半导体器件和包括该半导体器件的半导体封装制造技术

技术编号:18239423 阅读:51 留言:0更新日期:2018-06-17 03:32
本发明专利技术提供了一种半导体器件和包括该半导体器件的半导体封装,该半导体器件包括能够保证容量并表现出改善的可靠性的电容器。该半导体器件包括:基板,具有单元块;多个电容器,在基板的单元块中并具有第一电极;以及支撑图案,接触该多个电容器的第一电极的侧壁并支撑该多个电容器,其中支撑图案包括上支撑图案,该上支撑图案包括:第一上图案,具有在单元块中连接为整体的板状结构;和第二上图案,接触第一上图案的底表面并具有比第一上图案的底表面小的面积的顶表面,上支撑图案接触第一电极的上端的侧壁。 1

Semiconductor device and semiconductor package including the semiconductor device

The present invention provides a semiconductor device and a semiconductor package including the semiconductor device, which includes a capacitor that is capable of ensuring capacity and exhibiting improved reliability. The semiconductor device includes a substrate, a unit block, a plurality of capacitors, a first electrode in a block of the substrate and a supporting pattern, contact the side wall of the first electrode of the plurality of capacitors and support the plurality of capacitors, in which the support pattern includes the upper support diagram, the upper support pattern including the first one. A pattern, with a plate shaped structure connected to a block in a block, and a second upper pattern, contact the bottom surface of the first pattern and have a top surface that is smaller than the bottom surface of the first pattern, and the upper support pattern is exposed to the side wall of the upper end of the first electrode. One

