接倒装芯片的负极，即倒装芯片的正负极分别连接金属层的两个部分，使得倒装芯片和金属层形成连通电路，金属层可以外接电源。103：通过封装工艺形成塑封体将除金属层底面之外的部分金属层和倒装芯片包裹；封装工艺是器件封装中比较成熟的技术，此处不再详细描述。104：通过物理剥离方式将基板剥离；此处并不采用腐蚀的方法进行剥离，是因为化学腐蚀的方法容易把金属层腐蚀掉，而且产生污染，可能会有基板残留；而物理剥离的时候，由于塑封体包裹着金属层和倒装芯片，且能够紧密包紧除了贴合基板的表面之外的其余部分，因此基板能够安全去掉。本技术通过快速成型技术代替了传统技术中的电镀技术，避免了产生金属毛刺、加工复杂和环境污染的问题，而且，采用金属层的结构，能够在最终形成的器件封装结构中去除基板也能实现电气连接，使得器件封装结构能够做得更薄。以上是对本技术提供的一种器件封装结构的制备方法的一个实施例进行详细的描述，以下将对本技术提供的一种器件封装结构的制备方法的另一个实施例进行详细的描述。图2为本技术提供的一种器件封装结构的制备方法的另一个实施例的示意图；请参阅图2，本技术提供的一种器件封装结构的制备方法的另一个实施例，包括：201：通过3D打印技术在基板上设置分为若干个倒梯形独立金属单元的金属层；图3为含有倒梯形结构的一个器件封装结构，其中基板没有画出，金属层2分为左右两边各一个独立金属单元，该独立金属单元都是倒梯形结构，左边的独立金属单元上倒装有倒装芯片3，倒装芯片3通过倒装芯片正负极4连接金属层2的独立金属单元，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种器件封装结构，其特征在于，包括通过3D打印技术形成的金属层、倒装芯片和塑封体；所述倒装芯片安装于所述金属层上，所述塑封体包裹所述倒装芯片和除所述金属层底面之外的部分所述金属层；所述金属层和所述倒装芯片形成连通电路。

【技术特征摘要】
1.一种器件封装结构，其特征在于，包括通过3D打印技术形成的金属层、倒装芯片和塑封体；所述倒装芯片安装于所述金属层上，所述塑封体包裹所述倒装芯片和除所述金属层底面之外的部分所述金属层；所述金属层和所述倒装芯片形成连通电路。2.根据权利要求1所述的一种器件封装结构，其特征在于，所述金属层具体分为若干个独立金属单元，各个独立金属单元之间无任何连接。3.根据权利要求2所述的一种器件封装结构，其特征在于，所述独立金属单元具体为倒梯形结构。4.根据权利要求1所述的一种器件封装结构，其特征在于，所述金属层的厚度为0.015...

【专利技术属性】
技术研发人员：李友民，李军政，朱明军，刘群明，陆紫珊，
申请(专利权)人：佛山市国星光电股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44