一种硅片制造技术

本实用新型专利技术实施方式涉及硅片技术领域，特别是涉及一种硅片，包括：硅片本体；支撑骨架，该支撑骨架设置于硅片本体的背面。通过上述方式，本实用新型专利技术实施方式能够在该硅片本体的背面设有加强骨架，加强骨架用以支撑该硅片，以确保硅片厚度在很薄的情况下，依旧保持较大的强度，不易发生翘曲变形。

A silicon chip

The application of the utility model relates to the technical field of silicon chip, in particular to a silicon chip, which comprises a silicon wafer body, a support skeleton, which is set on the back of the silicon wafer body. Through the above method, the utility mode can be provided with a strengthening skeleton on the back of the silicon wafer body, and the skeleton is strengthened to support the silicon chip, so as to ensure that the thickness of the silicon wafer is very thin in the case of thin thickness, and the warpage is not easy to occur.

【技术实现步骤摘要】
一种硅片
本技术实施方式涉及硅片
，特别是涉及一种硅片。
技术介绍
目前，功率器件内部芯片的发展十分迅速，在集成度、速度、可靠性不断提高的同时，内部芯片正向轻薄短小的方向发展。其中，功率器件内部芯片的基础材料主要为硅片，为了增大芯片产量，降低单元制造的成本，因此要求芯片的基础材料硅片直径更大，厚度更薄更好。硅片制造工艺中十分重要的一步是硅片背面减薄，该步骤的目的是去除硅片背面的多余材料，以实现直径更大，厚度更薄的硅片，基于减薄后硅片的芯片的机械性能与电气性能将得到显著提高。但是专利技术人在实现本技术的过程中，发现现有技术存在以下技术问题：在现有技术中，当硅片厚度减薄到一定厚度时，就会出现硅片翘曲以及硅片强度降低的现象，导致在减薄的过程中，硅片更加容易变形、破碎，从而大大增加硅片的碎片率。因此，能提供一种厚度薄、强度大和不易翘曲的硅片是尤为重要的。
技术实现思路
本技术实施方式主要解决的技术问题是提供一种硅片，该硅片的背面设有加强骨架，以确保硅片厚度在很薄的情况下，依旧保持较大的强度，不易发生翘曲变形。为解决上述技术问题，本技术实施方式采用的一个技术方案是：提供一种硅片，包括：硅片本体；支撑骨架，所述支撑骨架设置于所述硅片本体的背面。可选的，所述支撑骨架的数量至少为一个，所述支撑骨架呈长条形。可选的，且所述支撑骨架的横截面为梯形、矩形、三角形或者半圆。可选的，所述支撑骨架的数量为2，且所述支撑骨架交叉并相互垂直。可选的，所述硅片本体呈圆形，所述支撑骨架的交点与所述硅片本体的圆心重叠，所述支撑骨架的两端均位于所述硅片本体的边缘上。可选的，所述支撑骨架的数量为3，且3个所述支撑骨架依次连接组成一三角形，所述三角形的各个顶点位于所述硅片本体的边缘上。可选的，所述支撑骨架的数量为4，且4个所述支撑骨架依次连接组成矩形，所述矩形的各个顶点位于所述硅片本体的边缘上。可选的，所述支撑骨架的数量为4，所述支撑骨架包括第一支撑骨架、第二支撑骨架、第三支撑骨架和第四支撑骨架，其中，所述第一支撑骨架与第二支撑骨架平行，所述第三支撑骨架和第四支撑骨架平行，所述第一支撑骨架分别与所述第三支撑骨架和第四支撑骨架交叉且垂直，所述第二支撑骨架也分别与所述第三支撑骨架和第四支撑骨架交叉且垂直，所述第一支撑骨架、第二支撑骨架、第三支撑骨架和第四支撑骨架的两端均分别位于所述硅片本体的边缘上。可选的，所述支撑骨架的厚度为220um,所述支撑骨架的宽度为3mm。可选的，所述硅片本体的厚度为80um。本技术实施方式的有益效果是：区别于现有技术的情况，本技术实施方式的一种硅片，该硅片包括硅片本体和支撑骨架，硅片本体的背面设有加强骨架，加强骨架用以支撑该硅片本体，以确保硅片厚度在很薄的情况下，依旧保持较大的强度，不易发生翘曲变形。附图说明一个或多个实施方式通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明，这些示例性说明并不构成对实施方式的限定，附图中具有相同参考数字标号的元件表示为类似的元件，除非有特别申明，附图中的图不构成比例限制。图1是本技术硅片实施方式的中实施例一的结构示意图；图2是本技术硅片实施方式的中实施例二的结构示意图；图3是本技术硅片实施方式的中实施例三的结构示意图；图4是本技术硅片实施方式的中实施例四的结构示意图。具体实施方式为了便于理解本技术，下面结合附图和具体实施方式，对本技术进行更详细的说明。需要说明的是，当元件被表述“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上、或者其间可以存在一个或多个居中的元件。