The present invention provides a semiconductor device and a semiconductor package including the semiconductor device, which includes a capacitor that is capable of ensuring capacity and exhibiting improved reliability. The semiconductor device includes a substrate, a unit block, a plurality of capacitors, a first electrode in a block of the substrate and a supporting pattern, contact the side wall of the first electrode of the plurality of capacitors and support the plurality of capacitors, in which the support pattern includes the upper support diagram, the upper support pattern including the first one. A pattern, with a plate shaped structure connected to a block in a block, and a second upper pattern, contact the bottom surface of the first pattern and have a top surface that is smaller than the bottom surface of the first pattern, and the upper support pattern is exposed to the side wall of the upper end of the first electrode. One
【技术实现步骤摘要】
半导体器件和包括该半导体器件的半导体封装
专利技术构思涉及半导体器件,更具体地,涉及包括电容器的半导体器件。
技术介绍
随着电子产业的显著发展和用户需求,电子器件具有更小的尺寸和更大的电容。具体地,为了使包括电容器的半导体器件具有高的集成度和大的电容,期望增大电容器的电容。
技术实现思路
专利技术构思提供包括能够增大电容并表现出改善的可靠性的电容器的半导体器件。在专利技术构思的一示例实施方式中,提供一种半导体器件,该半导体器件包括:基板,具有单元块;多个电容器,在单元块中,所述多个电容器在第一方向上延伸并具有第一电极,第一电极具有远离基板的表面的上端,第一电极具有侧壁;以及支撑图案,接触所述多个电容器的第一电极的侧壁并配置为支撑所述多个电容器。支撑图案包括上支撑图案,上支撑图案包括第一上图案和第二上图案,第一上图案具有顶表面和底表面,该顶表面和底表面具有在垂直于第一方向的第二方向上延伸并在垂直于第二方向的第三方向上延伸并且在单元块中连续地连接的板状结构,第二上图案接触第一上图案的底表面并具有顶表面,该顶表面具有比第一上图案的底表面的表面面积小的表面面积,上支撑图案接触第一电极的上端的侧壁。在专利技术构思的一示例实施方式中,提供一种半导体器件,该半导体器件包括:基板,具有通过周边区彼此分离的多个子单元块;多个电容器,在基板的子单元块中,该多个电容器每个包括圆柱形的第一电极、第二电极、在第二电极和第一电极之间的电介质膜,第二电极面对第一电极,第一电极包括远离基板的表面的上端;以及支撑图案,接触相应的所述多个子单元块中的电容器的第一电极的上端的外侧壁并支撑该多个电容 ...
【技术保护点】
1.一种半导体器件,包括:
【技术特征摘要】
2016.12.07 KR 10-2016-01662091.一种半导体器件,包括:具有单元块的基板;在所述单元块中的多个电容器,所述多个电容器在第一方向上延伸并具有第一电极,所述第一电极具有远离所述基板的表面的上端,所述第一电极具有侧壁;以及支撑图案,接触所述多个电容器的所述第一电极的侧壁并配置为支撑所述多个电容器,所述支撑图案包括上支撑图案,所述上支撑图案包括:第一上图案,具有顶表面和底表面,所述顶表面和所述底表面平行于所述基板的所述表面,所述顶表面和所述底表面具有在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸并在垂直于所述第一方向的第三方向上延伸并且在所述单元块中连续地连接的板状结构,以及第二上图案,接触所述第一上图案的所述底表面并具有顶表面,该顶表面具有比所述第一上图案的底表面的表面面积小的表面面积,所述上支撑图案接触所述第一电极的上端的侧壁。2.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,当从所述第一方向看时,所述第二上图案与所述第一上图案的所述底表面的边缘分隔开并且所述第二上图案接触所述第一上图案的所述底表面的内部部分。3.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述第二上图案包括上外部图案,该上外部图案接触所述电容器的当从所述第一方向看时邻近所述第一上图案的所述底表面的角落并邻近所述第一上图案的所述底表面的边缘的至少一部分的所述第一电极,所述边缘连接到所述角落。4.根据权利要求3所述的半导体器件,其中,当从所述第一方向看时,所述上外部图案具有环形状,该环形状邻近所述第一上图案的所述底表面的所述边缘并连续地延伸。5.根据权利要求3所述的半导体器件,其中所述上外部图案包括至少两个上外部图案,当从所述第一方向看时所述至少两个上外部图案邻近所述第一上图案的所述底表面的不同角落,并彼此分隔开。6.根据权利要求3所述的半导体器件,其中所述第二上图案还包括上内部图案,当从所述第一方向看时,该上内部图案与所述上外部图案分隔开并具有岛形状。7.根据权利要求6所述的半导体器件,其中所述第一上图案包括多个上开口,并且所述第二上图案接触所述第一上图案的所述底表面的与所述上开口分隔开的部分。8.根据权利要求6所述的半导体器件,其中所述上外部图案的厚度基本上等于所述上内部图案的厚度。9.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述上支撑图案还包括第三上图案,该第三上图案配置为接触所述第二上图案的底表面,并且当从所述第一方向看时,该第三上图案具有比所述第二上图案的所述底表面大的表面面积的顶表面。10.根据权利要求9所述的半导体器件,其中当从所述第一方向看时,所述第三上图案具有与所述第一上图案相同的平面形状。11.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述支撑图案还包括下支撑图案,该下支撑图案接触所述多个电容器的所述第一电极的所述上端下面的侧壁并具有与所述第一上图案相同的平面形状。12.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述多个电容器包括在所述单元块的内部区域中的多个功能电容器以及在所述单元块的外部区域中并围绕所述多个功能电容器的多个虚设电容器,所述第一上图案同时支撑所述多个功能电容器中的至少一些以及所述多个虚设电容器中的至少一些,以及所述第二上图案支撑所述多...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘希昱,李垣哲,
申请(专利权)人:三星电子株式会社,
类型:发明
国别省市:韩国,KR
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