【技术实现步骤摘要】
半导体器件和包括该半导体器件的半导体封装
专利技术构思涉及半导体器件,更具体地,涉及包括电容器的半导体器件。
技术介绍
随着电子产业的显著发展和用户需求,电子器件具有更小的尺寸和更大的电容。具体地,为了使包括电容器的半导体器件具有高的集成度和大的电容,期望增大电容器的电容。
技术实现思路
专利技术构思提供包括能够增大电容并表现出改善的可靠性的电容器的半导体器件。在专利技术构思的一示例实施方式中,提供一种半导体器件,该半导体器件包括:基板,具有单元块;多个电容器,在单元块中,所述多个电容器在第一方向上延伸并具有第一电极,第一电极具有远离基板的表面的上端,第一电极具有侧壁;以及支撑图案,接触所述多个电容器的第一电极的侧壁并配置为支撑所述多个电容器。支撑图案包括上支撑图案,上支撑图案包括第一上图案和第二上图案,第一上图案具有顶表面和底表面,该顶表面和底表面具有在垂直于第一方向的第二方向上延伸并在垂直于第二方向的第三方向上延伸并且在单元块中连续地连接的板状结构,第二上图案接触第一上图案的底表面并具有顶表面,该顶表面具有比第一上图案的底表面的表面面积小的表面面积,上支撑图案接触第一电极的上端的侧壁。在专利技术构思的一示例实施方式中,提供一种半导体器件,该半导体器件包括:基板,具有通过周边区彼此分离的多个子单元块;多个电容器,在基板的子单元块中,该多个电容器每个包括圆柱形的第一电极、第二电极、在第二电极和第一电极之间的电介质膜,第二电极面对第一电极,第一电极包括远离基板的表面的上端;以及支撑图案,接触相应的所述多个子单元块中的电容器的第一电极的上端的外侧壁并支撑该多个电容器。支撑图案包括上支撑图案和下支撑图案,上支撑图案包括第一上图案和第二上图案,第一上图案接触第一电极的上端的外侧壁并具有在每个子单元块中连接为整体的板状结构,第二上图案接触第一上图案的底表面的一部分,第一上图案的底表面的该部分与第一上图案的底表面的边缘分隔开,下支撑图案接触第一电极的外侧壁并且比上支撑图案靠近基板的所述表面。在专利技术构思的一示例实施方式中,提供一种半导体器件,该半导体器件包括:基板;至少一个虚设电容器,连接到基板并配置为改善半导体器件的制造余量;至少一个功能电容器,该至少一个功能电容器连接到基板,该至少一个功能电容器配置为用于半导体器件的操作;至少一个第一上图案,支撑该至少一个功能电容器并支撑该至少一个虚设电容器;以及至少一个第二上图案,支撑该至少一个功能电容器而不支撑该至少一个虚设电容器。在专利技术构思的示例实施方式中,由于实际的或功能的电容器的底部或第一电极的侧壁的支撑图案接触部分的比例相对地低于不直接用于半导体器件的操作的虚设电容器的第一电极的侧壁的支撑图案接触部分的比例,所以半导体器件可以具有功能电容器的用于半导体器件的操作的足够电容。此外,由于虚设电容器的第一电极的侧壁的支撑图案接触部分的比例相对地高于功能电容器的第一电极的侧壁的支撑图案接触部分的比例,所以支撑图案支撑虚设电容器的力可以相对增大。根据专利技术构思的半导体器件,由于支撑图案支撑被包括在单元块中的电容器以缓和施加到电容器的应力并且支撑图案允许功能电容器的电容足够地高,所以可以改善半导体器件的机械可靠性和电可靠性。附图说明从以下结合附图的详细描述,专利技术构思的实施方式将被更清楚地理解,附图中:图1是示出根据示例实施方式的半导体器件的框图;图2是示出在根据示例实施方式的半导体器件中包括的电容器的布置结构的俯视图;图3是示出根据示例实施方式的半导体器件的主要部件的示意平面布局;图4示出根据示例实施方式的半导体器件的部分的剖视图;图5是示出根据一示例实施方式的半导体器件的主要部件的剖视图;图6A至6C是示出在根据一实施方式示例的半导体器件中包括的电容器和支撑图案的布置结构的俯视图;图7是示出包括在根据一示例实施方式的半导体器件中的支撑图案的示例的俯视图;图8A至8N是示出在根据一示例实施方式的半导体器件中包括的支撑图案的示例的俯视图;图9和10是示出根据示例实施方式的半导体器件的主要部件的剖视图;图11是示出在根据一示例实施方式的半导体器件中包括的支撑图案的示例的俯视图;图12至16是示出根据示例实施方式的半导体器件的主要部件的剖视图;图17至22是示出根据一示例实施方式的制造半导体器件的方法的按顺序的工艺的剖视图;图23是示出根据一示例实施方式的半导体器件的主要部件的俯视图;以及图24是示出包括根据一示例实施方式的半导体器件的系统的框图。具体实施方式为了充分理解根据专利技术构思的部件和效果,将参照附图详细描述专利技术构思的实施方式。图1是示出根据示例实施方式的半导体器件的框图。参照图1,半导体器件可以包括其中布置存储单元的单元区域CLR和围绕单元区域CLR的主周边区域PRR。根据一实施方式,单元区域CLR可以包括分隔单元块SCB的子周边区域SPR。多个存储单元可以布置在单元块SCB中。如这里所用的,术语“单元块”指的是其中存储单元以规则的间隔有规则地布置的区域,单元块SCB可以被称为子单元块。允许电信号输入到存储单元和从存储单元输出的逻辑单元可以布置在主周边区域PRR和子周边区域SPR中。在一些示例实施方式中,主周边区域PRR可以被称为核心电路区域,子周边区域SPR可以被称为周边电路区域。包括主周边区域PRR和子周边区域SPR的周边区域PR可以被称为核心和周边电路区域。在一些示例实施方式中,子周边区域SPR可以被提供为用于分隔单元块SCB的空间或仅一空间。图2是示出在根据示例实施方式的半导体器件中包括的电容器的布置结构的俯视图。图2是图1所示的单元区域CLR的区域A的放大图。在下文,动态随机存取存储器(DRAM)装置将被描述为半导体器件的一示例。然而,根据专利技术构思,半导体器件不限于DRAM装置。参照图2,多个存储节点SN(其是多个电容器的第一电极)可以布置在子单元块SCB中。在一些示例实施方式中,所述多个存储节点SN的每个或所述多个存储节点SN中的至少一个可以是或可以包括闭合底部的圆柱形的第一电极(图5的520)。当从Z方向看时,第一电极可以沿该圆柱形的侧壁和底部共形地延伸。在一些示例实施方式中,存储节点SN可以布置为蜂窝或六边形的形状,其中存储节点SN关于一个方向布置为Z字形的方式。在一些示例实施方式中,存储节点SN可以布置为矩阵形式;然而,专利技术构思不限于此。子周边区域SPR的宽度可以大于一节距,该节距是一个单元块SCB中的两个相邻的存储节点SN的中心之间的距离。在一些示例实施方式中,子周边区域SPR的宽度可以为存储节点SN的节距的两倍至五倍;然而,专利技术构思不限于此。图3是示出根据示例实施方式的半导体器件的主要部件的示意性平面布局。参照图3,半导体器件100可以包括多个有源区ACT。在一些示例实施方式中,所述多个有源区ACT可以具有在相对于第一方向(X方向)和第二方向(Y方向)的斜方向上的长轴。多条字线WL可以交叉所述多个有源区ACT并沿第一方向(X方向)平行于彼此延伸。在所述多条字线WL上,多条位线BL可以沿与第一方向(X方向)相交的第二方向(Y方向)平行于彼此延伸。所述多条位线BL可以通过直接接触DC连接到所述多个有源区ACT。在一些示例实施方式中,多个埋入接触BC可以形成在所述多条本文档来自技高网...
半导体器件和包括该半导体器件的半导体封装

