一种超宽带陷波天线制造技术

本发明专利技术公开一种超宽带陷波天线，包括介质基板(1)、贴覆于介质基板(1)上表面的上金属镀层(2)和贴覆于介质基板(1)下表面的下金属镀层(3)，所述下金属镀层(3)和上金属镀层(2)由穿过介质基板(1)的多个金属化通孔(4)相连，金属镀层(2)上有含上变容二极管(8)、下变容二极管(9)的第一开口谐振环(6)和第二开口谐振环(7)，以及上变容二极管(8)和下变容二极管(9)的偏置电路，偏置电路由电压源(11)，电阻(10)和连接金属镀层(3)的金属化过孔(42)构成。本发明专利技术的超宽带陷波天线，不但多通带，而且通带位置可调。 1

An ultra wideband notch antenna

The invention discloses an ultra wideband trap antenna, which includes a medium substrate (1), an upper metal coating (2) attached to the upper surface of a medium substrate (1) and a lower metal coating (3) attached to the surface of the medium substrate (1). The lower metal coating (3) and the upper metal coating (2) are connected by a plurality of metallized through holes (4) passing through the medium substrate (1) and metal plating. The layer (2) consists of a first opening resonant ring (6) and a second opening resonant ring (7) with an upper varactor (8), a lower varactor (9), and a bias circuit of the upper varactor (8) and the lower varactor (9). The bias circuit is composed of a voltage source (11), a resistor (10), and a metallized coating (42) connected to the metal coating (3). The ultra wideband notch antenna of the invention not only has multi passband, but also has adjustable passband position. One