当一个元件被表述“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件、或者其间可以存在一个或多个居中的元件。本说明书所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。除非另有定义，本说明书所使用的所有的技术和科学术语与属于本技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本说明书中在本技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是用于限制本技术。本说明书所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。请参阅图1，本技术实施方式采用的一个技术方案是：提供一种硅片10，包括：硅片本体101和支撑骨架102；其中，支撑骨架102设置于硅片本体101的背面，用以支撑该硅片本体101，从而减小硅片10的翘曲度。可选的，支撑骨架102的厚度为220um,支撑骨架102的宽度为3mm，支撑骨架的尺寸在这些数值时具有较为良好的支撑作用；可选的，硅片本体101的厚度为80um。由于在现有技术中，硅片用作半导体功率器件的基础材料，为了增大半导体功率器件的产量，降低半导体功率器件的制造成本，因此要求基础材料硅片的直径更大，厚度更薄，但是在实际生产和使用过程中，往往会因为硅片太薄，导致硅片发生变形和破碎等情况。而在本技术实施方式中，由于在对硅片10进行加工时，在硅片本体101的背面加工出支撑骨架102的结构，支撑骨架102用以支撑该硅片本体101，减小了硅片10的翘曲度，从而避免在实际生产和使用过程中，硅片10发生变形和破碎等情况，减少废料或废品的产出，提高了成品率。进一步可选的，支撑骨架102的数量至少为一个，支撑骨架102呈长条形，且支撑骨架102的横截面为矩形。当然在其他一些实施方式中，支撑骨架102的形状也可以是其他形式的，例如，支撑骨架102的形状为锯齿线或者波浪线等；支撑骨架102的横截面也可以是其他形式的，例如，支撑骨架102的横截面为梯形等；可选的，支撑骨架102的数量至少为一个，支撑骨架102呈长条形，且支撑骨架102的横截面为梯形。实施例一具体请参阅图1，支撑骨架102的数量为2，2个支撑骨架102均呈长条形，且两条支撑骨架102交叉并相互垂直，形成“十”字形，进一步的，硅片本体101呈圆形，支撑骨架102的交点与硅片本体101的圆心重叠，支撑骨架102的长度等于硅片本体101的直径，两条支撑骨架102的两端均位于硅片本体101的边缘上，即这2条支撑骨架102的两端与硅片本体101的边缘重叠且接触，从而为硅片本体101的边缘起支撑作用，减小硅片本体101边缘的翘曲度。当然，需要说明的是：在其他一些实施例中，两条支撑骨架102交叉后，两条支撑骨架102之间的角度也可为锐角或钝角，支撑骨架102的交点也可以不与硅片本体101的圆心重叠，两条支撑骨架102的两端也可不均位于硅片本体101的边缘上，支撑骨架102也可以为其他形状，例如支撑骨架102的形状为锯齿线或者波浪线等。在实施例一中，两条支撑骨架102形成“十”字形，并且它们交叉的交点与硅片本体101的圆心重叠，使支撑骨架102对硅片本体101起到更加均匀的支撑作用，此外，支撑骨架102的端点边缘重叠且接触，从而为硅片本体101的边缘起支撑作用，减小硅片本体101边缘的翘曲度，从而进一步减小了硅片10的翘曲度。实施例二具体请参阅图2，支撑骨架102的数量为3，3个支撑骨架102均呈长条形，且3条支撑骨架102首尾相连，依次连接组成一三角形，三角形的各个顶点位于硅片本体101的边缘上，即这3条支撑骨架102的两端与硅片本体101的边缘重叠且接触，进本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硅片，其特征在于，包括：硅片本体；支撑骨架，所述支撑骨架设置于所述硅片本体的背面；所述支撑骨架的数量至少为一个，所述支撑骨架呈长条形。

【技术特征摘要】
1.一种硅片，其特征在于，包括：硅片本体；支撑骨架，所述支撑骨架设置于所述硅片本体的背面；所述支撑骨架的数量至少为一个，所述支撑骨架呈长条形。2.根据权利要求1所述的硅片，其特征在于，所述支撑骨架的横截面为梯形、矩形、三角形或半圆。3.根据权利要求1-2任一项所述的硅片，其特征在于，所述支撑骨架的数量为2，且所述支撑骨架交叉并相互垂直。4.根据权利要求3所述的硅片，其特征在于，所述硅片本体呈圆形，所述支撑骨架的交点与所述硅片本体的圆心重叠，所述支撑骨架的两端均位于所述硅片本体的边缘上。5.根据权利要求1-2任一项所述的硅片，其特征在于，所述支撑骨架的数量为3，且3个所述支撑骨架依次连接组成一三角形，所述三角形的各个顶点位于所述硅片本体的边缘上。6.根据权利要求1-2任一项所述的硅片，其特征在于，所述支撑骨...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹俊，曾丹，
申请(专利权)人：珠海格力电器股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44