The embodiment of the invention discloses a source follower which can effectively suppress the two harmonic distortion. It includes a direct current tracking circuit; the first transistor, including the control end, coupled to the first end of the output node of the source follower, and the second end of the DC tracking circuit, and the second transistors, including the control end, coupled to the first end of the ground, and coupled to the output node of the source follower. The second end of the point; in which the DC tracking circuit is used to provide a second voltage at the second end of the first transistor, and the level of the second voltage is determined according to the first voltage at the output node.
【技术实现步骤摘要】
源极跟随器
本专利技术涉及电子电路,尤其涉及一种用于抑制二次谐波失真的源极跟随器(sourcefollower)。
技术介绍
传统上,单输入端源极跟随器对PVT(Process,Voltage,andTemperature,工艺,电压和温度)变化非常敏感,这是由与源极跟随器相关的二次谐波失真所导致的。当输入晶体管的漏源电压(drain-to-sourcevoltage)以及电流源的变化不对称于输出共模电压时,二次谐波失真变得严重。严重的二次谐波失真可能会降低源极跟随器的线性度,从而不利地影响其性能。相应地,有必要提出一种创新的解决方案来解决先前技术的问题。
技术实现思路
有鉴于此,本专利技术实施例提供了一种源极跟随器,能够有效地抑制二次谐波失真。本专利技术实施例提供了一种源极跟随器,包括:直流追踪电路;第一晶体管,包括:控制端,耦接至该源极跟随器的输出节点的第一端,以及耦接至该直流追踪电路的第二端;以及第二晶体管,包括:控制端,耦接至地的第一端,以及耦接至该源极跟随器的输出节点的第二端;其中,该DC追踪电路用于在该第一晶体管的第二端处提供第二电压,并且该第二电压的电平是根据该输出点处的第一电压确定的。其中,该第二电压等于该第一电压的两倍。其中,该直流追踪电路包括:开环运算放大器,闭环运算放大器,或者线性调节器。其中,该源极跟随器的输入节点耦接至该第一晶体管的控制端以及偏置电压耦接至该第二晶体管的控制端,或者,该源极跟随器的输入节点耦接至该第二晶体管的控制端,以及偏置电压耦接至该第一晶体管的该控制端。其中,该第一晶体管与该第二晶体管均为NMOS晶体管,并且该源极 ...
【技术保护点】
1.一种源极跟随器,其特征在于,包括:直流追踪电路;第一晶体管,包括:控制端,耦接至该源极跟随器的输出节点的第一端,以及耦接至该直流追踪电路的第二端;以及第二晶体管,包括:控制端,耦接至地的第一端,以及耦接至该源极跟随器的输出节点的第二端;其中,该DC追踪电路用于在该第一晶体管的第二端处提供第二电压,并且该第二电压的电平是根据该输出节点处的第一电压确定的。
【技术特征摘要】
2016.12.08 US 62/431,459;2017.11.13 US 15/810,9421.一种源极跟随器,其特征在于,包括:直流追踪电路;第一晶体管,包括:控制端,耦接至该源极跟随器的输出节点的第一端,以及耦接至该直流追踪电路的第二端;以及第二晶体管,包括:控制端,耦接至地的第一端,以及耦接至该源极跟随器的输出节点的第二端;其中,该DC追踪电路用于在该第一晶体管的第二端处提供第二电压,并且该第二电压的电平是根据该输出节点处的第一电压确定的。2.如权利要求1所述的源极跟随器,其特征在于,该第二电压等于该第一电压的两倍。3.如权利要求1所述的源极跟随器,其特征在于,该直流追踪电路包括:开环运算放大器,闭环运算放大器,或者线性调节器。4.如权利要求1所述的源极跟随器,其特征在于,该源极跟随器的输入节点耦接至该第一晶体管的控制端以及一偏置电压耦接至该第二晶体管的控制端,或者,该源极跟随器的输入节点耦接至该第二晶体管的控制端以及一偏置电压耦接至该第一晶体管的控制端。5.如权利要求1所述的源极跟随器,其特征在于,该第一晶体管与该第二晶体管均为NMOS晶体管,并且该源极跟随器的输入节点耦接至该第一晶体管的控制端以及一偏置电压耦接至该第二晶体管的控制端;或者,该第一晶体管与该第二晶体管均为PMOS,并且该源极跟随器的输入节点耦接至该第二晶体管的控制端以及一偏置电压耦接至该第一晶体管的控制端。6.如权利要求1所述的源极跟随器,其特征在于,该直流追踪电路包括:第一运算放大器,包括:用于接收第一参考电压的第一输入端,耦接至第三节点的第二端,以及输出端;第四晶体管,包括:耦接至该第一运算放大器的输出端的控制端,耦接至该第一晶体管的第一端,以及耦接至电源电压的第二端;第二运算放大器,包括:用来接收该第一参考电压的第一输入端,用来接收第二参考电压的第二输入端,以及耦接至该源极跟...
【专利技术属性】
技术研发人员:郭哲勲,
申请(专利权)人:联发科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾,71
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。