【技术实现步骤摘要】
一种超宽带陷波天线
本专利技术属于毫米波天线
，特别是一种多通带、带宽可调的超宽带陷波天线。
技术介绍
超宽带技术具有低发射功率、超宽信号传输带宽、高数据传输速率等优势，但是超宽带系统工作频带极宽，也容易与其他窄带系统在频谱重叠。为了降低不同系统通信的干扰，具有频带隔离的陷波超宽带天线受到重视和研究。陷波天线的实现方式有引入寄生单元、分形结构、开槽等。目前存在的超宽带天线大多是单通带的，有的超宽带天线引入陷波形成多通带，但是通带频率固定，不可调节。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种超宽带陷波天线，多通带且带宽可调。实现本专利技术目的的技术解决方案为：一种超宽带陷波可调天线，包括介质基板1、贴覆于介质基板1上表面的上金属镀层2和贴覆于介质基板1下表面的下金属镀层3，所述下金属镀层3和上金属镀层2由穿过介质基板1的多个金属化通孔4相连，金属镀层2上有含上变容二极管8、下变容二极管9的第一开口谐振环6和第二开口谐振环7，以及上变容二极管8和下变容二极管9的偏置电路，偏置电路由电压源11，电阻10和接金属镀层3的金属化过孔42构成。本专利技术与现有技术相比，其显著优点为：1、天线有多个通带：本专利技术利用两个带变容二极管的开口谐振环调谐枝节，引入两个陷波，使得超宽带天线形成多个通带；2、天线通带的带宽位置可调：变容二极管随着反向电压的变化而改变自身的电容，从而调节了谐振阻带的位置，实现了天线通带位置的可调节。下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步的详细描述。附图说明图1是本专利技术超宽带陷波天线的立体结构示意图。图2是图1中上表面的结构示意图。图3是图1中下表面的结构示意图。图4是实施例中调节第一、二上变容二极管时的仿真反射系数。图5是实施例中调节第三、四下变容二极管时的仿真反射系数。图中，1介质基板，2上金属镀层，3下金属镀层，4金属化通孔，5输入端口，6第一开口谐振环，7第二开口谐振环，8上变容二极管，9下变容二极管，10电阻，11电压；21上面板，22缝隙，2350Ω微带线，24平行馈线，25八木偶极子单元，26第一引向器，27第二引向器，28引向器缝隙；31地面板，32底面馈电平行馈线，33底面交叉八木偶极子单元；61第一开口缝隙，71第二开口缝隙；81第一上变容二极管，82第二上变容二极管，83第三上变容二极管，84第四上变容二极管；91第一下变容二极管，92第二下变容二极管，93第三下变容二极管，94第四下变容二极管；10-1第一电阻，10-2第二电阻，10-3第三电阻，10-4第四电阻，10-5第五电阻，10-6第六电阻，10-7第七电阻，10-8第八电阻，10-9第九电阻，10-10第十电阻，10-11第十一电阻，10-12第十二电阻；11-1第一电压，11-2第二电压，11-3第三电压，11-4第四电压。具体实施方式如图1所示，本专利技术超宽带陷波天线，包括介质基板1、贴覆于介质基板1上表面的上金属镀层2和贴覆于介质基板1下表面的下金属镀层3，所述下金属镀层3和上金属镀层2由穿过介质基板1的多个金属化通孔4相连。如图2所示，所述上金属镀层2包括位于中部的矩形上面板21，所述上面板21左部自上而下设有三个水平向的缝隙22，上面板21右部与竖向均匀排列的金属化通孔4相连，其左侧下端与一50Ω微带线23相连，所述50Ω微带线23的下端为天线的输入端口5；所述上面板21左侧上端通过竖直的平行馈线24与一水平八木偶极子单元25的右端相连；在八木偶极子单元25的上方设有与之平行的第二引向器27，在所述第二引向器27与八木偶极子单元25之间设有第一引向器26，所述第一引向器26与第二引向器27平行，所述第一引向器26中部设有引向器缝隙28；作为改进，所述平行馈线24与八木偶极子单元25相接处外缘切角；所述平行馈线24左侧有第一开口谐振环6，右侧有第二开口谐振环7；所述第一开口谐振环6是由微带线围成的矩形结构，第一开口谐振环6左边竖直的微带线中心位置为第一开口缝隙61，上侧沿中心位置呈对称分布第一上变容二极管81、第二上变容二极管82，下侧沿中心位置呈对称分布第一下变容二极管91、第二下变容二极管92；所述第一上变容二极管81、第二上变容二极管82中间通过第一电阻10-1接入第一电压11-1，第一上变容二极管81左侧通过第二电阻10-2接入过孔42，第二上变容二极管82右侧通过第三电阻10-3接入过孔42；所述第一下变容二极管91、第二下变容二极管92中间通过第四电阻10-4接入第二电压11-2，第一下变容二极管91左侧通过第五电阻10-5接入过孔42，第二下变容二极管92右侧通过第六电阻10-6接入过孔42；所述第二开口谐振环7是由微带线围成的矩形结构，第二开口谐振环7右边竖直的微带线中心位置为第二开口缝隙71，上侧沿中心位置呈对称分布第三上变容二极管83、第四上变容二极管84，下侧沿中心位置呈对称分布第三下变容二极管93、第四下变容二极管94；所述第三上变容二极管83、第四上变容二极管84中间通过第七电阻10-7接入第三电压11-3，第三上变容二极管83左侧通过第八电阻10-8接入过孔42，第四上变容二极管84右侧通过第九电阻10-9接入过孔42；所述第三下变容二极管93、第四下变容二极管94中间通过第十电阻10-10接入第四电压11-4，第三下变容二极管93左侧通过第十一电阻10-11接入过孔42，第四下变容二极管94右侧通过第十二电阻10-12接入过孔42。如图3所示，所述下金属镀层3包括下部和两侧与介质基板1平齐的矩形地面板31，所述地面板31的右部与竖向均匀排列的金属化通孔41相连；所述地面板31上端中部竖直的底面馈电平行馈线32与一水平底面交叉八木偶极子单元33的左端相连；所述底面馈电平行馈线32与上面板21上的平行馈线24在介质基板1下表面上的投影重叠；所述底面交叉八木偶极子单元33与上面板21上的八木偶极子单元25在介质基板1下表面上的投影位于同一水平线上，且分别位于底面馈电平行馈线32的左右两侧。作为改进，所述底面馈电平行馈线32与底面交叉八木偶极子单元33相接处外缘切角。矩形上面板21、地面板31、介质基板1和穿过介质基板1连接矩形上面板21与地面板31的金属化通孔41共同构成了一个半模基片集成波导。地面板31则相当于反射器。两开口谐振环具有一定的阻带特性，引入变容二极管，通过改变电压而改变电容，从而等效于改变谐振线的长度，进而改变阻带的位置，从而实现天线有多个通带，且带宽位置可调。本实施例介质基板采用厚度为h＝0.787mm，相对介电常数为εr＝2.2的Rogers5880的介质板，天线尺寸取55mm*18mm，介质基板损耗角正切为tanθ＝0.001。上面板21上的缝隙22的宽为0.8mm，长为2mm，缝隙间隔距离为5.8mm，一个缝隙位置距介质基板1上表面下边沿是3.5mm，金属化过孔直径为0.4mm，排列周期是0.8mm。平行馈线24比底面馈电平行馈线32长8mm，宽度均为1.5mm。八木偶极子单元25的长为6.5mm，宽为2.0mm。第一个引向器长度为9.0mm，第二个引向器的长度为6.0mm，第一个引向器上引入的缝隙的长度为0.5mm。八木偶极子单元25与第一个引向器之间本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种超宽带陷波天线，其特征在于：

