The invention belongs to the field of display technology, and discloses a method for controlling the quality of TFT array source drain electrode film by piezoelectric waveform. The Al doped Nd film, Al2O3 insulating layer and a IGZO thin film are prepared on the clean glass substrate surface, and the printed substrate is obtained. The printed substrate is placed in the inkjet printer, and the source leakage electrode is prepared by the inkjet printing with conductive silver ink. The ink jet voltage waveform used is changed in four bands, and the pressure rate is 0.5. The duration of four wavelengths of V/ s is 6.52 s, 6.15 s, 6.78 s and 1.67 s respectively. After printing, TFT array source drain electrode is obtained. The invention has the advantages of simple processing technology, short operation time, high processing efficiency and low cost by adjusting the piezoelectric wave form to eliminate the satellite point of the leakage electrode film of the ink-jet printing source. One
【技术实现步骤摘要】
一种通过压电波形调控TFT阵列源漏电极薄膜质量的方法
本专利技术属于显示器件
,具体涉及一种通过压电波形调控TFT阵列源漏电极薄膜质量的方法。
技术介绍
薄膜晶体管(ThinFilmTransistor,简称TFT),作为一种基础电子元器件被广泛应用于平板显示器中。源漏电极作为薄膜晶体管中的重要组成部分,驱动半导体层界面处的载流子定向移动形成电流。目前薄膜晶体管源漏电极的主流制备方法为直流溅射、真空蒸镀并结合光刻技术,在衬底表面沉积一层金属薄膜,再采用紫外曝光掩膜版和湿法或干法刻蚀工艺在衬底表面形成源漏电极结构。上述方法存在制备工艺复杂的缺点。喷墨打印是一种无版数字化印刷技术,根据计算机的指令将墨滴从细微的喷嘴直接喷射到衬底上的指定位置,从而形成预先在计算机上设计好的图案。其工艺简单,能有效节约材料和降低成本,是一种环境友好型薄膜制备技术。现已有的技术主要通过调控墨水的成分,如添加有机溶剂,改变或改善墨水自身的粘度和表面张力等性质,减少墨滴拖尾,从而改善成膜质量。上述技术通过调控墨水成分需要添加各种溶剂来改变墨水的物理和化性质,因而耗费的时间更长,成本更高;同时降低了导电溶质的含量,最终影响导电薄膜的电学性能。
技术实现思路
针对以上现有技术存在的缺点和不足之处,本专利技术的目的在于提供一种通过压电波形调控TFT阵列源漏电极薄膜质量的方法。本专利技术目的通过以下技术方案实现:一种通过压电波形调控TFT阵列源漏电极薄膜质量的方法,包括如下步骤:(1)在干净的玻璃基板表面沉积一层图形化的Al掺杂Nd薄膜(Al:Nd薄膜),然后通过阳极氧化形成一层Al2O3绝 ...
【技术保护点】
1.一种通过压电波形调控TFT阵列源漏电极薄膜质量的方法,其特征在于包括如下步
【技术特征摘要】
1.一种通过压电波形调控TFT阵列源漏电极薄膜质量的方法,其特征在于包括如下步骤:(1)在干净的玻璃基板表面沉积一层图形化的Al掺杂Nd薄膜,然后通过阳极氧化形成一层Al2O3绝缘层,清洗干燥后用射频磁控溅射在绝缘层上沉积a-IGZO薄膜,然后在空气中450℃热退火1h,得到打印基板;(2)将步骤(1)所得打印基板置于喷墨打印机中,以导电银墨水进行喷墨打印制备源漏电极,喷墨打印参数设置为:基板温度60℃,喷头温度50℃,墨滴间距25μm,喷墨速度为5m/s;所用喷墨压电波形经历四个波段的电压变化,第一波段以起始电压10V以0.5V/μs的加压速率减小至5V,第一波段持续时间为6.52μs;第二波段以起始电压5V以0.5V/μs的加压速率上升至30V;第二波段持续时间6.15μs;第三波段以起始电压30V以0.5V/μs的加压速率减小至20V,第三波段的持续时间为6.78μs;第四波段...
【专利技术属性】
技术研发人员:宁洪龙,杨财桂,姚日晖,陶瑞强,陈建秋,周艺聪,周尚雄,袁炜健,吴为敬,彭俊彪,
申请(专利权)人:华南理工大学,
类型:发明
国别省市:广东,44
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。