【技术保护点】
1.一种半导体器件,包括:

【技术特征摘要】
2016.12.07 KR 10-2016-01662091.一种半导体器件,包括:具有单元块的基板;在所述单元块中的多个电容器,所述多个电容器在第一方向上延伸并具有第一电极,所述第一电极具有远离所述基板的表面的上端,所述第一电极具有侧壁;以及支撑图案,接触所述多个电容器的所述第一电极的侧壁并配置为支撑所述多个电容器,所述支撑图案包括上支撑图案,所述上支撑图案包括:第一上图案,具有顶表面和底表面,所述顶表面和所述底表面平行于所述基板的所述表面,所述顶表面和所述底表面具有在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸并在垂直于所述第一方向的第三方向上延伸并且在所述单元块中连续地连接的板状结构,以及第二上图案,接触所述第一上图案的所述底表面并具有顶表面,该顶表面具有比所述第一上图案的底表面的表面面积小的表面面积,所述上支撑图案接触所述第一电极的上端的侧壁。2.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,当从所述第一方向看时,所述第二上图案与所述第一上图案的所述底表面的边缘分隔开并且所述第二上图案接触所述第一上图案的所述底表面的内部部分。3.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述第二上图案包括上外部图案,该上外部图案接触所述电容器的当从所述第一方向看时邻近所述第一上图案的所述底表面的角落并邻近所述第一上图案的所述底表面的边缘的至少一部分的所述第一电极,所述边缘连接到所述角落。4.根据权利要求3所述的半导体器件,其中,当从所述第一方向看时,所述上外部图案具有环形状,该环形状邻近所述第一上图案的所述底表面的所述边缘并连续地延伸。5.根据权利要求3所述的半导体器件,其中所述上外部图案包括至少两个上外部图案,当从所述第一方向看时所述至少两个上外部图案邻近所述第一上图案的所述底表面的不同角落,并彼此分隔开。6.根据权利要求3所述的半导体器件,其中所述第二上图案还包括上内部图案,当从所述第一方向看时,该上内部图案与所述上外部图案分隔开并具有岛形状。7.根据权利要求6所述的半导体器件,其中所述第一上图案包括多个上开口,并且所述第二上图案接触所述第一上图案的所述底表面的与所述上开口分隔开的部分。8.根据权利要求6所述的半导体器件,其中所述上外部图案的厚度基本上等于所述上内部图案的厚度。9.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述上支撑图案还包括第三上图案,该第三上图案配置为接触所述第二上图案的底表面,并且当从所述第一方向看时,该第三上图案具有比所述第二上图案的所述底表面大的表面面积的顶表面。10.根据权利要求9所述的半导体器件,其中当从所述第一方向看时,所述第三上图案具有与所述第一上图案相同的平面形状。11.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述支撑图案还包括下支撑图案,该下支撑图案接触所述多个电容器的所述第一电极的所述上端下面的侧壁并具有与所述第一上图案相同的平面形状。12.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述多个电容器包括在所述单元块的内部区域中的多个功能电容器以及在所述单元块的外部区域中并围绕所述多个功能电容器的多个虚设电容器,所述第一上图案同时支撑所述多个功能电容器中的至少一些以及所述多个虚设电容器中的至少一些,以及所述第二上图案支撑所述多...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘希昱李垣哲
申请(专利权)人:三星电子株式会社
类型:发明
国别省市:韩国,KR

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