【技术特征摘要】
1.一种超宽带陷波天线，其特征在于：包括介质基板(1)，贴覆于介质基板(1)上表面的上金属镀层(2)和贴覆于介质基板(1)下表面的下金属镀层(3)，所述下金属镀层(3)和上金属镀层(2)由穿过介质基板(1)的多个金属化通孔(4)相连。2.根据权利要求1所述的天线，其特征在于：所述上金属镀层(2)包括位于中部的矩形上面板(21)，所述上面板(21)左部自上而下设有三个水平向的缝隙(22)，上面板(21)右部与竖向均匀排列的金属化通孔(41)相连，其左侧下端与一50Ω微带线(23)上端相连，所述50Ω微带线(23)的下端为天线的输入端口(5)；所述上面板(21)左侧上端通过竖直的平行馈线(24)与一水平八木偶极子单元(25)的右端相连；所述八木偶极子单元(25)的上方设有与之平行的第二引向器(27)，在所述第二引向器(27)与八木偶极子单元(25)之间设有第一引向器(26)，所述第一引向器(26)与第二引向器(27)平行，所述第一引向器(26)中部设有引向器缝隙(28)；所述平行馈线(24)左侧有第一开口谐振环(6)，右侧有第二开口谐振环(7)。3.根据权利要求2所述的天线，其特征在于：所述第一开口谐振环(6)为由微带线围成的矩形结构，第一开口谐振环(6)左边竖直的微带线中心位置为第一开口缝隙(61)，上侧沿中心位置呈对称分布第一上变容二极管(81)、第二上变容二极管(82)，下侧沿中心位置呈对称分布第一下变容二极管(91)、第二下变容二极管(92)；所述第一上变容二极管(81)、第二上变容二极管(82)中间通过第一电阻(10-1)接入第一电压(11-1)，第一上变容二极管(81)左侧通过第二电阻(10-2)接入过孔(42)，第二上变容二极管(82)右侧通过第三电阻(10-3)接入过孔(42)；所述第一下变容二极管(91)、第二下变容二极管(92)中间通过第四电阻(10-4)接入第二电压(11-2)，第一下变容二极管(91)左侧通过第五电...

【专利技术属性】
技术研发人员：周春霞，赵艳飞，李好，严志琴，
申请(专利权)人：南京理工大学，
类型：发明
国别省市：江苏,32